来源:证券之星经营分析
2026-08-26 18:19:22
一、战略主题演变:从"结构性复苏"到"量价齐升景气周期"
两份财报对行业环境的定性呈现明显的梯度升级。2025年年报将行业定性为"结构性复苏机遇",认为行业"已逐步摆脱周期性低谷,步入高质量发展的复苏新阶段",宏观判断基调为"复苏但竞争激烈";2026年半年报则升级为"由'AI算力+新能源'双轮驱动的深刻变革",明确表述"行业彻底走出此前周期性低谷,进入高质量发展的复苏新阶段",并指出"2026年上半年先后已有多家国内外功率半导体企业发布涨价通知",供需关系判断由"结构性缺货"转为"量价齐升"。
战略主线保持连续:两份报告均以"技术驱动、市场导向"为核心战略,均强调"产品结构、市场结构与客户结构的三重优化升级"。变化体现在全球化维度——2025年报称新加坡研发及销售中心"已于上半年正式建成并投入运营"(表述为布局起步),2026年半年报则称其"稳定运营"并"取得阶段性成果",海外市场定位从"为辅"明确为"国内市场为主体、海外市场为补充的双轮驱动策略",战略重心由国内国产替代单线推进转向国内外双线并行。
二、业务结构变化:增长引擎由SGT单极转向"AI算力+光储"多极
主要产品线收入及占比变化如下(占主营业务收入比例):
| 产品线 | 2025年上半年 | 2025年全年 | 2026年上半年 | 2026年上半年同比 |
|---|---|---|---|---|
| SGT-MOSFET | 4.19亿元 / 45.21% | 8.66亿元 / 46.3% | 5.45亿元 / 46.92% | +28.57% |
| IGBT | 1.32亿元 / 14.26% | 2.79亿元 / 14.9% | 1.96亿元 / 16.85% | +48.10% |
| Trench-MOSFET | 2.50亿元 / 26.95% | 4.86亿元 / 26.0% | 2.75亿元 / 23.79% | +10.27% |
| SJ-MOSFET | 1.04亿元 / 11.21% | 2.05亿元 / 11.0% | 1.02亿元 / 8.77% | 未披露 |
数据表明三层结构变化。其一,IGBT是增速最快的引擎,半年报归因于"全球地缘冲突加剧、海外能源短缺、各国新能源政策加持"下光伏储能需求回暖,与阳光电源、固德威、德业股份、上能电气、科华数据等头部客户合作深度提升,第七代IGBT稳定批量供货、第八代IGBT"顺利市场化销售"。其二,SGT-MOSFET继续稳居第一大营收品类(46.92%),第三代产品全系列市场化落地,车载、AI算力中心、无人机等高端赛道放量。其三,SJ-MOSFET收入与占比双双回落(由2025年上半年的1.04亿元降至1.02亿元),管理层表述为"有效对冲传统板块需求疲软",将重心转向AI服务器电源、车载OBC等大电流高附加值规格,该产品线呈现收缩与结构调整并存的态势。
应用领域层面,2025年报中车规级功率器件"累计逾330款、全年出货量突破2亿颗",2026年上半年增至"累计近400款、出货量突破1.3亿颗";AI算力领域由2025年"导入多家新兴AI算力服务器客户并实现海内外批量销售"推进至2026年上半年"顺利导入包括E-Fuse、液冷在内的算力服务器细分应用,并逐步实现销售";机器人领域批量配套宇树科技,无人机领域深度对接大疆。
三、关键措施执行情况:2025年报经营计划的中期兑现度
对照2025年年报提出的四项经营计划,2026年半年报披露的执行情况如下:
产品开发与技术创新计划:2025年报提出"第八代IGBT产品实现市场销售""第五代SJ-MOSFET预计2026年Q2投入市场"等目标。2026年上半年,第八代IGBT已完成市场化销售并"逐步形成规模化销售";第五代SJ-MOSFET仍处"多轮工程流片、可靠性验证和应用测试"阶段,落地进度慢于年报预期,为需跟踪的偏差项。SiC MOSFET从2025年报的"第三代平台完成工艺平台开发、处于可靠性验证阶段"推进至2026年上半年"第2~3代平台全面进入量产,覆盖650V/750V/900V/1200V/1700V,新增型号20余款"。
封测垂直产业链整合计划:电基集成上半年核心封装产线满产,重点扩产TOLL、TO-247封装,预计下半年这两类产品产能"实现约一倍增长";金兰半导体IGBT模块产品布局明显扩容,工业控制领域开发产品由2025年的45款增至101款,光伏储能领域由34款增至43款,电源电网领域由18款增至27款,焊接领域由11款增至15款,并新增SiC模块23款。
海外市场计划:新加坡子公司Eruby由2025年报的"已组建国际化销售团队、重点布局东南亚经销商网络"推进至2026年上半年"正式投入运营并高效运转",已开展印度、越南市场客户拜访、技术交流与展会推广,在光伏逆变与储能、电动汽车、工业电机驱动、数据中心UPS及服务器电源等领域"部分相关产品已实现批量交付"。
市场开拓计划:2025年报提出"立足东南亚辐射全球"的路径已进入执行期,公司境外资产由2025年末的3,998.81万元(占总资产0.82%)调整为2026年6月末的3,493.60万元(占总资产0.67%)。
四、核心能力建设:研发强度相对摊薄,专利与平台继续扩容
| 指标 | 2025年年报 | 2026年上半年 |
|---|---|---|
| 研发投入 | 11,794.62万元(占营收6.28%) | 5,638.37万元(同比+6.44%) |
| 专利累计 | 249项(发明专利130项) | 258项(发明专利135项) |
| 新增授权 | 未单独披露 | 13项(发明专利8项) |
| 研发人员 | 145人,占总人数31.87% | 未披露 |
研发投入绝对额保持增长,但2026年上半年研发费用增速(+6.44%)显著低于营业收入增速(+25.57%),研发强度相对摊薄。技术成果集中在先进平台迭代:N15V/N40V/N80V/N100V第五代SGT MOS进入流片或工程开发阶段;第八代IGBT完成1200V/1400V/750V参数优化并启动1700V设计;第4代SiC MOSFET平台完成开发(覆盖650V~2300V,目标市场含SST、高压直流断路器);100V/200V GaN HEMT开发中。公司称"具有业界最小单位元胞尺寸"成为多个SGT平台的技术标签,N150V平台FOM较业界同规格最优竞品降低25%以上。
能力建设的新增量在海外研发端:Eruby组建智能功率IC及模拟集成电路研发团队,两款智能高边开关IC"样品已完成测试",面向服务器电源、AC-DC电源的LLC及PFC控制器处于研发阶段,产品面向12V/24V汽车车身控制与配电系统。这标志着公司护城河构建方向由分立器件向"集成化功率器件与电源控制芯片"延伸。
五、财务表现与经营质量:收入高增、现金流改善,盈利修复滞后
| 指标 | 2025年全年 | 2026年上半年 | 变动 |
|---|---|---|---|
| 营业收入 | 18.77亿元(+2.66%) | 11.67亿元 | +25.57% |
| 归母净利润 | 3.94亿元(-9.42%) | 2.33亿元 | -0.75% |
| 扣非归母净利润 | 未单独披露 | 1.94亿元 | -6.49% |
| 经营活动现金流净额 | 3.86亿元(+31.04%) | 2.12亿元 | +32.55% |
| 营业成本 | 12.60亿元(+8.42%) | 8.17亿元 | +36.83% |
营收增速由2025年的+2.66%大幅抬升至2026年上半年的+25.57%,管理层归因于"利用技术和产品优势,紧抓市场机遇,推动公司销售规模不断扩大"。但利润端修复明显滞后:归母净利润同比-0.75%,扣非净利润同比-6.49%,与收入增速形成剪刀差。管理层解释营业成本增长36.83%系"销售收入提升,导致产品结转对应成本增加",结合2025年年报披露的"上游代工厂稼动率提升导致代工成本上涨"及2026年半年报"原材料、生产成本持续上行的现状",成本刚性上涨是盈利承压的主因。2026年上半年利润总额2.68亿元同比+0.26%,其中非经常性损益合计3,956.46万元(含金融资产公允价值变动及处置损益2,948.54万元、委托投资损益1,227.04万元),对利润形成支撑。
季度节奏值得关注:2026年第二季度营收65,034.64万元环比+25.78%,归母净利润13,882.26万元环比+46.84%,管理层披露的环比改善幅度显著,叠加"交期拉长、渠道库存低位、涨价通知频发"的行业判断,盈利拐点能否兑现取决于下半年成本传导能力。
经营质量层面,经营性现金流净额连续两期改善(2025年+31.04%、2026年上半年+32.55%),管理层归因于销售回款增加;应收账款、合同负债等科目正常。但需关注两处结构性信号:一是财务费用由上年同期的-618.24万元扩大至-369.91万元,变动原因系"汇兑净损失增加",海外运营带来新的利润侵蚀项;二是长期股权投资由期初9,120.83万元增至18,773.02万元(+105.83%),系投资井冈山市宝鼎隽哲管理咨询合伙企业所致,公司上半年还参股"高性能特色工艺功率器件生产企业"及"GPU/AMOLED显示驱动企业",外延投资节奏加快。
子公司层面,国硅集成由2025年全年净利润408.06万元增至2026年上半年839.01万元,电基集成由2025年全年亏损343.77万元转为上半年盈利33.60万元,金兰半导体亏损由988.24万元收窄至469.42万元;但Eruby营收由2025年全年的1,142.26万元降至上半年193.68万元,亏损441.90万元,海外销售平台收入与费用投入存在阶段性错配,是需持续跟踪的偏差项。
六、风险认知的演进:风险框架未变,行业判断转向供给约束
2025年年报与2026年半年报列示的风险条目完全一致(市场波动风险、采购价格波动风险、供应商依赖风险、新增折旧摊销费用影响业绩风险),风险认知的边际变化体现在应对逻辑上。2026年半年报在市场波动风险中延续了"关税壁垒持续升级,国际贸易摩擦加深"的表述,并将"加强海外渠道建设,应对国际贸易限制"作为应对措施之一;在经营讨论部分新增对供给端的判断——"AI相关产品对晶圆产能的挤占,导致原本分配给功率器件的产能更加紧张""全产业链成本刚性上涨",并将"积极与供应商开展多轮商务洽谈、年度锁价合作""推进供应链国产化替代"列为采购价格风险的主要对冲手段。供应商集中度方面,2025年年报披露前五名供应商采购额占年度采购总额72.15%,其中华虹半导体(无锡)30.40%、上海华虹宏力25.13%,供应商依赖风险仍具现实性。
综合结论
新洁能2026年半年报呈现"收入端强、利润端弱、现金流优"的分化格局:营收增速由2025年的+2.66%跃升至+25.57%,第二季度环比显著加速,经营性现金流连续改善,行业进入"量价齐升"景气周期;但营业成本+36.83%的增速快于收入,归母净利润与扣非净利润同比下滑,盈利修复明显滞后于收入扩张。增长结构上,IGBT以+48.10%的增速成为第一增长引擎,SGT-MOSFET保持46.92%的占比基本盘,AI算力、光伏储能、机器人、低空经济构成多极增长点,而SJ-MOSFET收入收缩、Eruby营收大幅下滑与海外投入错配,是数据层面暴露的主要矛盾。战略执行上,2025年报提出的封测垂直整合、产品升级换代、海外市场开拓三项计划均取得可验证的实质进展,第五代SJ-MOSFET投产进度晚于年报预期为唯一明确的执行偏差。后续需重点跟踪成本向售价的传导能力、扣非利润拐点以及海外销售平台的收入兑现节奏。
郑重声明:相关内容不构成任何投资建议,股市有风险,投资需谨慎。
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