通富微电：存储芯片封测覆盖FLASH、DRAM中高端产品

证券之星消息，通富微电(002156)01月19日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。

投资者：贵司存储芯片业务主要覆盖哪些产品类型（如DRAM、NAND Flash等）？是否已涉及高堆叠、嵌入式、2.5D/3D等先进封装技术？目前技术进展和量产情况如何？
通富微电董秘：尊敬的投资者，您好！公司存储芯片封测能力伴随中国存储半导体产业自主发展同步成长，以晶圆减薄与高堆叠封装能力为核心技术，业务范围已全面覆盖FLASH、DRAM中高端产品封测，能够满足大容量、高速度、高堆叠、高可靠性等多维度要求，并与领军企业建立了长期稳定合作关系，形成了完备的量产验证和产业化经验。同时，公司围绕下游市场与客户的升级需求，持续深耕超厚金属层晶圆处理、高堆叠处理、高可靠性产品解决方案等关键工艺，取得良好的技术积累。谢谢！

投资者：面对全球存储芯片市场的竞争格局，贵司如何把握国产替代机遇？在供应链自主可控方面有哪些布局？
通富微电董秘：尊敬的投资者，您好！存储芯片作为信息基础设施的“底座”，已成为半导体领域国产替代的重点方向之一。公司将在原有存储芯片封测能力的基础上，加快建设和提升面向存储芯片的本土封测产能与技术。公司2026年度向特定对象发行A股股票预案中，有一个募投项目为“存储芯片封测产能提升项目”，希望通过该项目的实施，进一步把握住存储芯片国产替代机遇。此外，公司时刻关注自主可控、国产替代、设备材料国产化的政策及产业趋势，从中抓住机会，为股东创造价值。谢谢！

投资者：请问公司当前在存储芯片封测领域的行业地位如何？是否属于国内第一梯队？与同行业其他公司相比，贵司的核心竞争力体现在哪些方面？
通富微电董秘：尊敬的投资者，您好！随着国产存储芯片技术的日趋成熟，公司布局多年的存储器产线已稳步进入量产阶段并显著提升了公司在相关领域的市场份额。公司存储芯片封测能力伴随中国存储半导体产业自主发展同步成长，以晶圆减薄与高堆叠封装能力为核心技术，业务范围已全面覆盖FLASH、DRAM中高端产品封测，能够满足大容量、高速度、高堆叠、高可靠性等多维度要求，并与领军企业建立了长期稳定合作关系，形成了完备的量产验证和产业化经验。同时，公司围绕下游市场与客户的升级需求，持续深耕超厚金属层晶圆处理、高堆叠处理、高可靠性产品解决方案等关键工艺，取得良好的技术积累。谢谢！

投资者：随着国产存储芯片技术成熟，公司存储产线的订单情况是否呈现增长趋势？如何看待存储周期波动对公司业绩的影响？
通富微电董秘：尊敬的投资者，您好！随着国产存储芯片技术的日趋成熟，公司布局多年的存储器产线已稳步进入量产阶段并显著提升了公司在相关领域的市场份额。关于存储周期波动的影响，一方面，公司通过不断提升产品档次和技术水平以及积极应对市场变化，以期降低周期波动对业绩的影响；另一方面，公司广泛的产品布局优势，有利于实现多元化增长动能，有效对冲行业周期性波动风险。谢谢！

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