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联电先进封装,拿下大客户

来源:半导体行业观察

2025-07-07 08:58:37

(原标题:联电先进封装,拿下大客户)

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来源:内容来自经济日报。

联电跨足先进封装大跃进,夺下高通大单,自行开发的高阶中介层(Interposer)也获得高通验证,迈入量产出货倒数计时阶段。法人看好,联电透过跨国合作,携手国际大厂抢食AI等高速运算大商机,后市看俏,并可藉由差异化优势,降低红色供应链在成熟制程晶圆代工市场激烈竞争的干扰。

联电不评论特定客户,强调先进封装是该公司积极发展的重点,将携手智原、矽统等转投资事业,以及华邦等记忆体伙伴,携手打造先进封装生态系。

联电去年底携手高通展开高速运算先进封装合作,锁定AI PC、车用,以及当红的AI伺服器市场,陆续传出捷报。

供应链透露,联电第一批中介层1500电容已通过高通的电性测试,目前开始试产,预计2026年首季有机会量产出货,高通并购置炉管机台放在联电厂房,凸显双方合作紧密。业界分析,此次联电通过高通认证的产品采用1500nF/mm^2电容,主要搭配高通的IC和记忆体所需要的电容值。

业界人士指出,联电布局先进封装,先前在制程端仅供应中介层,应用在RFSOI制程,对营收贡献有限。随着高通采用联电先进封装制程打造高速运算芯片,近期双方合作又进一步发展.对联电来说将能降低红色供应链在成熟制程的低价竞争,闯出一条不同之路。

先进封装技术方面,例如2.5D和3D封装这些封装方式需要将多个芯片堆叠或并排放置,这时候中介层电容就显得特别重要。

据悉,先进封装最关键制程就是需要曝光机台制造的中介层,加上需要超高精密程度的矽穿孔,让2.5D或3D先进封装堆叠的芯片讯号可相互联系,联电具备生产中介层的机台设备之外,十年前就已将TSV制程应用超微GPU芯片订单上,等于联电完全具备先进封装制程量产技术的先决条件,是获得高通青睐的主要原因。

法人看好,联电相关策略将强化先进封装生态系与客户黏着度,因为高通不仅下单,甚至购置炉管机台放进联电厂房,显示合作深度高、信任感强,联电也借此串连旗下智原、矽统、华邦等公司及伙伴,进一步建构先进封装的完整生态系。

在切入先进封装领域建立差异化优势之际,联电的晶圆代工本业也积极推进高压制程技术,包括14纳米鳍式场效电晶体(FinFET)嵌入式高压制程技术平台(14eHV)有新进展,与英特尔合作也传出将由原规划的12纳米延伸至6纳米,卡位先进制程市场。

联电去年斥资156亿元投入研发,专注开发5G通讯、AI、物联网及车用电子等领域所需的制程技术,并钻研特殊制程,在12纳米和14纳米特殊制程及3D IC先进封装研发也有进展。

联电董事长洪嘉聪指出,12纳米FinFET制程技术平台(12FFC)相较于14纳米技术(14FFC),芯片尺寸更小、功耗更低,性能大幅提升,充分发挥FinFET的优势,可广泛应用于各种半导体产品。

洪嘉聪说,与14FFC相比,12纳米技术在优化的FinFET设备下,可实现10%的性能提升,透过降低电压减少20%功耗,采用六走线轨道设计,使面积减少超过10%,并节省三层光罩,进一步增强联电成本竞争力。

联电精进制程研发之余,也扩大国际合作。近期市场传出,联电正探索与英特尔延伸制程合作的可能性。

*免责声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点,不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系半导体行业观察。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第4087期内容,欢迎关注。

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