联华电子(UMC)正式推出14nm嵌入式高压(eHV)FinFET技术平台 专为显示驱动芯片设计

金吾财讯 | 联华电子(UMC)周四宣布，正式推出业界首款专为显示驱动芯片(DDIC)设计的14nm嵌入式高压(eHV)FinFET技术平台。目前，该工艺的设计套件(PDK)已向客户开放，标志着显示驱动技术从平面晶体管向三维FinFET架构的跨时代迈进。

作为联电在显示驱动领域的尖端工艺，14nm eHV FinFET平台已在其12A晶圆厂成功通过验证。相比目前市场上最先进的22nm eHV量产方案，新平台实现了三大方面的性能飞跃：1)功耗降低： 能够实现高达40%的功耗削减，显著延长高端智能手机的电池续航。2)尺寸缩减： 芯片面积缩小约35%，助力手机制造商打造更轻薄的显示模块。3)性能增强： 采用FinFET结构取代传统的平面晶体管，优化了I/O器件并提升了驱动速度。这不仅确保了信号完整性，还能支持高分辨率显示应用所需的高刷新率要求。

联电技术开发副总裁表示，作为显示驱动芯片市场的领导者，此次推出14nm eHV平台是联电的重要里程碑。通过首次将FinFET技术引入该领域，联电旨在协助客户将更具创新性的功能转化为可量产的高端产品。

目前，联电是全球唯一提供22nm显示驱动芯片方案的代工厂，在OLED驱动市场占据绝对领先地位。随着14nm平台的加入，联电的高压工艺解决方案已全面覆盖从0.6μm至14nm的极广工艺节点，进一步加深了其在高端半导体供应链中的竞争护城河。

截至发稿，联华电子美股股价盘前走强，最新报17.25美元，上涨8.35%。