晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法、半导体器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法、半导体器件”，专利申请号为CN202511632267.7，授权日为2026年2月24日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体器件，包括：提提衬底；以及位于衬底的第一表面上沿平行于第一表面的第一方向交替排列的层间介质层、栅沟槽；栅沟槽内包括沿背离衬底的第二方向依次排列的介质叠层、目标功函数层、保护层、阻挡层及金属导电层；其中，介质叠层位于栅沟槽的内表面上；目标功函数层的纵截面呈凹字型，顶面低于栅沟槽开口所在平面；保护层位于目标功函数层的上表面及介质叠层的内壁上，顶面与阻挡层、金属导电层及层间介质层的顶面齐平。上述结构中，保证功函数层表面和侧壁都有保护层保护功函数层，不会直接裸露在栅极表面，故后续制程的Wet HF不会伤害底部功函数层。

今年以来晶合集成新获得专利授权79个，较去年同期增加了163.33%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目638次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1632条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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