HBM 4，黄仁勋确认

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来 源： 内容 编译自 chosun 。

英伟达首席执行官黄仁勋8日表示，他收到了来自三星电子和SK海力士的尖端内存样品。

英伟达首席执行官黄仁勋8日在台积电（TSMC）主办的活动上表示：“SK海力士、三星电子和美光这三家都是优秀的内存制造商，他们都已大幅扩充产能以支持英伟达。”他还补充道：“我们收到了这三家公司提供的尖端内存样品。”

针对内存供应可能紧张的担忧，CEO黄仁勋表示：“公司业务增长非常强劲，各个机构领域都可能出现短缺。”他还表示，内存价格可能会上涨，具体取决于公司的运营情况。

在本次活动中，英伟达首席执行官黄仁勋表示，市场对英伟达最新人工智能（AI）芯片Blackwell的需求“非常强劲”，并且“台积电的晶圆需求也在显著增长”。他还表示，英伟达生产的Blackwell相关芯片不仅用于图形处理器（GPU），还用于中央处理器（CPU）、网络设备和交换机（高速网络设备）。

与此同时，台积电CEO魏哲家表示：“英伟达CEO黄仁勋提出了晶圆需求，但具体数量属于商业机密。”黄仁勋CEO表示：“台积电在晶圆供应方面提供了卓越的支持。”他还补充道：“没有台积电，英伟达不可能取得今天的成就。”这是黄仁勋CEO今年第四次正式访问台湾。

在活动现场，魏哲家还称英伟达首席执行官黄仁勋为“市值5万亿美元的人”。英伟达上个月成为首家市值突破5万亿美元的公司。

对此，SK海力士回应称：“明年的产能已全部售罄，我们计划大幅增加投资，以迎接半导体行业的超级周期。” 据报道，三星电子正在与英伟达洽谈，拟向其供应下一代高带宽内存（HBM4）。

三雄争霸HBM4

SK 海力士、美光科技和三星电子正在激烈竞争，以期主导 HBM4 市场，该市场估计价值 1000 亿美元（141 万亿韩元）。

继SK海力士上月完成下一代HBM4的研发并建立量产体系后，三星电子也已开始为HBM4的量产做准备。与此同时，总部位于美国的Micron公司近日宣布，其下一代HBM4内存已开始出货，并宣称其性能和能效均创下新纪录。

美光CEO Sanjay Mehrotra表示：“该模块的带宽超过2.8TB/s，引脚速度超过11Gbps。”这些数据显著超过了JEDEC HBM4官方规范的2TB/s和8Gbps。

美光科技已开始交付 12-Hi HBM4 样品，以支持关键客户平台的量产。该公司声称，该产品拥有业界领先的性能和一流的能效。美光还表示，其 12-Hi HBM4 产品的主要优势在于采用了美光独有的 1-γ DRAM 技术以及基于 CMOS 芯片和封装的创新技术。

关于 HBM4E，它通过对逻辑芯片的定制选项扩展了基础设计，美光宣布，它不仅会提供标准产品，还会提供基础逻辑芯片的定制选项。

首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“定制化需要与客户紧密合作，我们预计采用定制化基础逻辑芯片的HBM4E将比标准HBM4E提供更高的毛利率。” 他补充道：“这项与台积电合作开发的技术，使NVIDIA和AMD等主要客户能够定制设计加速器，其内存堆栈经过优化，可实现低延迟和更佳的数据包路由。”

美光计划今年在价值 1000 亿美元的 HBM 市场中获得比去年更高的市场份额，并预计今年高带宽存储器领域的收入将超过 80 亿美元。

HBM 领域的领导者 SK 海力士宣布，该公司已于 3 月份向包括 NVIDIA 在内的主要客户交付了 12-Hi HBM4 样品，领先于美光和三星，并于 9 月份开始为量产做准备。

SK海力士提供的12-Hi HBM4产品样品采用台积电12nm工艺制造的逻辑芯片（作为芯片的核心部分），据称其数据处理速度超过2TB/s。然而，目前尚未证实该产品是否超越美光12-Hi HBM4产品（带宽超过2.8TB/s）。

SK 海力士还计划为其 HBM4E 产品线提供“定制 HBM4E”产品，以满足 NVIDIA、博通和 AMD 等客户的需求。

四代HBM，即将到来

韩国科学技术院 ( KAIST ) 及其太字节互连和封装实验室 (Tera) 研究小组今年年中概述了另外四代高带宽存储器(HBM)，带宽高达 64 TBps，堆叠高度为 24 层——比 HBM4 高出 50%。

最新一代的HBM是HBM4，带宽（数据速率）高达2 TBps，最大支持16层Hi DRAM芯片堆叠，容量达64 GB。HBM标准由JEDEC（联合电子器件工程委员会）发布，首个HBM标准（JESD235）于2013年发布，后续的更新版本如HBM2（JESD235A）、HBM2E、HBM3和HBM3E不断提升带宽、容量和效率。

HBM3 和 HBM4 采用强制风冷（鳍片/风扇）或强制水冷（D2C – 直接对芯片）散热方式。HBM5 将于 2029 年采用浸没式散热，而 HBM7 和 HBM8 将采用嵌入式散热，即将散热机制直接集成到芯片内部或芯片附近。

HBM4 和 HBM5 将采用微凸点 (MR-MUF) 芯片堆叠技术，而 HBM6 至 HBM8 将采用无凸点 Cu-Cu (铜对铜) 直接键合技术，因为该技术具有高密度、高性能和更好的信号完整性。

英伟达的费曼（F400）加速器将采用HBM5显存，整个GPU的HBM5容量为400至500GB。预计将于2028/2029年发布。

2032 年推出的 HBM6 将采用有源/混合（硅 + 玻璃）中介层，其最大堆叠层数将从 HBM5 的 16 层增加到 20 层。这将使每个堆叠层的容量达到 96 至 120 GB。

2035 年推出的 HBM7 将拥有 160 至 192 GB 的堆叠容量，最高可达 24 层堆叠，带宽为 24 TB/s，是 HBM6 的三倍。2038 年推出的 HBM8 带宽将提升至 64 TB/s，最高堆叠高度同样为 24 层。堆叠容量也将提升至 200 至 240 GB。

HBM8 可以采用双面中介层，一面是 HBM，另一面是 HBM、LPDDR 内存或 HBF（高带宽闪存）内存。HBF 内存结合了 HBM 的高带宽特性和 3D NAND 的高容量。HBM 芯片容量为 240 GB；LPDDR 芯片容量为 480 GB；HBF 芯片容量为 1024 GB。

我们已将已知的信息总结在下表中，表中列出了 HBM4-8 的特性：

这是一份路线图，时间越远，其确定性就越低。我们需要等待JEDEC发布未来HBM世代的正式规范，才能相信其中的细节。

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今天是《半导体行业观察》为您分享的第4222期内容，欢迎关注。

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