（以下内容从招银国际《半导体：湾芯展2026论坛交流总结》研报附件原文摘录）
湾芯展2026于10月14日至16日在深圳举办。我们梳理了参与的十个论坛近70场演讲，聚焦六个产业方向。我们观察到：1）产业关注点正从AI算力单芯片性能转向系统级效率，Token成本与响应时延成为客户采购的核心指标；2）800V高压直流供电已获产业链一致支持，散热与翘曲成为先进封装可靠性的主要难题；3）超节点、混合键合与8英寸SiC已进入产业导入阶段；4）CPO与玻璃基板的量产节奏仍存在不确定性，与会产业方预计CPO于2027-28年前后量产。我们认为，高压直流供电与散热、存储新方向（分层存储与内存扩展）、混合键合与玻璃基板、CPO光互连以及设备与零部件国产替代是未来一至两年值得重点关注的方向。
AI算力与大模型：响应时延、超节点方案、AI辅助算子迁移。产业方将集群级单位Token成本与响应时延列为客户采购的核心指标，数据搬运与算力利用率是当前瓶颈。我们认为，超节点将在未来一至两年加速导入，AI有望加快国产算力的迁移适配。新增算力仍以云端集中为主，边端侧放量取决于端侧应用落地速度。
光互连与硅光：多路线长期并存，最终路线尚未收敛。可插拔、NPO、CPO与芯片级光I/O将按场景长期共存。与会的某产业方预计全球光模块年需求从2026年约8,000万只升至2029年约1.2亿只。与会产业方表示CPO尚未大规模量产，有望在2027-28年前后实现；我们建议关注硅光晶圆级测试与光芯片加工设备。
先进封装与Chiplet：重点关注良率与可靠性。散热与翘曲是目前先进封装可靠性的主要难题。混合键合间距持续微缩，已用于3DNAND、CIS、AI与HPC芯片及HBM。玻璃基板量产时点存在分歧，但发展趋势明确。受TGV工艺制约，海外头部厂商高密度玻璃基板良率仅40-60%；我们倾向于台积电（TSMUS，未评级）路线图给出的2028-29年导入节奏。
GaN与SiC：8英寸SiC进入规模化导入，AIDC对可靠性要求更高。8英寸外延器件良率已追平6英寸，国内厂商认为现阶段竞争核心在于稳定的规模化供货能力。超结是中高压SiC器件降本的主要路径；GaN高压化仍处样机阶段。AIDC拉动SiC需求，器件厂商预计固态变压器未来5年将形成百亿级增量市场；我们认为，更高的可靠性要求短期利好头部厂商。
EDA与IP：AgenticAI已开始导入，目前以验证调试等单点场景为主。验证调试等单点场景可实现数量级提效，复杂场景提效仍然有限。企业设计数据多为私有，我们认为短期数据治理的重要性将进一步凸显。
设备与核心零部件：先进产能驱动需求，规格门槛抬升。本轮需求增量始于2025年下半年，先进逻辑、HBM与先进封装扩产推高零部件规格门槛，并同步提升单机价值量。按SEMI设备市场数据测算，2027年中国大陆半导体零部件市场规模约312-343亿美元。
