盛美上海（688082）2025年半年度管理层讨论与分析

证券之星消息，近期盛美上海（688082）发布2025年半年度财务报告，报告中的管理层讨论与分析如下：

发展回顾：

一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明

    （一）所属行业情况

    半导体产业的发展是全球经济重要的组成部分。半导体涉及汽车电子、人工智能、服务器、芯片、专用IC、材料设备、物联网芯片、汽车MCU、晶圆、封测等多个细分行业，随着生成式人工智能技术的爆发，智能手机、AIPC等消费电子市场的复苏，以及汽车电子、物联网等下游市场需求的持续增长，对芯片产出的需求量与日俱增。目前，半导体产业链中材料、设备、制造等环节头部企业的垄断格局依然存在，但随着各国和地区对半导体产业的重视和投入增加，竞争也愈发激烈。中国集成电路产业抓住新机遇，不断发展壮大。

    公司自设立以来，始终致力于为全球集成电路行业提供领先的设备及工艺解决方案，坚持差异化国际竞争和原始创新的发展战略。通过持续的自主研发，公司进一步完善了知识产权体系，凭借丰富的技术和工艺积累，形成了平台化的半导体工艺设备布局，包括清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、前道涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备、面板级先进封装设备、后道先进封装工艺设备以及硅材料衬底制造工艺设备等。

    公司凭借深耕集成电路设备产业多年而积累的集成应用经验，掌握了成熟的核心关键工艺技术、生产制造能力与原始创新的研发能力，拥有成熟的供应链管理和制造体系，同时契合集成电路产业链中下游应用市场所需。公司凭借领先的技术和丰富的产品线，已发展成为中国大陆少数具有一定国际竞争力的半导体设备供应商，产品得到众多国内外主流半导体厂商的认可，并取得良好的市场口碑。

    报告期内，随着公司技术水平的不断提高、产品成熟度以及市场对公司产品的认可度不断提升，公司业务开拓迅速，营业收入持续增长，报告期内保持持续盈利。

    公司具有“高新技术企业”资质，被评为国家级“专精特新”小巨人企业、全国工业和信息化系统先进集体，连续多年被评为“中国半导体设备五强企业”，曾荣获首批“上海市企业重点实验室”，获得“上海市企业技术中心”、“上海市专精特新企业”、“上海市创新型企业总部”“上海市制造业单项冠军企业”和“浦东新区突出贡献企业”等荣誉，“SAPS兆声波清洗技术”荣获2020年度上海市科技进步奖一等奖，同年被评为上海市专利示范企业，2022年获浦东新区大企业开放创新中心（GOI）挂牌。

    （二）公司主营业务情况

    1.主要业务

    公司从事对集成电路制造与先进晶圆级封装制造行业至关重要的单晶圆及槽式湿法清洗设备、电镀设备、无应力抛光设备、立式炉管设备和前道涂胶显影设备和等离子体增强化学气相沉积设备等的研发、制造和销售，并致力于为半导体制造商提供定制化、高性能、低消耗的工艺解决方案，有效提升客户多个步骤的生产效率、产品良率，并降低生产成本。

    2.主要产品

    公司经过多年持续的研发投入和技术积累，先后开发了前道半导体工艺设备，包括清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备、面板级先进封装设备；后道先进封装工艺设备以及硅材料衬底制造工艺设备等。

    （1）前道半导体工艺设备

    ①清洗设备

    A.SAPS兆声波单片清洗设备

    晶圆表面的兆声波能量与晶圆和兆声波发生器之间的距离呈现周期性的变化。在传统的兆声波清洗工艺中，不同工序后应力带来的晶圆翘曲，使得晶圆上不同点到兆声波发生器的距离不同，因此晶圆上不同位置的兆声波能量也不相同，无法实现兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。而且由于硬件位置控制的误差，也会造成兆声波能量在晶圆表面分布的不均匀。

    公司自主研发的SAPS兆声波技术采用扇形兆声波发生器，通过精确匹配晶圆旋转速度、液膜厚度、兆声波发生器的位置、交变位移及能量等关键工艺参数，通过在工艺中控制兆声波发生器和晶圆之间的半波长范围的相对运动，使晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，从而很好的控制了兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。

    B.TEBO兆声波单片清洗设备

    公司自主研发的TEBO清洗设备，可适用于28nm及以下的图形晶圆清洗，通过一系列快速（频率达到每秒一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将气泡控制在稳定震荡状态，而不会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构进行无损伤清洗。公司TEBO清洗设备，在器件结构从2D转换为3D的技术转移中，可应用于更为精细的具有3D结构的FinFET、DRAM和新兴3DNAND等产品，以及未来新型纳米器件和量子器件等，在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。

    公司通过自主研发并具有全球知识产权保护的SAPS和TEBO兆声波清洗技术，解决了兆声波技术在集成电路单片清洗设备上应用时，兆声波能量如何在晶圆上均匀分布及如何实现图形结构无损伤的全球性难题。为实现产能最大化，公司单片清洗设备可根据客户需求配置多个工艺腔体，最高可单台配置18腔体，有效提升客户的生产效率。

    C.高温单片SPM设备

    随着技术节点推进，工艺温度要求在150摄氏度以上，甚至超过200摄氏度的SPM工艺步骤逐渐增加。高剂量离子注入后的光刻胶去除、无灰化步骤的纯湿法去胶工艺，以及特殊的金属膜层刻蚀或剥离，都对SPM的温度提出了更高的要求。公司的新型单片高温SPM设备使用独特的多级梯度加热系统来预热硫酸，然后将硫酸与过氧化氢混合以达到超高温。同时，公司的腔体支持配置其他多种化学品，并配备在线化学品混酸（CIM）系统，可用于动态设置工艺中的化学品配比及温度。该腔体配置还可支持更多的化学品和灵活的辅助清洗方案，比如公司独有的专利技术SAPS和TEBO兆声波技术。该设备可支持300mm晶圆单片SPM（硫酸和过氧化氢混合酸）工艺，可广泛应用于逻辑、DRAM和3D-NAND等集成电路制造中的湿法清洗和刻蚀工艺，尤其适合处理高剂量离子注入后的光刻胶（PR）去除工艺，以及金属刻蚀和剥离工艺。单片中低温SPM清洗设备在多家客户端实现量产26nm颗粒数量少于10颗，平均颗粒数量少于5颗。高温（硫酸温度大于170摄氏度）SPM装入盛美的专利申请保护的喷嘴技术，可以有效改善清洗腔的氛围，大幅减少清洗腔的清洗频度，增加运行时间，实现26纳米小颗粒数量少于10颗，平均颗粒数量少于5颗。

    D.单片槽式组合清洗设备

    公司自主研发的具有全球知识产权保护的Tahoe清洗设备在单个湿法清洗设备中集成了两个模块：槽式模块和单片模块。Tahoe清洗设备可被应用于光刻胶去除、刻蚀后清洗、离子注入后清洗和机械抛光后清洗等几十道关键清洗工艺中。Tahoe清洗设备的清洗效果与工艺适用性可与单片中低温SPM清洗设备相媲美。该设备通过减少高达75%的硫酸消耗量，仅硫酸一项每年就可节省高达数十万美元的成本，帮助客户降低生产成本又能更好符合国家节能减排政策。该设备具备强大的清洗能力，在26nm颗粒测试中实现了平均颗粒个位数的标准，可满足高端制造的严格要求。

    E.单片背面清洗设备

    公司研发的单片背面清洗设备采用伯努利卡盘，应用空气动力学悬浮原理，使用机械手将晶圆送入腔体后，使晶背朝上，晶圆正面朝下，在工艺过程中，精准流量控制的高纯氮气通过晶圆与卡具之间的空隙。同时，该设备还可精准控制晶圆边缘回刻宽度，做到zeroundercut控制。该设备可用于背面金属污染清洗及背面刻蚀等核心工艺。

    F.边缘湿法刻蚀设备

    该设备支持多种器件和工艺，包括3DNAND、DRAM和逻辑工艺，使用湿法刻蚀方法去除晶圆边缘的各种电介质、金属和有机材料薄膜，以及颗粒污染物。这种方法最大限度地减少了边缘污染对后续工艺步骤的影响，提高了芯片制造的良率，同时整合背面晶圆清洗的功能，进一步优化了工艺和产品结构。

    G.前道刷洗设备

    设备采用单片腔体对晶圆正背面依工序清洗，可进行包括晶圆背面刷洗、晶圆边缘刷洗、正背面二流体清洗等清洗工序；设备占地面积小，产能高，稳定性强，多种清洗方式灵活可选。该设备可用于集成电路制造流程中前段至后段各道刷洗工艺。

    H.全自动槽式清洗设备

    公司开发的全自动槽式清洗设备广泛应用于集成电路领域和先进封装领域的清洗、刻蚀、光刻胶去除等工艺，采用纯水、碱性药液、酸性药液作为清洗剂，与喷淋、热浸、溢流和鼓泡等清洗方式组合，再配以常压IPA干燥技术及低压IPA干燥技术，能够同时清洗50片晶圆。该设备自动化程度高，设备稳定性好，清洗效率高，金属、材料及颗粒的交叉污染低。该设备主要应用于40nm及以上技术节点的几乎所有清洗工艺步骤。

    ②半导体电镀设备

    A.前道铜互连电镀铜设备

    公司自主开发针对28nm及以下技术节点的IC前道铜互连镀铜技术UltraECPmap。公司的多阳极局部电镀技术采用新型的电流控制方法，实现不同阳极之间毫秒级别的快速切换，可在超薄籽晶层上完成无空穴填充，同时通过对不同阳极的电流调整，在无空穴填充后实现更好的片内薄膜沉积均匀性，可满足各种工艺的镀铜需求。

    B.三维堆叠电镀设备

    应用于填充3d硅通孔TSV和2.5D转接板的三维电镀设备UltraECP3d。基于盛美半导体电镀设备的平台，该设备可为高深宽比（深宽比大于10:1）铜应用提供高性能、无孔洞的镀铜功能。该设备为提高产能而设计了堆叠式腔体，能减少消耗品的使用，降低成本，节省设备使用面积。

    C.新型化合物半导体电镀设备

    UltraECPGIII新型化合物半导体电镀设备已实现量产，在深孔镀金工艺中表现优异，台阶覆盖率在同样工艺参数条件下优于竞争对手水平；同时公司开发了去镀金技术并实现模块销售。

    ③立式炉管系列设备

    公司研发的立式炉管设备主要包括低压化学气相沉积炉、氧化退火炉、合金炉和原子层沉积炉，公司炉管产品已经进入多个中国集成电路晶圆制造厂，已通过验证并大量量产。其中等离子体增强原子层沉积炉管已进入中国2家集成电路晶圆制造厂，正在做更新优化和为量产准备。

    ④前道涂胶显影Track设备

    公司的前道涂胶显影UltraLithTMTrack设备是一款应用于300毫米前道集成电路制造工艺的设备，可提供均匀的下降气流、高速稳定的机械手以及强大的软件系统，从而满足客户的特定需求。该设备功能多样，能够降低产品缺陷率，提高产能，节约总体拥有成本（COO）。涂胶显影Track设备支持主流光刻机接口，支持包括i-line、KrF和ArF系统在内的各种光刻工艺，可确保满足工艺要求的同时，让晶圆在光刻设备中曝光前后的涂胶和显影步骤得到优化。

    ⑤等离子体增强化学气相沉积PECVD设备

    公司的等离子体增强化学气相沉积UltraPmaxTMPECVD设备配置自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性、更优化的薄膜应力和更少的颗粒特性。

    ⑥无应力铜互连平坦化设备

    公司的无应力抛光设备将无应力抛光技术SFP(Stress-Free-Polish)与低下压力化学机械平坦化技术CMP相结合，集成创新了低k/超低k介电质铜互连平坦化Ultra-SFP抛光集成系统，集合二者优点，利用低下压力化学机械抛光先将铜互联结构中铜膜抛至150nm厚度，再采用无应力抛光SFP的智能抛光控制技术将抛光进行到阻挡层，最后采用公司自主开发的热气相刻蚀技术，将阻挡层去除。无应力抛光设备应用于铜低k/超低k互连结构有诸多优点：其一，依靠抛光自动停止原理，平坦化工艺后凹陷更均匀及精确可控；其二，工艺简单，采用环保的可以循环使用的电化学抛光液，没有抛光垫，研磨液等，耗材成本降低50%以上；对互联结构中金属层和介质层无划伤及机械损伤。

    ⑦新型化合物半导体刻蚀设备

    公司推出了6/8寸化合物半导体湿法工艺产品线，以支持化合物半导体领域的工艺应用，包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)等。

    （2）后道先进封装工艺设备

    ①先进封装电镀设备

    公司在半导体先进封装领域进行差异化开发，解决了在更大电镀液流量下实现平稳电镀的难题。采用独创的第二阳极电场控制技术更好地控制晶圆平边或缺口区域的膜厚均匀性控制，实现高电流密度条件下的电镀，凸块产品的各项指标均满足客户要求。在针对高密度封装的电镀领域可以实现2μm超细RDL线的电镀以及包括铜、镍、锡、银和金在内的各种金属层电镀。自主开发的橡胶环密封专利技术可以实现更好的密封效果。

    ②涂胶设备

    公司的升级版8/12寸兼容的涂胶设备，用于晶圆级封装领域的光刻胶和Polyimide涂布、软烤及边缘去除。涂胶腔内采用了公司特有的全方位无死角自动清洗技术，可缩短设备维护时间。涂胶腔内可兼容两种光刻胶类型。这款升级版涂胶设备对盛美原有的涂胶设备性能和外观都进行了优化升级，可实现热板抽屉式抽出，方便维修及更换，并且能精确复位，有效保障工序运行。

    ③显影设备

    公司的UltraCdv显影设备可应用于晶圆级封装，是WLP光刻工艺中的步骤。设备可进行曝光后烘烤、显影和坚膜等关键步骤。设备具备灵活的喷嘴扫描系统，精准的药液流量和温度控制系统，更低的成本控制，技术领先，使用便捷。

    ④湿法刻蚀设备

    公司的湿法刻蚀设备使用化学药液进行晶圆球下金属层（UBM）的刻蚀工艺。该设备具备领先的喷嘴扫描系统，可提供行业领先的化学温度控制、刻蚀均匀性。该设备专注安全性，并且拥有药液回收使用功能从而减少成本，刻蚀腔内可兼容至多三种刻蚀药液单独使用及回收，提高使用效率。

    ⑤湿法去胶设备

    公司的UltraCpr湿法去胶设备设计高效、控制精确，提升了安全性，提高了WLP产能。该设备将湿法槽式浸洗与单片晶圆清洗相结合，单片腔可实现高压去胶及常压去胶，也可单独使用。去胶平台能够在灵活控制清洗的同时，最大限度地提高效率，也可与公司专有的SAPS兆声波清洗设备一同使用，以清除极厚或者极难去除的光刻胶涂层。

    ⑥金属剥离设备

    公司的湿法金属剥离（MetalLiftoff）设备基于公司已有的湿法去胶设备平台，将槽式去胶浸泡模块与单片清洗腔体串联起来依序使用，在去胶的同时进行金属剥离。该设备可以在不同单片清洗腔中分别配置去胶功能和清洗功能，并通过优化腔体结构，实现易拆卸、清洗与维护，以解决金属剥离工艺中残留物累积的问题。

    ⑦无应力抛光先进封装平坦化设备

    公司拓展开发适用于先进封装3D硅通孔及2.5D转接板中金属铜层平坦化工艺应用，为了解决工艺成本高和晶圆翘曲大的难点，利用无应力抛光的电化学抛光原理，相对比传统化学机械平坦化CMP，没有研磨液、抛光头和抛光垫，仅使用可循环使用的电化学抛光液；并且不受铜层是否经过退火的影响，去除率稳定；通过与CMP工艺整合，先采用无应力抛光将晶圆铜膜减薄至小于0.5μm-0.2μm厚度，再退火处理，最后CMP工艺的解决方案，能够有效解决CMP工艺存在的技术和成本瓶颈。

    ⑧带铁环晶圆的湿法清洗设备

    公司已经研发出可以应用于带铁环晶圆（tape-framewafer）的湿法清洗设备，采用公司自主研发的chuck设计和腔体结构，可以支持不同尺寸铁环，可以用于清洗解键合工艺后的胶残留，清洗效果完全满足生产需求，提升工艺制程的良率。

    ⑨聚合物清洗设备

    聚合物清洗设备使用相关有机溶剂清洗干法刻蚀后的聚合物残留，主要应用于2.5D/3D等先进封装工艺。聚合物清洗设备腔体可兼容两种有机溶剂，同时配备二流体清洗功能。聚合物清洗工艺过程中药液需要Dosing功能以保证清洗能力，该设备具有领先的Dosing功能，可根据工艺时间、药液使用时间和有机溶液浓度控制等灵活进行Dosing设定，保证清洗能力。

    ⑩TSV清洗设备

    TSV清洗设备主要应用于2.5D/3D等先进封装工艺中，TSV工艺中孔内会有聚合物残留，可选择使用高温硫酸与双氧水混合液进行清洗。TSV清洗设备具有高效的温度控制能力，可控制Wafer表面清洗时温度在170℃高温。清洗后还可搭配公司专有的SAPS兆声波清洗设备一同使用，保证TSV孔内的清洗效果。

    ?背面清洗/刻蚀设备

    背面清洗/刻蚀设备可用于介质层清洗和刻蚀、以及常规硅刻蚀工艺。背洗和背刻设备可通过手臂翻转或者单独的翻转单元进行翻转，腔体使用伯努利原理通过氮气支撑Wafer进行工艺，在完美保护Wafer正面不受影响的情况下进行背面清洗和刻蚀工艺。

    ?键合胶清洗设备

    键合胶清洗设备主要用于2.5D/3D工艺中键合胶的去除，涉及到Wafer边缘键合胶去除及正面键合胶去除。设备配备单独的二流体EBR喷嘴，可用于去除Wafer边缘键合胶；正面只用3根二流体喷嘴，可搭配组合使用或单独使用，具有高效的去除效率；同时药液可进行回收以减少成本。

    ?带框晶圆清洗设备

    公司的带框晶圆清洗设备可在同一腔体中同时完成清洗和干燥工艺，实现高效清洗和干燥。公司自研的处理技术使该设备能够处理厚度小于150微米的薄晶圆。这款设备可在脱粘后的清洗过程中有效清洗半导体晶圆，其创新溶剂回收系统具有显著的环境与成本效益，该功能可实现近100%的溶剂回收和过滤效果，进而减少生产过程中化学品用量。

    （3）硅材料衬底制造工艺设备

    ①化学机械研磨后（Post-CMP）清洗设备

    公司的CMP后清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬底的制造。这款设备在CMP步骤之后，使用稀释的化学药液对晶圆正背面及边缘进行刷洗及化学清洗，以控制晶圆的表面颗粒和金属污染，该设备也可以选配公司独有的兆声波清洗技术。并且这款设备有湿进干出（WIDO）和干进干出（DIDO）两种配置，可以选配2、4或6个腔体，以满足不同产能需求。

    ②FinalClean清洗设备

    公司的FinalClean清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬底制造。这款设备在PreClean步骤之后，使用稀释的化学药液同时结合公司独有的兆声波清洗技术对晶圆正背面进行化学清洗，以控制晶圆表面颗粒和金属污染。该设备适用于6寸、8寸或12寸晶圆清洗，并且可以选配4腔体、8腔体或12腔体，以满足不同产能需求。

    （4）面板级先进封装设备

    ①面板级先进封装负压清洗设备

    面板级先进封装负压清洗设备主要用于更小pitch以及更小的SOH芯片的助焊剂清洗，在2.5D/3D封装应用效果优势明显。专为面板而设计，该面板材料可以是有机材料或者玻璃材料。该设备可处理510x515毫米和600x600毫米的面板以及高达10毫米的面板翘曲。

    ②面板级先进封装边缘刻蚀设备

    该设备专为面板衬底而设计，可与有机面板、玻璃面板和粘合面板兼容。该设备能有效管理面板的正面和背面，适用尺寸由510mmx515mm至600mmx600mm不等，厚度在0.5mm至2mm之间。该设备可处理最大10mm的翘曲，确保最佳工艺条件。该设备专为铜相关工艺中的边缘刻蚀和清洗而设计，能够同时处理面板的正面和背面的边缘刻蚀，显著提升了工艺效率和产品可靠性。

        二、经营情况的讨论与分析

    2025年半导体产业在全球范围内呈现出持续向好发展态势，同时中国半导体市场也展现出积极的发展趋势。随着当前中国半导体企业的大力投资与扩张，半导体产业实现了快速发展，并在全球半导体产业链中占据了越来越重要的地位。

    公司自设立以来，始终坚持差异化国际竞争和原始创新的发展战略，通过自主研发，建立了较为完善的知识产权体系，凭借丰富的技术和工艺积累，形成了具有国际领先的半导体清洗系列设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、前道涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备、面板级先进封装设备、后道先进封装工艺设备以及硅材料衬底制造工艺设备等领先技术和产品线，致力于为全球集成电路行业提供领先的设备及工艺解决方案。

    公司在集成电路设备领域多年发展，积累了深厚的集成应用经验，掌握了成熟的核心关键工艺技术、生产制造能力及原始创新能力，并建立了完善的供应链管理和制造体系，能够有效契合产业链中下游应用市场需求。凭借领先的技术实力与丰富的产品组合，公司已成长为中国大陆具备一定国际竞争力的半导体设备供应商之一，其产品获得了众多国内外主流半导体厂商的认可。报告期内，伴随技术水平持续提升、产品成熟度增强及市场认可度提高，公司业务拓展成效显著，营业收入实现持续增长，并保持稳定的盈利能力。

    （一）报告期内主要经营情况

    报告期内，公司实现营业收入32.65亿元，较上年同期增长35.83%；归属于上市公司股东的净利润为6.96亿元，较上年同期增长56.99%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为6.74亿元，较上年同期增长55.17%。

    1、生产研发方面

    报告期内，通过与全球一线半导体企业的深度协作，精准把握前沿市场需求，技术与产品竞争力得到全面提升。在巩固现有客户关系的同时，公司积极拓展新客户资源，市场基础愈加稳固。公司“盛美半导体设备研发与制造中心”于2025年6月达到预定可使用状态，显著提升了公司生产效能与规模，构建了国际一流的研发环境与创新生态，为核心技术攻关提供持久动力，并为支撑业务的快速发展并保障未来订单的及时交付了提供坚实保障。

    公司的核心产品线在报告期内市场表现卓越，技术创新成果显著。在半导体清洗设备领域，据Gartner统计，公司全球市场占有率达8.0%（位居全球第四）。根据部分中国厂商统计，公司单片清洗设备中国市场占有率超30%，在国内外全部清洗设备供应商中，中国市场占比位列第二；2025年3月，公司自主研发的单晶圆高温SPM设备已成功通过关键客户验证，该工艺对下一代半导体器件制造具备重要价值。在半导体电镀设备领域，公司全球市场占有率达8.2%（位列全球第三）。报告期内，公司ECP设备第1500电镀腔完成交付，实现电镀技术全领域覆盖（前道铜互连/后道晶圆级封装/3D堆叠/化合物半导体）。同期，公司自主研发的面板级水平电镀设备荣获美国3DInCites协会颁发的“TechnologyEnablementAward”。

        公司通过持续的研发投入和长期的技术、工艺积累，在新产品开发、生产工艺改进等方面形成了一系列科技成果，对公司持续提升产品品质、丰富产品布局起到了关键性的作用。公司取得的科技成果是公司竞争力的重要组成部分，亦是公司产品销售规模得以持续增长的基础。报告期内，公司实现营业收入32.65亿元，呈持续增长态势。公司主要产品在行业主流客户的规模化销售与高度认可，是公司科技成果与产业发展趋势深度融合的有力证明，为公司长期、健康发展奠定了坚实基础。

    2.供应保障方面

    公司持续加强客户沟通，做好标准机型的销售预测及零部件安全库存，优化设备交付周期；为了应对国际供应链复杂性及多变性，进一步推进零部件多元化及国产化，提升供应链柔性，更好地满足市场及客户需求。

    3.运营管理方面

    公司在运营管理中涵盖了多个方面，包括计划管理、生产管理、供应链开发及优化管理、质量管理、安全环境管理、信息化管理、人力资源管理、法务管理、IP管理、仓库管理。在生产和物料方面、客户技术支持和设备运行表现方面设定了一系列的关键考核指标，覆盖了质量、效率、成本和安全等众多方面。公司定期跟踪各项指标的执行情况，并根据统计结果和客户反馈进行内部讨论，制定出关键指标的改进要求。报告期内，公司营运效率持续提高，生产制造缺陷率持续下降、设备交付按时率保持在较高水准、物料成本控制等指标达到预期水平。

    4.知识产权方面

    公司高度重视科技创新和知识产权保护工作，并与员工签订了《保密及知识产权保护协议》。

    截至2025年6月30日，公司及控股子公司累计申请专利共计1800项，已获授予的专利权为494项。在已授权的专利中，发明专利占据绝大多数，共计489项。从地区上看，境内授权专利189项，境外授权专利305项，境外与境内授权专利比例高达1.6:1，在同行企业中名列前茅。报告期内，公司新增专利申请230项，其中发明专利申请高达229项，彰显了公司源源不断的强劲创新活力。

    5.人才建设方面

    公司将持续深化人才发掘机制，保障团队稳定健康发展。中层管理团队主要来源于内部基层体系培养，注重能力素质与职业品格的同步提升，其中包括部分学历背景有限但专业技能精湛、具备工匠精神的特殊人才。针对此类核心人才，公司提供具有市场竞争力的薪酬及股权激励，并委任至关键岗位，从而构建积极进取、良性竞争的组织氛围。

    伴随人员规模持续扩张，公司正系统性强化多层级人才培养。模式创新：建立多元化培训机制，形成人才开发与梯队建设的正向循环；机制完善：通过优化培训激励体系与提升管理效能，有效促进员工专业能力提升与学习主动性。

    6.内部治理方面

     报告期内，为顺应《公司法》的最新修订趋势，进一步提升公司治理效率与决策科学性，公司对治理结构实施了重大改革。核心举措为取消监事会，将其全部法定职权整合至董事会审计委员会（以下简称“审计委员会”），从而构建起权责更为集中的治理架构。与此配套，公司对《公司章程》及附件进行了修订，并梳理更新了涉及董事会运作、内部审计、信息披露等二十余项内部治理制度。通过本次系统性制度修订与制定，公司不仅确保了治理实践与最新法规的对齐，更强化了审计委员会在监督体系中的核心作用，有效提升了公司整体运作的规范性和效率。

    7.信息披露及防范内幕交易方面

    报告期内，公司严格遵守法律法规及监管机构的各项规定，确保信息披露真实、准确、完整、及时、公平，通过公司公告、业绩说明会、投资者交流会、上证e互动平台、电话会议、电子邮件等多元化渠道，全方位、多角度保持信息披露的透明度，保障投资者和市场参与者全面、及时了解公司经营情况及发展动态。2025年6月，公司在临港成功举办“2025年投资者开放日”活动，全面展示公司生产运营、研发创新及未来发展战略，现场与投资者面对面交流，增进投资者对公司的了解与信任，取得良好反响。

    在内幕交易防范方面，公司高度重视并扎实做好内幕信息知情人登记管理工作，严格界定内幕信息范围，完善知情人登记制度，强化内部信息流转管控。定期对董事、监事、高级管理人员及相关员工发送禁止内幕交易的警示，强调保密义务的重要性，督促相关人员严格遵守公司股票买卖管理规定，持续提升内幕交易风险防控水平，切实维护市场公平公正。

    三、报告期内核心竞争力分析

    (一)核心竞争力分析

    公司主要从事半导体专用设备的研发、生产和销售，公司兆声波单片清洗设备、单片槽式组合清洗设备、铜互连电镀工艺设备及与中国及国际同行业企业的差别及核心竞争力。

    公司通过差异化的创新和竞争，成功研发出全球首创的SAPS/TEBO兆声波清技术和单片槽式组合清洗技术。目前，公司的半导体清洗设备主要应用于12英寸的晶圆制造领域的清洗工艺，在半导体清洗设备的适用尺寸方面与国际巨头公司的类似产品不存在竞争差距。

    我们认为，受益于大陆对集成电路产业的政策支持以及本土需求的提升，未来几年公司的主要客户将保持较高强度的资本开支节奏，进而带动清洗设备在内的半导体制造设备需求保持高景气。

        (三)核心技术与研发进展

    1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况

    （1）核心技术情况

    公司的主要产品包括半导体清洗设备、半导体电镀设备和先进封装湿法设备，通过多年的技术研发，公司在上述产品领域均掌握了相关核心技术，并在持续提高设备工艺性能、产能，提升客户产品良率和降低客户成本等方面不断进行创新。这些核心技术均在公司销售的产品中得以持续应用并形成公司产品的竞争力。近年来，公司推出了多款拥有自主知识产权的新设备、新工艺。其中UltraPmaxTM等离子体增强化学气相沉积PECVD设备，2024年第三季度向中国的一家集成电路客户交付其首台PECVD设备，验证TEOS及SiN工艺。该设备及发布的前道涂胶显影设备UltraLith，这两个全新的产品系列将使公司全球可服务市场规模翻倍增加。2024年炉管设备继续推出新技术产品，包括两款新型ALD炉管，并开始进入工艺验证阶段，进一步强化公司在炉管设备上的竞争力。

    国家集成电路创新中心和上海集成电路研发中心有限公司于2020年6月20日对公司的核心技术进行了评估，并出具了《关于盛美半导体设备（上海）股份有限公司核心技术的评估》，盛美上海的核心技术主要应用于半导体清洗设备、无应力抛光设备和电镀铜设备。这些核心技术均为盛美上海自主研发取得，与国内外知名设备厂商相比，部分核心技术已达到国际领先或国际先进的水平。

    公司推出的多款拥有自主知识产权的新设备、新工艺，包括立式炉管设备、涂胶显影设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备，核心技术均来源于自主研发，部分核心技术已达到国内领先或国际领先的水平。

    （2）公司的技术先进性及具体表征

    ①SAPS兆声波清洗技术

    针对传统兆声波清洗工艺中兆声波能量无法均匀控制的问题，公司开发了SAPS兆声波清洗技术。兆声波的工艺频率范围为1-3MHz，最大功率可达3W/cm2。SAPS兆声波清洗技术通过控制工艺过程中兆声波发生器和晶圆之间的相对运动，使得晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，不受晶圆翘曲的影响，并确保晶圆上每点所承受的能量在安全范围内。实验证明，SAPS兆声波清洗技术可控制晶圆表面的能量非均匀度在2%以内，实现了兆声波能量的安全可控。

    ②TEBO兆声波清洗技术

    随着芯片技术节点进一步缩小，以及深宽比进一步增大，图形晶圆清洗的难度变大。当芯片制造技术进一步延伸至20nm以下，以及图形结构向多层3D发展后，传统兆声波清洗难以控制气泡进行稳态空化效应，造成气泡破裂，从而产生高能微射流对晶圆表面图形结构造成损伤。

    公司自主研发的TEBO清洗设备，可适用于28nm及以下工艺图形晶圆的清洗，通过一系列快速（频率达到每秒一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将气泡控制在稳定震荡状态，而不会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构进行无损伤清洗。公司TEBO清洗设备，在器件结构从2D转换为3D的技术转移中，可应用于更为精细的具有3D结构的FinFET、DRAM和新兴3DNAND等产品，以及未来新型纳米器件和量子器件等，在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。

    ③单片槽式组合Tahoe高温硫酸清洗技术

    公司研发的单片槽式组合Tahoe高温硫酸清洗设备，此设备集成了单腔体清洗模块和槽式清洗模块，可用于12英寸晶圆生产线的前端和后道工艺，尤其可用于高温硫酸工艺。综合了槽式和单片的优势，取长补短，在同一台设备中分步完成槽式清洗和单片清洗工序，既大量节省了硫酸使用量，也保证的良好的清洗效果，实现了绿色工艺，成本节约，环境友好的技术突破，解决了困扰业界多年的硫酸消耗量大的难题。2024年UltraCTahoe通过升级取得重要性能突破，升级版UltraCTahoe的新功能和优势如下：

    ?更强的颗粒去除性能：Tahoe平台具备更强大的清洗能力，在26nm颗粒测试中实现了平均颗粒个位数的标准，满足高端制造的严格要求。该设备未来会增加更精密的微粒过滤系统，能够去除1x纳米的微粒，可用于行业领先的逻辑和内存应用。

    ?更高的产能：升级后的槽式模块和多个单晶圆腔体每小时产能超过200片晶圆，可与12腔体单片SPM系统媲美。

    ④无应力抛光技术

    公司研发的无应力抛光技术，将阴极设计为惰性金属电极，将具有金属铜膜的晶圆连接到阳极，利用电解反应过程，使晶圆上的铜膜失去电子，形成铜离子进入到电解质溶液（抛光液）中，在阴极处会有氢气生成。随着电解过程的进行，晶圆表面铜膜逐渐溶解在抛光液中，从而达到了对表面铜膜的抛光作用。

    ⑤多阳极局部电镀技术

    公司研发的多阳极局部电镀技术，可独立控制每个阳极的工作电压以及工作时区，从而控制晶圆表面的电场及电流分布，使电镀电源控制的响应时间精确控制，使在超薄籽晶层上的电镀铜膜均匀度提高，完成纳米级小孔的无孔穴填充电镀。该技术设置独立电镀液流场控制系统，单独控制向各个阳极提供电镀液，精确控制电镀腔内的流体场，独立控制晶圆切入系统，控制晶圆进入电镀液的关键参数，减少电镀时产生的缺陷。该技术配合多阳极智能电源，实现智能入水电流保护，适用于多种金属电镀应用。

    公司成功开发了拥有自主知识产权的前道铜互连电镀设备UltraECPmap，UltraECPmap+，UltraECPmap++，并已实现量产，确立了公司在本土12英寸铜互连电镀设备市场的龙头地位。

    ⑥ECP先进封装电化学电镀技术

    公司研发的ECP电化学电镀技术，主要应用于先进封装PillarBump、RDL、HDFan-Out和TSV中的铜、镍、锡银（或纯锡）、金等电镀工艺。（1）多阳极电镀技术基于多同心环阳极，并且独立控制每个阳极的工作电压以及工作时区，从而控制晶圆表面的电场及电流分布，精确到毫秒级电镀电源控制响应，使电镀铜膜均匀度提高。并且采用独立电镀液流场控制系统，单独控制向各个阳极提供电镀液，精确控制电镀腔内的流体场。第二阳极技术可以针对晶圆的notch开口区域进行精确控制；（2）脉冲电镀技术，通过周期性的输出脉冲电流，能够有效克服原有直流电镀，大电流造成添加剂参与电镀反应消耗速度大于添加剂物质传输补充的速度的瓶颈，实现更高的电流密度。针对高电流密度下的宏观脉冲电镀技术可以实现更好的共面性。

    依托上述多项核心技术，公司成功开发了先进封装电镀设备、三维TSV电镀设备和高速电镀设备，填补中国市场空白并形成批量销售。

    ⑦Furnace立式炉管技术

    立式炉是集成电路制造过程中的关键工艺设备之一，可批式处理晶圆，按照工艺压力和应用可以分为常压炉和低压炉两类，常压炉主要完成热扩散掺杂、薄膜氧化、高温退火；低压炉主要实现不同类型的薄膜在晶圆表面的沉积工艺，主要是多晶硅、氮化硅、氧化硅等薄膜。

    公司研发的立式炉管设备可用于12英寸晶圆生产线，主要实现不同类型的薄膜在晶圆表面的沉积工艺：主要由晶圆传输模块、工艺腔体模块、气体分配模块、温度控制模块、尾气处理模块以及软件控制模块所构成，针对不同的应用和工艺需求进行设计制造，首先集中在LPCVD设备，再向氧化炉和扩散炉发展，最后逐步进入到ALD设备应用。

    公司开发的常压氧化炉和LPCVD炉管已经逐步应用于多个中国集成电路制造工厂，且逐步通过验证并正在向更多订单量发展。能达成精确薄膜控制和高均匀度的多种原子层沉积立式炉管（ALD）正在加大力度开发和陆续进入客户端验证。

    ⑧涂胶显影Track技术

    公司推出前道涂胶显影UltraLithTMTrack设备，采用公司具有全球专利申请保护的垂直交叉式架构，应用于300毫米前道集成电路制造工艺，可提供均匀的下降层流、高速稳定的机械手以及强大的软件系统，从而满足客户的高产出及其他特定需求。该设备支持主流光刻机接口。

    公司研发的涂胶显影Track设备已经进入客户端验证阶段，并且获得了部分工艺结果，涂胶工艺膜厚满足客户要求，显影关键尺寸CD接近工艺指标。最新研发的KrF工艺300WPHTrack设备整机内部测试完成。

    ⑨PECVD设备工艺技术（等离子体增强化学气相沉积技术）

    公司推出的UltraPmaxTMPECVD设备配置了自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性、更小的薄膜应力和更少的颗粒特性。UltraPmaxTMPECVD设备的推出，标志着公司在前道半导体应用中进一步扩展到全新的干法工艺领域。

    基于UltraPmaxTMPECVD设备平台基础上进行了改进，更好地兼顾了薄膜沉积的均匀性及设备的多应用兼容性，全新设计大幅缩减设备占地面积，有效节省产线部署空间；在超薄薄膜沉积工艺中表现卓越。

        2、报告期内获得的研发成果

    截至2025年6月30日，公司及控股子公司拥有已获授予专利权的主要专利494项（其中发明专利共计489项），其中境内授权专利189项，境外授权专利305项。该等在中国境内已授权的专利存在2件质押，不存在司法查封等权利受限制的情形。

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。