SiC中介层，成为新热点

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来源 ：内容来自 财讯网 。

过去几个月，台湾半导体产业的碳化硅产业链快速升温，原因竟和英伟达有关。

今年5月，全球碳化硅龙头Wolfspeed宣布破产，但是，同一个月，环球晶董事长徐秀兰却表示，环球晶将和客户共同开发碳化硅新产品。加码碳化硅市场的不止环球晶，供应链也透露，目前公司正积极开发新产品，而这项产品可用于半导体先进制程。

据台媒报道，当全球碳化硅供应链因中国大扩产陷入寒冬时，台湾碳化硅产业却因为英伟达对GPU性能无止境的需求，得到一个新机会。因为英伟达新一代Rubin处理器的开发蓝图中，为了提升效能，计划把硅中介层的材料，由硅换成碳化硅。

如果把CoWoS封装做出来的IC比喻成一栋大楼，把英伟达的GPU比喻成大楼里的工厂，硅中介层的作用，就像是大楼的楼板，除了承载英伟达的GPU，还可以串连旁边的高性能记忆体，让资料可以在GPU和记忆体之间快速移动。目前，一块硅中介层里会配置一颗GPU和多颗记忆体。

这栋大楼的基地，则是原有的载板，一块载板上的空间足以摆上好几栋这样的「大楼」，透过载板交换讯号，最后再封装成一颗芯片。

据透露，目前半导体先进制程正在研究，要将原本用硅制造的硅中介层换成用碳化硅制造，因为未来高阶芯片计划的功耗高达1000伏特！相比之下，特斯拉快充时的电压，也只有350伏特。

业界人士观察，目前英伟达是最积极要采用这项技术的公司，因为，英伟达的NVLink技术特性是，GPU和记忆体距离愈近，传输速度愈快，GPU的功率愈高，效能也愈好，未来英伟达甚至计划要把GPU和记忆体叠在一起，用极大的电流驱动，由于碳化硅的导热系数比铜还要好，能有效缓解大电流产生的高热，因此被英伟达看上。

不过，碳化硅如果拿来做中介层，要求和传统的碳化硅不同，业界人士分析，晶圆厂是把碳化硅当作中介层材料，因此，传统碳化硅产业在意的结构瑕疵，对制造中介层时影响并不大，但关键在切割技术，碳化硅硬度和钻石相当，如果切割技术不佳，碳化硅的表面会呈波浪状，无法用于先进封装。

此外，用绝缘的单晶碳化硅制造硅中介层，导热效果最好，且必须要和现有的硅晶圆一样大，由于目前中国碳化硅制造商多半只能制造6吋和8吋的碳化硅晶圆，因此投资制造更大的单晶碳化硅晶圆产线，也就成为台湾厂商和中国竞争者差异化的重点。

业界人士观察，目前台积电邀集各国厂商共同研发碳化硅中介层的制造技术，但切割设备大厂如日本DISCO正在研发新一代雷射切割机台，因此，英伟达的Rubin GPU第一代仍会采用硅中介层，等新设备到位，碳化硅中介层制造会更为顺利，但由于英伟达对效能进步的要求极高，当芯片内产生的热超过极限，就必须采用碳化硅，「最晚后年，碳化硅就会进入先进封装。」

从目前看来，这项技术目前只用在最尖端的AI芯片上。

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今天是《半导体行业观察》为您分享的第4146期内容，欢迎关注。

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