盛美上海（688082）2025年度管理层讨论与分析

证券之星消息，近期盛美上海（688082）发布2025年年度财务报告，报告中的管理层讨论与分析如下：

发展回顾：

一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明

    (一)主要业务、主要产品或服务情况

    公司经过多年持续的研发投入和技术积累，先后开发了前道半导体工艺设备，包括清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备；后道晶圆级先进封装工艺设备、面板级先进封装设备；以及硅材料衬底制造工艺设备等。

    （1）前道半导体工艺设备

    ①清洗设备

    A.SAPS兆声波单片清洗设备

    晶圆表面的兆声波能量与晶圆和兆声波发生器之间的距离呈现周期性的变化。在传统的兆声波清洗工艺中，不同工序后应力带来的晶圆翘曲，使得晶圆上不同点到兆声波发生器的距离不同，因此晶圆上不同位置的兆声波能量也不相同，无法实现兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。而且由于硬件位置控制的误差，也会造成兆声波能量在晶圆表面分布的不均匀。

    公司自主研发的SAPS兆声波技术采用扇形兆声波发生器，通过精确匹配晶圆旋转速度、液膜厚度、兆声波发生器的位置、交变位移及能量等关键工艺参数，通过在工艺中控制兆声波发生器和晶圆之间的半波长范围的相对运动，使晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，从而很好的控制了兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。

    B.TEBO兆声波单片清洗设备

    公司自主研发的TEBO清洗设备，可适用于28nm及以下的图形晶圆清洗，通过一系列快速（频率达到每秒一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将气泡控制在稳定震荡状态，而不会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构进行无损伤清洗。公司TEBO清洗设备，在器件结构从2D转换为3D的技术转移中，可应用于更为精细的具有3D结构的FinFET、DRAM和新兴3DNAND等产品，以及未来新型纳米器件和量子器件等，在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。

    公司通过自主研发并具有全球知识产权保护的SAPS和TEBO兆声波清洗技术，解决了兆声波技术在集成电路单片清洗设备上应用时，兆声波能量如何在晶圆上均匀分布及如何实现图形结构无损伤的全球性难题。为实现产能最大化，公司单片清洗设备可根据客户需求配置多个工艺腔体，最高可单台配置18腔体，有效提升客户的生产效率。

    C.高温单片SPM设备

    随着技术节点推进，工艺温度要求在150摄氏度以上，甚至超过200摄氏度的SPM工艺步骤逐渐增加。高剂量离子注入后的光刻胶去除、无灰化步骤的纯湿法去胶工艺，以及特殊的金属膜层刻蚀或剥离，都对SPM的温度提出了更高的要求。公司的新型单片高温SPM设备使用独特的多级梯度加热系统来预热硫酸，然后将硫酸与过氧化氢混合以达到超高温。同时，公司的腔体支持配置其他多种化学品，并配备在线化学品混酸（CIM）系统，可用于动态设置工艺中的化学品配比及温度。该腔体配置还可支持更多的化学品和灵活的辅助清洗方案，比如公司独有的专利技术SAPS和TEBO兆声波技术。该设备可支持300mm晶圆单片SPM（硫酸和过氧化氢混合酸）工艺，可广泛应用于逻辑、DRAM和3D-NAND等集成电路制造中的湿法清洗和刻蚀工艺，尤其适合处理高剂量离子注入后的光刻胶（PR）去除工艺，以及金属刻蚀和剥离工艺。单片中低温SPM清洗设备在多家客户端实现量产26nm颗粒数量少于10颗，平均颗粒数量少于5颗。高温（硫酸温度大于170摄氏度）SPM设备装入盛美上海的专利申请保护的喷嘴技术，可以有效改善清洗腔的氛围，大幅减少清洗腔的清洗频度，增加运行时间，实现26nm小颗粒数量少于10颗，平均颗粒数量少于5颗；19nm小颗粒数量少于10颗；15nm颗粒数量少于20颗，颗粒控制水平达到全球领先水平。

    D.单片槽式组合清洗设备

    公司自主研发的具有全球知识产权保护的Tahoe清洗设备在单个湿法清洗设备中集成了两个模块：槽式模块和单片模块。Tahoe清洗设备可被应用于光刻胶去除、刻蚀后清洗、离子注入后清洗和机械抛光后清洗等几十道关键清洗工艺中。Tahoe清洗设备的清洗效果与工艺适用性可与单片中低温SPM清洗设备相媲美。该设备通过减少高达75%的硫酸消耗量，仅硫酸一项每年就可节省高达数十万美元的成本，帮助客户降低生产成本又能更好符合国家节能减排政策。该设备具备强大的清洗能力，在26nm颗粒测试中实现了平均颗粒个位数的标准，可满足高端制造的严格要求。

    E.单片背面清洗设备

    公司研发的单片背面清洗设备采用伯努利卡盘，应用空气动力学悬浮原理，使用机械手将晶圆送入腔体后，使晶背朝上，晶圆正面朝下，在工艺过程中，精准流量控制的高纯氮气通过晶圆与卡具之间的空隙。同时，该设备还可精准控制晶圆边缘回刻宽度，做到zeroundercut控制。该设备可用于背面金属污染清洗及背面刻蚀等核心工艺。

    F.边缘湿法刻蚀设备

    该设备支持多种器件和工艺，包括3DNAND、DRAM和逻辑工艺，使用湿法刻蚀方法去除晶圆边缘的各种电介质、金属和有机材料薄膜，以及颗粒污染物。这种方法最大限度地减少了边缘污染对后续工艺步骤的影响，提高了芯片制造的良率，同时整合背面晶圆清洗的功能，进一步优化了工艺和产品结构。

    G.前道刷洗设备

    设备采用单片腔体对晶圆正背面依工序清洗，可进行包括晶圆背面刷洗、晶圆边缘刷洗、正背面二流体清洗等清洗工序；设备占地面积小，产能高，稳定性强，多种清洗方式灵活可选。该设备可用于集成电路制造流程中前段至后段各道刷洗工艺。

    H.全自动槽式清洗设备

    公司开发的全自动槽式清洗设备广泛应用于集成电路领域和先进封装领域的清洗、刻蚀、光刻胶去除等工艺，采用纯水、碱性药液、酸性药液作为清洗剂，与喷淋、热浸、溢流和鼓泡等清洗方式组合，再配以常压IPA干燥技术及低压IPA干燥技术，能够同时清洗50片晶圆。该设备自动化程度高，设备稳定性好，清洗效率高，金属、材料及颗粒的交叉污染低。该设备主要应用于40nm及以上技术节点的几乎所有清洗工艺步骤。

    ②半导体电镀设备

    A.前道铜互连电镀铜设备

    公司自主开发针对28nm及以下技术节点的IC前道铜互连镀铜技术UltraECPmap。公司的多阳极局部电镀技术采用新型的电流控制方法，实现不同阳极之间毫秒级别的快速切换，可在超薄籽晶层上完成无空穴填充，同时通过对不同阳极的电流调整，在无空穴填充后实现更好的片内薄膜沉积均匀性，可满足各种工艺的镀铜需求。

    B.三维堆叠电镀设备

    应用于填充3d硅通孔TSV和2.5D转接板的三维电镀设备UltraECP3d。基于盛美半导体电镀设备的平台，该设备可为高深宽比（深宽比大于10:1）铜应用提供高性能、无孔洞的镀铜功能。该设备为提高产能而设计了堆叠式腔体，能减少消耗品的使用，降低成本，节省设备使用面积。

    C.新型化合物半导体电镀设备

    UltraECPGIII新型化合物半导体电镀设备已实现量产，在深孔镀金工艺中表现优异，台阶覆盖率在同样工艺参数条件下优于竞争对手水平；同时公司开发了去镀金技术并实现模块销售。

    ③立式炉管系列设备

    公司研发的立式炉管设备主要包括低压化学气相沉积炉、氧化退火炉、合金炉和原子层沉积炉，公司炉管产品已经进入多个中国集成电路晶圆制造厂，已通过验证并大量量产。其中等离子体增强原子层沉积炉管已进入中国集成电路晶圆制造厂，通过初步验证，为后续奠定基础。

    ④前道涂胶显影Track设备

    公司的前道涂胶显影UltraLithTMTrack设备是一款应用于300mm前道集成电路制造工艺的设备，可提供均匀的下降气流、高速稳定的机械手以及强大的软件系统，从而满足客户的特定需求。该设备功能多样，能够降低产品缺陷率，提高产能，节约总体拥有成本（COO）。涂胶显影Track设备支持主流光刻机接口，支持包括i-line、KrF和ArF系统在内的各种光刻工艺，可确保满足工艺要求的同时，让晶圆在光刻设备中曝光前后的涂胶和显影步骤得到优化。公司首台高产能KrF工艺前道涂胶显影设备已于2025年9月顺利交付中国头部逻辑晶圆制造厂。

    ⑤等离子体增强化学气相沉积PECVD设备

    公司的等离子体增强化学气相沉积UltraPmaxTMPECVD设备配置自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性、更优化的薄膜应力和更少的颗粒特性。

    ⑥前道无应力铜互连平坦化设备

    公司的无应力抛光设备将无应力抛光技术SFP(Stress-Free-Polish)与低下压力化学机械平坦化技术CMP相结合，集成创新了低k/超低k介电质铜互连平坦化Ultra-SFP抛光集成系统，集合二者优点，利用低下压力化学机械抛光先将铜互联结构中铜膜抛至150nm厚度，再采用无应力抛光SFP的智能抛光控制技术将抛光进行到阻挡层，最后采用公司自主开发的热气相刻蚀技术，将阻挡层去除。无应力抛光设备应用于铜低k/超低k互连结构有诸多优点：其一，依靠抛光自动停止原理，平坦化工艺后凹陷更均匀及精确可控；其二，工艺简单，采用环保的可以循环使用的电化学抛光液，没有抛光垫，研磨液等，耗材成本降低50%以上；对互联结构中金属层和介质层无划伤及机械损伤。

    ⑦新型化合物半导体刻蚀设备

    公司推出了6/8英寸化合物半导体湿法工艺产品线，以支持化合物半导体领域的工艺应用，包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)等。

    ⑧光刻胶固化设备

    该设备专为解决光刻工艺中均匀性不足、温度漂移及临界尺寸变异等难题而设计，助力制造商在器件尺寸持续微缩的趋势下，维持稳定的良率与图形保真度。凭借行业领先的紫外固化均匀性与精密温控技术，该设备可实现高度稳定且可重复的光刻工艺，温度均匀性达±0.1°C。整机采用可配置设计，支持客户根据不同工艺配方与光刻胶集成需求灵活配置。

    （2）后道晶圆级先进封装工艺设备

    ①先进封装电镀设备公司在半导体先进封装领域进行差异化开发，解决了在更大电镀液流量下实现平稳电镀的难题。采用独创的第二阳极电场控制技术更好地控制晶圆平边或缺口区域的膜厚均匀性控制，实现高电流密度条件下的电镀，凸块产品的各项指标均满足客户要求。在针对高密度封装的电镀领域可以实现2μm超细RDL线的电镀以及包括铜、镍、锡、银和金在内的各种金属层电镀。自主开发的橡胶环密封专利技术可以实现更好的密封效果。

    ②涂胶设备

    公司的升级版8/12英寸兼容的涂胶设备，用于晶圆级封装领域的光刻胶和Polyimide涂布、软烤及边缘去除。涂胶腔内采用了公司特有的全方位无死角自动清洗技术，可缩短设备维护时间。涂胶腔内可兼容两种光刻胶类型。这款升级版涂胶设备对盛美原有的涂胶设备性能和外观都进行了优化升级，可实现热板抽屉式抽出，方便维修及更换，并且能精确复位，有效保障工序运行。

    ③显影设备

    公司的UltraCdv显影设备可应用于晶圆级封装，是WLP光刻工艺中的步骤。设备可进行曝光后烘烤、显影和坚膜等关键步骤。设备具备灵活的喷嘴扫描系统，精准的药液流量和温度控制系统，更低的成本控制，技术领先，使用便捷。

    ④湿法刻蚀设备

    公司的湿法刻蚀设备使用化学药液进行晶圆球下金属层（UBM）的刻蚀工艺。该设备具备领先的喷嘴扫描系统，可提供行业领先的化学温度控制、刻蚀均匀性。该设备专注安全性，并且拥有药液回收使用功能从而减少成本，刻蚀腔内可兼容至多三种刻蚀药液单独使用及回收，提高使用效率。

    ⑤湿法去胶设备

    公司的UltraCpr湿法去胶设备设计高效、控制精确，提升了安全性，提高了WLP产能。该设备将湿法槽式浸洗与单片晶圆清洗相结合，单片腔可实现高压去胶及常压去胶，也可单独使用。去胶平台能够在灵活控制清洗的同时，最大限度地提高效率，也可与公司专有的SAPS兆声波清洗设备一同使用，以清除极厚或者极难去除的光刻胶涂层。

    ⑥金属剥离设备

    公司的湿法金属剥离（MetalLiftoff）设备基于公司已有的湿法去胶设备平台，将槽式去胶浸泡模块与单片清洗腔体串联起来依序使用，在去胶的同时进行金属剥离。该设备可以在不同单片清洗腔中分别配置去胶功能和清洗功能，并通过优化腔体结构，实现易拆卸、清洗与维护，以解决金属剥离工艺中残留物累积的问题。

    ⑦后道无应力抛光先进封装平坦化设备

    公司拓展开发适用于先进封装3D硅通孔及2.5D转接板中金属铜层平坦化工艺应用，为了解决工艺成本高和晶圆翘曲大的难点，利用无应力抛光的电化学抛光原理，相对比传统化学机械平坦化CMP，没有研磨液、抛光头和抛光垫，仅使用可循环使用的电化学抛光液；并且不受铜层是否经过退火的影响，去除率稳定；通过与CMP工艺整合，先采用无应力抛光将晶圆铜膜减薄至小于0.5μm-0.2μm厚度，再退火处理，最后CMP工艺的解决方案，能够有效解决CMP工艺存在的技术和成本瓶颈。

    ⑧带铁环晶圆的湿法清洗设备

    公司已经研发出可以应用于带铁环晶圆（tape-framewafer）的湿法清洗设备，采用公司自主研发的chuck设计和腔体结构，可以支持不同尺寸铁环，可以用于清洗解键合工艺后的胶残留，清洗效果完全满足生产需求，提升工艺制程的良率。

    ⑨聚合物清洗设备

    聚合物清洗设备使用相关有机溶剂清洗干法刻蚀后的聚合物残留，主要应用于2.5D/3D等先进封装工艺。聚合物清洗设备腔体可兼容两种有机溶剂，同时配备二流体清洗功能。聚合物清洗工艺过程中药液需要Dosing功能以保证清洗能力，该设备具有领先的Dosing功能，可根据工艺时间、药液使用时间和有机溶液浓度控制等灵活进行Dosing设定，保证清洗能力。

    ⑩TSV清洗设备

    TSV清洗设备主要应用于2.5D/3D等先进封装工艺中，TSV工艺中孔内会有聚合物残留，可选择使用高温硫酸与双氧水混合液进行清洗。TSV清洗设备具有高效的温度控制能力，可控制Wafer表面清洗时温度在170℃高温。清洗后还可搭配公司专有的SAPS兆声波清洗设备一同使用，保证TSV孔内的清洗效果。

    背面清洗/刻蚀设备

    背面清洗/刻蚀设备可用于介质层清洗和刻蚀、以及常规硅刻蚀工艺。背洗和背刻设备可通过手臂翻转或者单独的翻转单元进行翻转，腔体使用伯努利原理通过氮气支撑Wafer进行工艺，在完美保护Wafer正面不受影响的情况下进行背面清洗和刻蚀工艺。

    键合胶清洗设备

    键合胶清洗设备主要用于2.5D/3D工艺中键合胶的去除，涉及到Wafer边缘键合胶去除及正面键合胶去除。设备配备单独的二流体EBR喷嘴，可用于去除Wafer边缘键合胶；正面只用3根二流体喷嘴，可搭配组合使用或单独使用，具有高效的去除效率；同时药液可进行回收以减少成本。

    带框晶圆清洗设备

    公司的带框晶圆清洗设备可在同一腔体中同时完成清洗和干燥工艺，实现高效清洗和干燥。公司自研的处理技术使该设备能够处理厚度小于150微米的薄晶圆。这款设备可在脱粘后的清洗过程中有效清洗半导体晶圆，其创新溶剂回收系统具有显著的环境与成本效益，该功能可实现近100%的溶剂回收和过滤效果，进而减少生产过程中化学品用量。

     化合物电化学去镀设备

    公司推出了用于化合物半导体金蚀刻工艺的UltraECDP电化学去镀设备，该新设备专为在晶圆图形区域外进行电化学晶圆级金（Au）蚀刻而设计，可实现更高的均匀性、更小的侧蚀和增强的金线外观。

    （3）面板级先进封装设备

    ①面板级先进封装负压清洗设备

    面板级先进封装负压清洗设备主要用于更小pitch以及更小的SOH芯片的助焊剂清洗，在

    2.5D/3D封装应用效果优势明显。专为面板而设计，该面板材料可以是有机材料或者玻璃材料。该设备可处理510×515mm和600×600mm的面板以及高达7mm的面板翘曲。该设备在2025年11月荣获《GlobalSMT&Packaging》颁发的2025年度全球技术大奖清洁设备类奖项。

    ②面板级先进封装边缘刻蚀设备

    该设备专为面板衬底而设计，可与有机面板、玻璃面板和粘合面板兼容。该设备能有效管理面板的正面和背面，适用尺寸由510mm×515mm至600mm×600mm不等，厚度在0.5mm至2mm之间。该设备可处理最大10mm的翘曲，确保最佳工艺条件。该设备专为铜相关工艺中的边缘刻蚀和清洗而设计，能够同时处理面板的正面和背面的边缘刻蚀，显著提升了工艺效率和产品可靠性。

    ③水平式面板级先进封装电镀设备

    该设备采用公司全球专利申请保护的世界独家水平电镀技术，并支持铜、镍、锡银及金等多材质电镀工艺。该设备可处理510×515mm和600×600mm的面板。设备配备电镀腔内清洗功能以最大限度减少不同电镀腔之间的化学交叉污染，并采用水平电镀设计，通过同步旋转卡盘与旋转矩形电场实现卓越的膜厚均匀性。该设备在2025年3月获得国际3DInCites协会颁发的“TechnologyEnablementAward”奖项。

    （4）硅材料衬底制造工艺设备

    ①化学机械研磨后（Post-CMP）清洗设备

    公司的CMP后清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬底的制造。这款设备在CMP步骤之后，使用稀释的化学药液对晶圆正背面及边缘进行刷洗及化学清洗，以控制晶圆的表面颗粒和金属污染，该设备也可以选配公司独有的兆声波清洗技术。并且这款设备有湿进干出（WIDO）和干进干出（DIDO）两种配置，可以选配2、4或6个腔体，以满足不同产能需求。

    ②FinalClean清洗设备

    公司的FinalClean清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬底制造。这款设备在PreClean步骤之后，使用稀释的化学药液同时结合公司独有的兆声波清洗技术对晶圆正背面进行化学清洗，以控制晶圆表面颗粒和金属污染。

    (二)主要经营模式

    1、盈利模式

    公司作为一家面向国际科技前沿、坚持自主创新的半导体专用设备企业，遵循全球行业惯例，主要从事技术和工艺研发、产品设计和制造，为客户提供设备和工艺解决方案。公司根据对产品的设计，组织零部件外购及外协，建立了完善的供应链体系，与核心供应商建立了密切的合作关系，根据公司的销售预测，提前部署下一年度的产能需求，提前做好产能安排及快速交付计划，保障了对重要零部件的供应。作为设备厂商，公司提供验证平台，通过设备厂商带动零部件技术攻关，实现对零部件企业的商业赋能。公司通过长期研发积累形成的技术优势，保持较高的产品毛利，进而保持较高比例的研发投入及市场开拓，在报告期内实现了较高的利润率。

    2、研发模式

    公司主要采用自主研发的模式。公司研发部门以半导体专用设备国际技术动态、客户需求为导向，采用差异化竞争的策略，依靠具有丰富经验的国际化研发团队，研发新工艺、新技术，完成技术方案的验证，并在全球主要半导体生产国家及地区申请专利保护，把研发成果快速产业化，取得了一系列的技术创新和突破。此外，公司在韩国组建了专业的研发团队，结合中国上海以及韩国双方研发团队的各自优势，共同研发用于公司产品的差异化相关技术，提升公司产品性能。公司制定了《研发项目管理办法》，对研发项目的立项、审批、执行等流程进行了规定。公司将继续吸引优秀人才，扩大充实公司世界一流的研发团队，为全球客户不断地提供最好的工艺解决方案。

    3、采购模式

    为保障公司产品质量和性能，公司建立了完善的采购体系，在报告期内进一步优化了供应链资源、供应商准入体系和零部件供应策略。持续要求供应商填写《供应商基础信息调查表》，了解供应商的人员构成、财务情况、设计能力、制造能力、检测能力、关键材料/零部件来源、质量管控体系等，对供应商的技术能力、质量能力、交付能力和售后服务等进行综合评估，并最终确定是否纳入合格供应商名录。报告期内，公司保持与主要供应商长期稳定的合作关系。

    4、生产模式

    公司产品均为根据客户的差异化需求，进行定制化设计及生产制造，主要采取以销定产的生产模式，按客户订单组织生产。

    公司根据市场预测或客户的非约束性预测，编制年度生产计划，并结合客户订单情况编制每月生产计划。公司研发设计工程师根据客户订单提供装配图纸，运用MES、WMS系统分发到仓库和生产车间，进行仓库领料、配料和装配，预装配并预检合格后，交由总装配车间进行各模块整体组装生产线组装，然后由测试部门进行各模块的功能测试，测试合格后，下线发货。公司对外协加工的质量严格把关，与外协厂商建立了多年稳定的合作关系，确保符合客户的差异化需求。

    5、销售模式

    公司自设立以来，始终坚持全球化发展战略，客户主要位于中国大陆、中国台湾、韩国等国家和地区。公司的市场开拓策略为：首先开拓全球半导体龙头企业客户，通过长时间的研发和技术积累，取得其对公司技术和产品的认可，以树立公司的市场声誉。然后凭借在国际行业取得的业绩和声誉，持续开拓中国大陆等半导体行业新兴区域市场。经过多年的努力，公司已与国内外存储及逻辑半导体行业龙头企业形成了较为稳定的合作关系。

    公司通过直销模式销售产品，不存在分销和经销模式。报告期内，公司通过委托代理商推广、与潜在客户商务谈判或通过招投标等方式获取订单。

    (三)所处行业情况

    1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛

    （1）行业发展态势与面临的机遇

    ①半导体应用和消费市场需求长期保持增长

    近年来，受下游消费电子、物联网、工业互联、汽车电子等领域快速发展的影响，中国大陆再次掀起了晶圆产能建设的高潮，带动半导体设备投资大幅上升。SEMI的报告预测，到2026年，各地区12英寸晶圆厂产能，中国大陆晶圆厂产能将达30.6%，对比韩国占比21.6%，中国台湾占比20.2%。这些新建的晶圆产能大多数是中国实体所为。晶圆产能的扩张促进了中国半导体产业专业人才的培养及配套行业的发展，半导体产业环境的良性发展为中国半导体专用设备制造业产业的扩张和升级提供了机遇。

    ②全球半导体行业区域竞争加剧

    半导体行业具有生产技术工序多、产品种类多、技术更新换代快、投资高风险大、下游应用广泛等特点，叠加下游新兴应用市场的不断涌现，半导体产业链从集成化到垂直化分工的趋势越来越明确。目前，中国大陆作为全球最大半导体终端产品消费市场，中国半导体产业的规模不断扩大，中国大陆半导体专用设备需求将不断增长。

    （2）半导体专用设备行业特点

    ①半导体专用设备在半导体产业链中的地位至关重要

    半导体专用设备作为产业链中发挥着重要的基础性支撑作用，是核心技术与工艺的载体，在产业发展中发挥着重要的基础性支撑作用。半导体专用设备的技术复杂，客户对设备的技术参数、运行的稳定性有苛刻的要求，以保障生产效率、质量和良率。集成电路制造工艺的技术进步，反过来也会推动半导体专用设备企业不断追求技术革新。同时，集成电路行业的技术更新迭代也带来对于设备投资的持续性需求，而半导体专用设备的技术提升，也推动了集成电路行业的持续快速发展。

    ②半导体专用设备技术壁垒高，通过客户验证难度大

    半导体专用设备行业为技术密集型行业，生产技术涉及微电子、电气、机械、材料、化学工程、流体力学、自动化、图像识别、通讯、软件系统等多学科、多领域知识的综合运用。半导体专用设备价值较高、技术复杂，对下游客户的产品质量和生产效率影响较大。半导体行业客户对半导体专用设备的质量、技术参数、稳定性等有严苛的要求，对新设备供应商的选择也较为慎重。一般选取行业内具有一定市场口碑和市占率的供应商，并对其设备开展周期较长的验证流程。因此，半导体专用设备企业在客户验证、开拓市场方面周期较长，难度较大。

    （3）集成电路设备行业技术门槛

    集成电路设备行业技术门槛高，集成电路设备具有技术含量高、制造难度大、设备价值高和行业门槛高等特点，被公认为工业界精密制造最高水平的代表之一。公司的技术水平与国际巨头仍有差距，需加快技术研发与产业化进程。

    2、公司所处的行业地位分析及其变化情况

    全球半导体清洗设备市场高度集中，尤其在单片清洗设备领域，DNS、TEL、LAM与SEMES四家公司合计市场占有率接近90%，其中DNS市场份额最高，市场占有率在41%以上。本土12英寸晶圆厂单片清洗设备主要来自DNS、盛美、LAM、TEL。

    目前，中国大陆能提供半导体清洗设备的企业较少，主要包括盛美上海、北方华创、芯源微及至纯科技。根据中银证券专题报告的历年累计数据统计显示，公司清洗设备的国内市占率为23%；而Gartner2025年数据显示，公司清洗设备的国际市占率为8.0%，电镀设备的国际市占率为8.2%，全球排名分别为第四和第三。同时公司亦积极扩大产品组合，在半导体抛铜设备、先进封装湿法设备、立式炉管设备、前道涂胶显影（Track）设备、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、面板级先进封装设备等领域扩大布局。2024年中国大陆半导体专用设备制造五强企业中，公司位列其中。

    3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势

    为落实“十五五”发展规划，支撑新一代信息技术产业创新发展，中国正大力推进半导体制造装备与工艺的研发与应用。此举不仅有助于促进科技创新、增强产业链关键环节的竞争力，还能加速制造业转型升级，推动引领性科技攻关，筑牢数字经济发展的基础。

    （1）将向高精密化与高集成化方向发展

    半导体产业具有“一代设备、一代工艺和一代产品”的特点，半导体产品制造要超前电子系统开发新一代工艺，而半导体设备要超前半导体产品制造开发新一代产品。因此，半导体设备企业需要不断提高技术研发能力，推动产品的迭代升级及新产品研发，持续优化产品布局。随着半导体技术的不断进步，半导体器件集成度不断提高。一方面，芯片工艺节点不断缩小，由12μm-0.35μm（1965年-1995年）到65nm-22nm（2005年-2015年），且还在向更领先的方向发展；另一方面半导体晶圆的尺寸却不断扩大，主流晶圆尺寸已经从4英寸、6英寸，发展到现阶段的8英寸、12英寸。此外，半导体器件的结构也趋于复杂。例如存储器领域的NAND闪存，根据国际半导体技术路线图预测，当工艺尺寸逐渐缩小，目前的Flash存储技术将会达到尺寸缩小的极限，存储器技术将从二维转向三维架构，进入3D时代。在3DNAND制造工艺中，核心思路是将传统2DNAND中在二维平面内横向排布的串联存储单元，转变为垂直方向的堆叠结构。通过增加存储单元的立体层数，有效突破了平面结构在尺寸微缩上的瓶颈。目前，3DNAND的堆叠层数已从早期的32层、64层，逐步发展到200层及以上的技术节点。这些对半导体专用设备的精密度与稳定性的要求越来越高，未来半导体专用设备将向高精密化与高集成化方向发展。

    （2）各类技术等级设备并存发展

    考虑到半导体芯片的应用极其广泛，不同应用领域对芯片的性能要求及技术参数要求差异较大，如手机使用的SoC逻辑芯片，往往需要使用12英寸晶圆，而对于工业、汽车电子、电力电子用途的芯片，仍在大量使用6英寸和8英寸晶圆及μm级工艺。不同技术等级的芯片需求大量并存，这也决定了不同技术等级的半导体专用设备均存在市场需求。未来随着半导体产业技术的持续发展，适用于12英寸晶圆以及更领先工艺的半导体专用设备需求将以更快的速度成长，但高、中、低各类技术等级的设备均有其对应的市场空间，短期内将持续并存发展。

    二、经营情况讨论与分析

    作为全球经济的关键组成部分，半导体产业正由人工智能特别是大模型带来的算力需求强劲驱动，进入新一轮上行与深刻变革周期，同时也受益于汽车、工业等多元市场的复苏。技术演进沿着先进制程微缩与以芯粒（Chiplet）为代表的先进封装异构集成两条路径并行突破，以持续提升系统性能。全球竞争格局在地缘政治与供应链自主诉求推动下加速重塑，区域产能布局趋向多元化。在此过程中，中国集成电路产业正抓住市场与技术变革的机遇，成为全球产业格局中日益重要的力量。

    公司自设立以来，始终致力于为全球集成电路行业提供领先的设备及工艺解决方案，坚持差异化国际竞争和原始创新的发展战略。通过持续的自主研发，公司进一步完善了知识产权体系，凭借丰富的技术和工艺积累，形成了平台化的半导体工艺设备布局，包括清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、前道涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备、后道晶圆级先进封装工艺设备、面板级先进封装设备以及硅材料衬底制造工艺设备等。公司凭借深耕集成电路设备产业多年而积累的集成应用经验，掌握了核心关键工艺技术、生产制造能力与原始创新的研发能力，拥有有效的供应链管理和制造体系，同时契合集成电路产业链中下游应用市场所需。公司凭借领先的技术和丰富的产品线，已发展成为中国大陆少数具有一定国际竞争力的半导体设备供应商，产品得到众多国内外主流半导体厂商的认可，并取得良好的市场口碑。

    公司是国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业和国家制造业单项冠军企业，连续多年入选“中国半导体设备五强”。公司拥有上海市企业技术中心、上海市专精特新企业及上海市创新型企业总部资质，报告期间先后获得工信部“全国工业和信息化系统先进集体”、浦东新区“2024年度经济突出贡献奖”、全国工商联“2025年民营企业发展新质生产力系列典型案例”、中国国际工博会“2025年集成电路创新成果奖”，同时荣列上海市集成电路设备企业营收前五名，入选上海硬核科技企业TOP100（知识产权榜TOP50），并获得上海产学研合作优秀项目一等奖等多项荣誉。此外，在2023至2025年度的上市公司信息披露评价中，公司荣获了优秀的“A”级评级，这是公司连续第三年获得该评级。这一成绩充分体现了公司在信息披露领域的高度透明度和严谨性，同时也反映了公司在规范治理、合规管理方面的卓越表现，彰显了公司稳健的治理结构和对投资者负责的态度。

    （一）报告期内主要经营情况

    报告期内，随着公司技术水平的不断提高、产品成熟度以及市场对公司产品的认可度不断提升，公司业务开拓迅速，销售收入持续增长，报告期内保持持续盈利。2025年营业收入67.86亿元，2024年为56.18亿元，同比增长20.80%；2025年归属于上市公司股东的净利润13.96亿元，2024年为11.53亿元，同比增长21.05%；2025年扣除非经常性损益后的归属于上市公司股东的净利润12.20亿元，2024年为11.09亿元，同比增长10.02%；2025年末公司总资产188.95亿元，2024年末为121.28亿元，增长55.79%；2025年末归属于上市公司股东的净资产134.70亿元，2024年末为76.66亿元，增长75.71%；2025年基本每股收益为3.10元，2024年为2.64元，同比增长17.42%。

    （二）报告期内重点任务完成情况

    1、生产研发方面

    得益于中国半导体设备市场需求增长、公司在清洗设备领域竞争优势的提升以及不断开拓新的半导体设备产品，报告期内公司销售收入为678617.02万元，呈持续增长的趋势。公司产品的规模化销售是公司科技成果与产业深度融合的具体表征。公司产品研发方向符合市场趋势和需求，与产业发展深度融合。产品的研发成果取得了行业主流客户的认可，客户验证情况良好，增强了公司产品的竞争力。

    2、供应保障方面

    持续优化供应商结构，积极拓展本土优质资源，成功引入一批新供应商。扎实推进高风险物料的替代工作，并在多个关键零部件与品类上完成第二资源开发，均已实现量产或测试验证。通过有效管控，物料成本实现同比再降。同时，已完成对通用高频高风险物料的长期战略储备，增强了供应链韧性。

    3、运营管理方面

    公司在营运管理中深化关键指标管理体系，尤其聚焦生产管理、材料管理、客户技术支持和设备运行表现，精细设定一系列严苛关键考核指标，全面覆盖质量、效率、成本和安全等关键维度。公司生产运营效率持续提升，设备产量实现同比增长，并通过流程优化达到了较高的准时交付率。产能整合顺利完成，工厂全面实行数字化管理体系，智能物流系统投入运行。公司全面推进质量体系建设，强化了全员质量文化与流程闭环。安全与环保管理在项目建设中同步落实，数字化与信息安全体系持续升级。

    4、知识产权方面

    公司高度重视科技创新与知识产权保护工作，通过构建完善的知识产权管理体系，并与员工签订了《保密及知识产权保护协议》，为技术创新成果提供坚实保障，持续增强核心竞争力。2025年，公司及控股子公司共申请专利447项，比上年增长了43.73%，截至2025年末累计申请专利2087项，比上年末增长了36.76%。2025年，公司及控股子公司共获得专利权57项，截至2025年末公司及控股子公司拥有已获授予专利权533项（其中发明专利共计528项），比上年末增长了13.40%，其中境内授权专利212项，境外授权专利321项。该等在中国境内已授权的专利存在2件质押、0件司法查封等权利受限制的情形。

    5、人才建设方面

    2025年，公司人数从2002人增长到2485人，净增长483人，人数增长率为24.13%。随着公司经营规模不断扩大，公司一方面加强生产管理的人才队伍建设，不断提高生产效率，优化生产流程，培养了一批具备现代化生产管理技能的人才。另一方面，秉承技术差异化、产品平台化、客户全球化的理念，公司不断加强高端技术研发人才的引进和培养，在产品开发的过程中，不断发掘和培养更多优秀人才，维持了研发团队的稳定健康发展。

    6、内部治理方面

    公司建立了较为完善的公司内控制度和公司治理结构，报告期内，为顺应《公司法》《上市公司治理准则》的最新修订趋势，进一步提升公司治理效率与决策科学性，公司对治理结构实施了重大改革。核心举措为取消监事会，将其全部法定职权整合至董事会审计委员会（以下简称“审计委员会”），从而构建起权责更为集中的治理架构。与此配套，公司对《公司章程》及附件进行了修订，梳理更新了涉及董事会运作、内部审计、信息披露等三十余项内部治理制度、制定了《董事、高级管理人员离职管理制度》《董事和高级管理人员薪酬管理制度》等。通过系统性制度修订与制定，公司不仅确保了治理实践与最新法规的对齐，更强化了审计委员会在监督体系中的核心作用，有效提升了公司整体运作的规范性和效率。

    7、信息披露及防范内幕交易方面

    公司严格遵守《中华人民共和国证券法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》等法律法规以及监管机构的各项规定，严格执行公司《信息披露管理制度》，确保信息披露的真实、准确、完整、及时、公平。通过公司公告、业绩说明会、投资者交流会、上证E互动平台、电话会议、电子邮件等多元化渠道，全方位、多角度地保持信息披露的透明度，保障广大投资者和市场参与者能够全面、及时了解公司经营状况和发展动态。2025年6月，公司在临港成功举办“2025年投资者开放日”活动，全面展示公司生产运营、研发创新及未来发展战略，现场与投资者面对面交流，增进投资者对公司的了解与信任，取得良好反响。

    在内幕交易防范方面，公司高度重视并扎实做好内幕信息知情人登记管理工作，严格界定内幕信息范围，完善《内幕信息知情人登记制度》，强化内部信息流转管控。公司定期对董事、高级管理人员及相关员工发送禁止内幕交易的警示，强调保密义务的重要性，督促相关人员严格遵守公司股票买卖管理的规定，持续提升内幕交易风险防控水平，切实维护市场公平公正。非企业会计准则财务指标的变动情况分析及展望

    2025年度，公司剔除股份支付费用后的净利润达15.46亿元，同比增长7.05%，主要源于全球半导体行业发展活跃带来的市场机遇，特别是中国大陆市场需求强劲增长，以及公司在产品技术创新和市场拓展方面取得的显著成果。

    展望未来，在全球半导体产业链重构和本土化进程加速的背景下，公司将持续加大研发投入，深化技术创新，巩固差异化竞争优势。尽管实施股权激励计划产生的股份支付费用可能在一定程度上影响会计准则下的净利润表现，但这是吸引和留住核心人才的重要举措，有助于增强团队凝聚力和创新动力，对公司长期发展至关重要。公司将继续优化人才激励机制，在平衡短期费用影响和长期发展收益的同时，不断提升核心业务的盈利能力，持续为股东创造价值。

    三、报告期内核心竞争力分析

    (一)核心竞争力分析

    公司主要从事半导体专用设备的研发、生产和销售。

    公司通过差异化的创新和竞争，成功研发出全球首创的SAPS/TEBO兆声波清洗技术和单片槽式组合清洗技术。目前，公司的半导体清洗设备主要应用于12英寸、510×515mm的晶圆制造领域的清洗工艺，在半导体清洗设备的适用尺寸方面与国际巨头公司的类似产品不存在竞争差距。

    我们认为，受益于大陆对集成电路产业的政策支持以及本土需求的提升，未来几年公司的主要客户将保持较高强度的资本开支节奏，进而带动清洗设备在内的半导体制造设备需求保持高景气。

    (三)核心技术与研发进展

    1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况

    （1）核心技术情况

    公司的主要产品包括半导体清洗设备、半导体电镀设备和先进封装湿法设备，通过多年的技术研发，公司在上述产品领域均掌握了相关核心技术，并在持续提高设备工艺性能、产能，提升客户产品良率和降低客户成本等方面不断进行创新。这些核心技术均在公司销售的产品中得以持续应用并形成公司产品的竞争力。近年来，公司推出了多款拥有自主知识产权的新设备、新工艺。其中UltraPmaxTM等离子体增强化学气相沉积PECVD设备，该设备配置了自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性、更小的薄膜应力和更少的颗粒特性，2025年开发完成超5种新工艺。该设备及发布的前道涂胶显影设备UltraLith，这两个全新的产品系列将使公司全球可服务市场规模翻倍增加。2025年，原子层沉积炉管设备继续在客户端进行调试优化，并完成其他炉管设备新产品开发。

    国家集成电路创新中心和上海集成电路研发中心有限公司于2020年6月20日对公司的核心技术进行了评估，并出具了《关于盛美半导体设备（上海）股份有限公司核心技术的评估》，盛美上海的核心技术主要应用于半导体清洗设备、无应力抛光设备和电镀铜设备。这些核心技术均为盛美上海自主研发取得，与国内外知名设备厂商相比，部分核心技术已达到国际领先或国际先进的水平。

    公司推出的多款拥有自主知识产权的新设备、新工艺，包括立式炉管设备、涂胶显影设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备，核心技术均来源于自主研发，部分核心技术已达到国内领先或国际领先的水平。

    （2）公司的技术先进性及具体表征

    ①SAPS兆声波清洗技术

    针对传统兆声波清洗工艺中兆声波能量无法均匀控制的问题，公司开发了SAPS兆声波清洗技术。兆声波的工艺频率范围为1-3MHz，最大功率可达3W/cm2。SAPS兆声波清洗技术通过控制工艺过程中兆声波发生器和晶圆之间的相对运动，使得晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，不受晶圆翘曲的影响，并确保晶圆上每点所承受的能量在安全范围内。实验证明，SAPS兆声波清洗技术可控制晶圆表面的能量非均匀度在2%以内，实现了兆声波能量的安全可控。

    2025年，依托该技术的RCA产品工艺在客户端高端工艺验证中取得系列突破，已正式列为公司标准方案并全面推广应用。

    ②TEBO兆声波清洗技术

    随着芯片技术节点进一步缩小，以及深宽比进一步增大，图形晶圆清洗的难度变大。当芯片制造技术进一步延伸至20nm以下，以及图形结构向多层3D发展后，传统兆声波清洗难以控制气泡进行稳态空化效应，造成气泡破裂，从而产生高能微射流对晶圆表面图形结构造成损伤。

    公司自主研发的TEBO清洗设备，可适用于28nm及以下工艺图形晶圆的清洗，通过一系列快速（频率达到每秒一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将气泡控制在稳定震荡状态，而不会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构进行无损伤清洗。公司TEBO清洗设备，在器件结构从2D转换为3D的技术转移中，可应用于更为精细的具有3D结构的FinFET、DRAM和新兴3DNAND等产品，以及未来新型纳米器件和量子器件等，在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。

    ③单片槽式组合Tahoe高温硫酸清洗技术

    公司研发的单片槽式组合Tahoe高温硫酸清洗设备，此设备集成了单腔体清洗模块和槽式清洗模块，可用于12英寸晶圆生产线的前端和后道工艺，尤其可用于高温硫酸工艺。该设备综合槽式和单片技术优势，取长补短，在同一台设备中分步完成槽式清洗和单片清洗工序，既大量节省了硫酸使用量，也保证的良好的清洗效果，实现了绿色工艺，成本节约，环境友好的技术突破，解决了困扰业界多年的硫酸消耗量大的难题。

    2025年，该技术实现多项关键突破，性能指标持续优化，为高端制程规模化应用提供坚实支撑。

    ④无应力抛光技术

    公司研发的无应力抛光技术，将阴极设计为惰性金属电极，将具有金属铜膜的晶圆连接到阳极，利用电解反应过程，使晶圆上的铜膜失去电子，形成铜离子进入到电解质溶液（抛光液）中，在阴极处会有氢气生成。随着电解过程的进行，晶圆表面铜膜逐渐溶解在抛光液中，从而达到了对表面铜膜的抛光作用。

    ⑤多阳极局部电镀技术

    公司研发的多阳极局部电镀技术，可独立控制每个阳极的工作电压以及工作时区，从而控制晶圆表面的电场及电流分布，使电镀电源控制的响应时间精确控制，使在超薄籽晶层上的电镀铜膜均匀度提高，完成纳米级小孔的无孔穴填充电镀。该技术设置独立电镀液流场控制系统，单独控制向各个阳极提供电镀液，精确控制电镀腔内的流体场，独立控制晶圆切入系统，控制晶圆进入电镀液的关键参数，减少电镀时产生的缺陷。该技术配合多阳极智能电源，实现智能入水电流保护，适用于多种金属电镀应用。

    公司成功开发了拥有自主知识产权的前道铜互连电镀设备UltraECPmap，UltraECPmap+，UltraECPmap++，并已实现量产，确立了公司在本土12英寸铜互连电镀设备市场的龙头地位。

    ⑥ECP先进封装电化学电镀技术

    公司研发的ECP电化学电镀技术，主要应用于先进封装PillarBump、RDL、HDFan-Out和TSV中的铜、镍、锡银（或纯锡）、金等电镀工艺。（1）多阳极电镀技术基于多同心环阳极，并且独立控制每个阳极的工作电压以及工作时区，从而控制晶圆表面的电场及电流分布，精确到毫秒级电镀电源控制响应，使电镀铜膜均匀度提高。并且采用独立电镀液流场控制系统，单独控制向各个阳极提供电镀液，精确控制电镀腔内的流体场。第二阳极技术可以针对晶圆的notch开口区域进行精确控制；（2）脉冲电镀技术，通过周期性的输出脉冲电流，能够有效克服原有直流电镀，大电流造成添加剂参与电镀反应消耗速度大于添加剂物质传输补充的速度的瓶颈，实现更高的电流密度。针对高电流密度下的宏观脉冲电镀技术可以实现更好的共面性。

    依托上述多项核心技术，公司成功开发了先进封装电镀设备、三维TSV电镀设备和高速电镀设备，填补中国市场空白并形成批量销售。

    ⑦面板级先进封装电镀技术

    ECPap-p取得显著进展，成功进入大客户生产线进行工艺验证，在2025年3月获得国际3DInCites协会颁发的“TechnologyEnablementAward”奖项。

    ⑧面板级真空负压清洗技术

    采用独创的真空负压清洗技术解决客户难题，在客户端已经量产，并且在2025年11月获得了《GlobalSMT&Packaging》颁发的清洗设备大奖。

    ⑨Furnace立式炉管技术

    立式炉是集成电路制造过程中的关键工艺设备之一，可批式处理晶圆，按照工艺压力和应用可以分为常压炉和低压炉两类，常压炉主要完成热扩散掺杂、薄膜氧化、高温退火；低压炉主要实现不同类型的薄膜在晶圆表面的沉积工艺，主要是多晶硅、氮化硅、氧化硅等薄膜。

    公司研发的立式炉管设备可用于12英寸晶圆生产线，主要实现不同类型的薄膜在晶圆表面的沉积工艺：主要由晶圆传输模块、工艺腔体模块、气体分配模块、温度控制模块、尾气处理模块以及软件控制模块所构成，针对不同的应用和工艺需求进行设计制造，首先集中在LPCVD设备，再向氧化炉和扩散炉发展，最后逐步进入到ALD设备应用。

    公司开发的常压氧化炉和LPCVD炉管已经逐步应用于多个中国集成电路制造工厂，且逐步通过验证并正在向更多订单量发展。能达成精确薄膜控制和具备良好阶梯覆盖率的多种原子层沉积立式炉管（ALD）正在加大力度开发和陆续进入客户端验证，部分工艺完成小批量验证，正在做最后优化测试。

    ⑩涂胶显影Track技术

    公司推出前道涂胶显影UltraLithTMTrack设备，采用公司具有全球专利申请保护的垂直交叉式架构，应用于300mm前道集成电路制造工艺，可提供均匀的下降层流、高速稳定的机械手以及强大的软件系统，从而满足客户的高产出及其他特定需求。该设备支持主流光刻机接口。

    公司研发的涂胶显影Track设备已经进入客户端验证阶段，并且获得了部分工艺结果，涂胶工艺膜厚满足客户要求，显影关键尺寸CD接近工艺指标。最新研发的KrF工艺300WPHTrack设备已经于2025年9月顺利交付中国头部逻辑晶圆制造厂。

    PECVD设备工艺技术（等离子体增强化学气相沉积技术）

    公司推出的UltraPmaxTMPECVD设备，该设备配置了自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性、更小的薄膜应力和更少的颗粒特性。UltraPmaxTMPECVD设备的推出，标志着公司在前道半导体应用中进一步扩展到全新的干法工艺领域。

    国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况

    2、报告期内获得的研发成果

    截至2025年12月31日，公司及控股子公司拥有已获授予专利权的主要专利533项（其中发明专利共计528项），其中境内授权专利212项，境外授权专利321项。该等在中国境内已授权的专利存在2件质押、0件司法查封等权利受限制的情形。

    3、研发投入情况表

    研发投入总额较上年发生重大变化的原因

    研发投入合计较上年同比上升49.64%，主要是随着现有产品改进、工艺开发以及新产品和新工艺开发，相应研发物料消耗增加，聘用的研发人员人数以及支付研发人员的薪酬增加所致。研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明

    公司依据企业会计准则的规定，在研发项目满足特定条件后将相关研发投入予以资本化。本期研发投入资本化的比重较上年同期增加6.97个百分点，主要是2025年根据研发项目的进度，将满足资本化条件的研发投入予以资本化处理。

    5、研发人员情况

    研发人员构成发生重大变化的原因及对公司未来发展的影响

    报告期内，公司研发人员增加297人，较上年同比增长31.90%，其中硕士及以上学历人员增加158人，本科学历人员增加111人。研发人员数量及学历结构的不断优化，将有利于提升公司的持续创新能力，提高公司研发效率，进一步提升夯实公司核心竞争力。

    五、报告期内主要经营情况

    报告期内，公司实现营业收入67.86亿元，较上年同期增长20.80%；归属于上市公司股东的净利润为13.96亿元，较上年同期增长21.05%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为12.20亿元，较上年同期增长10.02%。

未来展望：

(一)行业格局和趋势

    1、下游市场需求带动全球半导体专用设备规模持续增长

    受益人工智能快速演进重塑半导体需求结构，半导体产业在2025年实现新一轮增长。人工智能在各类应用场景快速普及，对半导体逻辑芯片的算力及存储芯片的容量提出更高要求，驱动行业市场规模持续扩容，同时，对半导体设备技术原始创新及迭代提出更高要求。半导体专用设备市场与半导体产业景气度息息相关，其中芯片制造设备是需求最大的领域，半导体设备构成晶圆厂主要资本支出来源。根据Gartner的最新预测数据显示，在先进逻辑、存储和技术转型带动下，2026年半导体制造设备销售额有望进一步提高，约至1,385亿美元，中国大陆、中国台湾和韩国仍将是设备支出的前三大区域。

    2、国外厂商在全球半导体专用设备市场占主导，行业集中度较高

    半导体专用设备行业具有较高的技术壁垒、市场壁垒和客户认知壁垒，以美国AppliedMaterial、荷兰ASML、美国LAM、日本TEL和DNS、美国KLA等为代表的国际知名企业经过多年发展，凭借资金、技术、客户资源、品牌等方面的优势，占据了全球半导体专用设备市场的主要份额。全球范围内，美国AppliedMaterials作为最大的半导体专用设备供应商，在晶圆制造设备的核心环节热处理、镀膜设备、离子注入设备等领先全球；日本半导体设备公司更擅长制造刻蚀设备、清洗设备、涂胶设备、显影设备、测试设备等产品；荷兰ASML则在高端光刻机领域处于领先地位；美国LAM在刻蚀、清洗、电镀设备领域拥有较强的竞争优势；中国大陆的半导体专用设备企业经过多年来的快速发展，在刻蚀设备、清洗设备及封装测试设备等领域，已具备与全球行业内领先企业竞争的能力。

    3、中国大陆半导体专用设备市场规模快速发展

    随着全球半导体行业企业开展多方面竞争，中国集成电路产业持续快速发展。芯片制造行业，尤其是晶圆制造行业往往设备投资规模庞大。当前，12英寸晶圆制造项目投资以数十亿甚至百亿美元计。晶圆制造的技术复杂，工艺步骤繁多，生产所需的设备种类较多，单一设备的效率、可靠性等将直接影响整条生产线的工作效率和芯片产品的良率，因此晶圆制造企业对新设备的选择非常慎重，需要经过较长验证周期，首先确保其在技术领先性、设备可靠性上符合其要求，之后才会考虑诸如经济性等商业条件，决定是否采购，是否实际用于生产。

    近年来，随着中国对半导体产业的高度重视，中国部分半导体专用设备企业经过了十年以上的技术研发和积累，在部分技术领域陆续取得了突破，成功地通过了部分集成电路制造企业的验证，成为了制造企业的设备供应商。近年来，受益于中国晶圆厂建厂潮兴起，以及多品类半导体设备本土化的旺盛需求，中国大陆半导体设备销售额增速远高于全球平均水平，行业产值转移趋势明显。

    根据半导体行业业界统计显示的最新进展，2025年大陆国产半导体制造设备的整体市场占比已攀升至35%。这一数据不仅较2024年的25%大幅提升了10个百分点，更一举超越了此前设定的30%年度目标，显示出本土化正以超乎预期的速度全线推进。预计随着国家政策的大力支持，中国半导体企业技术水平将进一步提升，中国半导体市场在全球市场亦将维持较高的占比。综上，随着中国半导体专用设备行业部分企业的技术突破，中国半导体专用设备产业的发展进程预计将提速。展望未来，人工智能市场规模预测将来到万亿美金时代，大模型时代、高算力需求，高性能芯片和先进封装并重。集成电路产业将面临新型芯片和高端工艺的产能扩张需求，这将为半导体专用设备行业带来广阔的市场空间。

    (二)公司发展战略

    公司将努力抓住中国半导体行业的快速发展机遇，充分发挥公司已有市场地位、技术优势、工艺积累和行业经验，密切关注全球半导体专用设备行业的前沿技术，确保公司产品品质、核心技术始终处于中国行业领先地位，并奋力赶超全球领先水平。公司将在现有产品的基础上实现产品性能和技术升级，持续跟踪新兴终端市场的变化，确保公司产品与市场需求有效结合。公司自设立以来，始终坚持“技术差异化、产品平台化、客户全球化”的发展战略，专注于半导体专用设备领域，旨在以持续的研发团队建设，吸引高端专业人才，通过自主研发提升科技创新能力；通过有力的全球市场开拓，提升市场占有率；通过不断的推出差异化的新产品、新技术，提升公司的核心竞争力，扩大公司的收入和利润规模，为股东创造价值，为半导体制造商提供定制化、高性能、低消耗的工艺解决方案，来提升生产效率和产品良率。

    (三)经营计划

    公司将紧紧围绕整体发展战略，以技术创新为核心发展动力，以市场为导向，不断提高经营管理水平，通过技术突破、新产品研制开发、人才培养、市场开拓、兼并收购、内控建设等多方面工作，加强公司领先优势，加快战略项目拓展，巩固并提升市场占有率，在保持合理的毛利率的同时，扩大公司的收入规模，为客户及股东创造价值。

    1、产品研发方面

    公司将进一步深化研发管理机制与创新激励机制，构建包含中长期激励在内的多元化奖励体系，并健全创新容错机制，持续激发技术研发人员的创造力和工作热情。将持续保障研发投入的稳定增长，优化投入结构，并着力建设更高能级的研发实验平台与中试基地，为技术突破与产品创新奠定更坚实的基础。设备的研发方面，公司将继续提升2025年下半年启用的临港研发验证线的使用效率，加快公司的设备内部迭代验证的速度，进一步减少研发设备进入客户端的验证时间。公司将在持续攻关、改善现有设备核心性能的同时，大力推进模块化设计，以快速组合开发满足不同应用场景的定制化产品。与此同时，公司将加强前瞻性技术布局，规划下一代产品的平台架构。新产品开发方面，公司将建立市场与技术联动的需求洞察机制，并引入系统的技术路线图方法，与客户及合作伙伴联合定义下一代产品的技术指标与实施方案，确保新产品精准满足未来市场需求。

    2、人力资源方面

    公司将根据实际情况和未来发展规划，继续引进和培养各方面的人才，优化人才结构；公司将以技能培训体系优化与职级体系搭建为核心，系统推进人才队伍建设与结构升级。一方面，持续引进与培养符合公司战略需求的各类人才，继续增加博士、硕士生招聘比例，积极吸纳全球高端智力资源，强化人才梯队布局。另一方面，着力构建多层次、全方位的员工职业发展通道，通过完善职级评定体系与晋升机制，明确职业发展路径，实现人才有序成长与合理配置。

    在技能培训领域，公司将系统升级培训计划，整合内外部培训资源，结合课题研究、项目实践等方式，持续提升员工专业能力与综合素质。在支持员工个性化、差异化发展的同时，强化团队协作意识与合作精神，打造具备全球竞争力的高水平人才团队，为公司可持续发展提供坚实支撑。

    公司设立了项目奖金，以项目完成的质量与时间作为奖金发放的基准，激发员工的自驱力及积极性，推动公司的运营效率提升。

    此外，公司还将进一步健全长效激励机制，对表现优异的员工实施股权或期权激励，实现公司、个人与股东利益的紧密联结，持续激发人才创新活力与发展动力。

    3、市场拓展方面

    公司将立足中国大陆芯片制造企业的需求，重点面向中国大陆需求，提高现有产品在已有客户的市场占有率，加快新客户产品验证的进程，力图实现多客户、多产品同步推进验证工作。同时，公司将在已进入韩国、中国台湾地区、东南亚市场、美国的基础上，密切关注全球范围内芯片制造生产线的投产计划，紧跟全球半导体行业第一梯队的大客户，提高中国大陆以外国际市场的销售比例。

    4、合作开发方面

    在全球半导体行业竞争高度集中、技术迭代加速的产业形势下，单一企业的资源与技术边界日益凸显，有机成长与外部并购成为突破发展瓶颈的核心路径。为强化产业链韧性、保持上下游环节的完整性与协同效率，公司战略布局零部件领域的投资与孵化。形成“设备研发-零部件配套-市场应用”的良性循环，进一步巩固公司在行业中的核心竞争地位。

    5、内控建设方面

    随着公司发展规模扩张，公司经营管理水平和风险防范意识也需相应加强。2026年公司将深耕并完善公司内控制度，提高风险管控能力；规范业务流程，明确相关部门人员的职责和权限，建立“责任到人”制度；提高信息透明度和各部门运营效率，进一步加强跨部门合作，加强并提升各个部门的内控意识。有效管理内部资源，搭建适合公司发展的内部控制管理体系，确保财务报告的准确性与完整性，贴合监管部门对上市公司的要求。

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