东芯股份（688110）2025年半年度管理层讨论与分析

证券之星消息，近期东芯股份（688110）发布2025年半年度财务报告，报告中的管理层讨论与分析如下：

发展回顾：

一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明

    （一）主要业务、主要产品或服务情况

    1、主要业务

    公司主营业务围绕利基型存储芯片设计领域，是目前大陆为数不多能同时提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司。公司产品主要应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗、汽车电子等领域。公司秉持“提供高可靠的存储产品设计及方案”为使命，并以“成为中国领先的存储芯片设计企业”为愿景，努力通过自主研发的知识产权、稳定的供应链体系以及高可靠性的产品为客户提供优质的存储产品及解决方案。目前公司设计研发的1xnmNANDFlash、48nmNORFlash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。

    2、主要产品及服务

    存储芯片通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态实现数据存储，根据断电后存储的信息是否留存分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。公司的主要产品为非易失性存储芯片NANDFlash、NORFlash，易失性存储芯片DRAM以及衍生产品MCP：

    （1）NANDFlash

    NANDFlash即数据型闪存芯片，分为两大类：大容量NANDFlash主要为MLC、TLCNANDFlash或3DNANDFlash，擦写次数从几百次至数千次，多应用于大容量数据存储；小容量NANDFlash主要是SLCNANDFlash，可靠性更高，擦写次数达到数万次以上。公司的NAND产品种类丰富，功耗低，具备高可靠性，在通讯设备、安防监控、可穿戴设备和移动终端等多个领域得到广泛应用。产品已通过联发科、瑞芯微、中兴微、博通等主流平台厂商的验证认可，主要应用于5G通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒以及智能手环等终端产品。

    公司聚焦平面型SLCNANDFlash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖512Mb至32Gb，可灵活选择SPI或PPI类型接口，搭配3.3V/1.8V两种电压，可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司NANDFlash产品核心技术优势明显，尤其是SPINANDFlash，公司采用了业内领先的单颗集成技术，将存储阵列、ECC模块与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，合理分布冗余提升了产品可靠性，提高了公司产品的市场竞争力。公司产品在耐久性、数据保持特性、可靠性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次，同时可在-40℃-105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性已逐步从工业级标准向车规级标准迈进。

    （2）NORFlash

    NORFlash即代码型闪存芯片，主要用来存储代码及少量数据。其存储阵列是各存储单元通过并联方式连接组成，在实现按位快速随机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代码执行，因此具有芯片内执行、读取速度快等特点，通常被用于存储相关数据和代码程序，来满足快速启动应用系统的需求。

    公司专注于设计大容量、低功耗、ETOX工艺的SPINORFlash，自主设计的SPINORFlash存储容量覆盖64Mb至2Gb，并支持多种数据传输模式，普遍应用于网络通信、可穿戴设备、移动终端等领域。

    （3）DRAM

    DRAM是市场上主要的易失性存储产品之一，通过利用电容内存储电荷的有无来代表二进制比特（bit）来实现数据存储。DRAM具有读写速度快的特点，常被用于系统硬件的运行内存，对系统中的指令和数据进行处理。

    公司研发的DDR3(L)系列是可以传输双倍数据流的DRAM产品，具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛；公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求，自主研发的LPDDR1/2/4X系列产品具有低功耗和高传输速度等特点，最大时钟频率可达2133MHz，适用于智能终端、可穿戴设备等产品。

    （4）MCP

    MCP产品是将非易失性代码型闪存芯片通常与易失性存储芯片搭配使用，以共同实现存储与数据处理功能。

    公司的NANDMCP产品集成了自主研发的低功耗1.8vSLCNANDFlash闪存芯片与低功耗设计的DRAM，凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发科等平台通过认证，被广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等产品。其中，DDR规格包括LPDDR1、LPDDR2和LPDDR4x，为用户提供更加灵活和丰富的选择。MCP通过将低功耗DRAM和基于NAND的技术优化结合在一起简化了走线设计，节省了组装空间，高效地集成了电路，提高了产品的稳定性。客户在使用NANDMCP产品时可以减小PCB的布板空间,降低整体系统成本，提高整体集成度和可靠性，适用于PCB布板空间狭小的应用。

    （5）技术服务

    公司拥有自主完整的知识产权，拥有完整的设计团队、测试团队和应用环境分析团队，能根据客户需求定制其所需要的存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案，帮助客户降低产品开发时间和成本、加速产品分析速度，提高产品开发效率和成功率。

    (二)主要经营模式

    公司作为IC设计企业，采取Fabless的经营模式，专注于集成电路设计、销售和客户服务环节，将晶圆制造、封装和测试等环节外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。在销售芯片的同时，也根据市场及客户需求提供完整的解决方案。报告期内，公司主要经营模式未发生变化。

    公司产品销售采用“经销、直销相结合”的销售模式。经销模式下，公司与经销商之间采用买断式销售；直销模式下，终端客户直接向公司下订单。

    （三）所处行业情况

    公司是一家专注存储类芯片设计的企业，聚焦中小容量的存储芯片的设计、研发及销售，致力于为客户提供多样化的存储类产品及解决方案。按照《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017）,公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”（代码：6520），细分行业为芯片设计行业；根据中国上市公司协会发布的《中国上市公司协会上市公司行业统计分类指引》，公司属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”，行业代码为“C39”。

    YoleGroup的报告显示，得益于人工智能对于存储芯片及HBM需求的大涨，预计2025年全球存储芯片市场销售额将由2023年960亿美元增长到超2340亿美元。预计2023年到2029年间的年复合增长率达16%。经历了此前的周期性下行，存储市场自2024年起进入明确的上行周期，2025年进一步回暖，DRAM、NANDFlash等主流存储芯片价格企稳并稳步回升，随着如网络通信、消费电子等下游应用领域景气度回升，行业库存水位已降至相对健康水平，供需格局明显改善。

    从中长期看，数据经济基础设施需求与终端应用场景扩展构成核心增长动力，据国际数据公司（IDC）预测，从2018年到2025年，全球数据总量将由33ZB增长至175ZB，年复合增长率达26.9%。如此庞大的数据量，对数据存储技术提出了更高的要求。同时存储器产业链覆盖智能终端、物联网设备、汽车电子等20余个细分领域，其中新兴市场需求呈指数级增长，根据YoleGroup的数据推测，存储芯片市场空间在2027年有望突破2630亿美元。随着新能源汽车的不断发展，存储芯片在通信及远程控制系统、ADAS系统、座舱预控系统等环节被广泛使用。数据显示，2023年全球汽车存储芯片市场规模为47.6亿美元，预计到2028年将达到102.5亿美元。未来，随着汽车电子化、智能化和网联化的进一步推动，存储芯片在汽车中的应用场景将更加广泛，市场需求将持续扩大。人工智能技术的大规模应用也正重塑行业格局，算力需求激增催生高性能存储解决方案，推动HBM、3DNAND等先进存储技术迭代，也逐步提升对利基型存储芯片的需求。随着AI从云端走向终端，端侧AI具备低延迟、高隐私、低带宽成本等优势，正在驱动新一轮智能终端革命，根据中研普华数据，2025年中国端侧AI市场规模预计突破2500亿元，2030年将达1.2万亿元，年复合增长率（CAGR）30.8%。

    在国家信息安全和供应链自主可控的战略驱动下，存储芯片的国产化替代浪潮正澎湃汹涌。

    过去几年，国际贸易环境的变化深刻凸显了构建自主存储产业链的极端重要性。我国作为全球最大的电子产品生产国和存储芯片消费市场，存储芯片的自给率却长期处于低位，存在巨大的国产替代空间。国家层面持续加大政策扶持力度，从资金、技术、市场等多维度为本土存储企业提供了前所未有的发展契机。

    报告期内，存储市场进一步回暖，下游客户消化库存进程基本结束，为满足自身生产销售的需要，下游需求出现实质性增长。AI大模型的破圈，带动端侧AI算力的需求上行，驱动高性能以太网交换机、先进存储产品、GPU及边缘计算/端侧算力芯片等多种半导体硬件的市场需求稳步增长。三星电子、铠侠、海力士、美光科技等海外存储巨头专注于大容量的3DNANDFlash以及HBM和DDR5，陆续宣布新一轮的减产或控产计划，在SLCNANDFlash、利基型DRAM及DDR4的投入逐渐减少并持续减产。这一系列操作进一步加剧了DDR4市场的供需失衡状况，从而推动价格持续攀升。低容量eMMC也随着海外厂商退出MLCNAND市场导致货紧价扬，加速相关应用容量升级。随着MLCNAND供应逐步紧张，未来将加速电视机、安防、销售点终端、机顶盒等应用终端存储容量进一步升级。随着海外大厂的陆续退出，以及国产化需求的不断提高，公司在相关领域的市占率有望持续提升，迎来良好的发展契机。

    二、经营情况的讨论与分析

    2025年上半年，随着下游库存去化明显以及行业需求逐步修复，工业类市场需求逐步修复，AI端侧、高性能计算（HPC）等长期需求支持的背景下，叠加海外头部大厂产品结构调整，半导体市场逐步恢复增长态势。公司努力把握市场机遇，积极匹配客户需求提升市场份额，公司主营业务产品需求及销售价格已逐步回升，盈利状况有所改善，2025年上半年公司实现营业收入3.43亿元，同比上升28.81%，第二季度营业收入环比增长41.11%；毛利率为18.76%，比去年同期增长5.45个百分点。

    2025年上半年公司Wi-Fi板块仍需一定的研发持续投入，已投资的GPU板块尚未实现营收，归属于母公司股东的净利润为-11096.85万元，属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为-12672.40万元。

    报告期内主要业务情况：

    （一）深耕存储技术布局

    公司针对各类主营存储产品，持续实施产品更新迭代策略，为网络通信、监控安防、消费电子、工业控制、汽车电子等应用领域提供多样化的存储产品解决方案。

    报告期内，公司研发费用1.05亿元，占当期营业收入的30.74%，金额同比持平。公司继续加强在SLCNANDFlash行业的技术领先优势，积极推进存储产品的升级迭代。报告期内“1xnm闪存产品研发及产业化项目”已实现量产，设计与工艺持续优化，产品可靠性指标显著提升，并已实现产品销售。2xnm制程SLCNANDFlash产品系列研发持续推进，进一步提升了可靠性指标，并持续扩充产品料号。

    公司持续推进48nm、55nm制程下64Mb-2Gb中高容量的NORFlash产品的研发，围绕可穿戴设备、安防监控、物联网、汽车电子、端侧AI等应用领域，精确定位不同容量的客户需求，优化性能、功耗与性价比的合理匹配。随着产品迭代升级，公司不断丰富NORFlash产品矩阵，进一步强化了在高可靠性场景下的解决方案能力。

    公司在已量产的DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2、LPDDR4x、PSRAM等产品基础上，继续在DRAM领域进行新产品的研发设计，目前主要围绕可穿戴，网络通信等应用领域，公司将持续拓宽DRAM产品线，完善产品布局，把握市场份额增长机遇。

    公司目前已可以向客户提供4Gb+2Gb、4Gb+4Gb、8Gb+8Gb、16Gb+16Gb等多种组合的MCP产品，主要应用于5G通讯模块、车载模块、工业控制等应用领域。公司在研产品进一步拓展多容量配置，依托自主研发SLCNANDFlash与DRAM组合，打造具备成本优势与稳定性能的MCP解决方案，持续丰富产品线，全面满足客户的多样化需求。

    公司继续推进车规级存储产品的研发及产业化进度，着力构建高附加值的车规产品矩阵，公司SLCNANDFlash、NORFlash以及MCP均有产品通过AEC-Q100的验证，具备满足严苛车规级应用环境的能力。公司稳步推动车规客户的导入与销售，已经完成国内多家整车厂的白名单导入并且持续推动多家海内外一级汽车供应商（Tier1）的供应商资质认证，并在多款车型中实现量产。公司产品在汽车电子中的应用领域包括通信及远程控制系统、ADAS系统、智能座舱域控系统、车身控制系统等。

    报告期内，公司获得发明专利授权8项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利121项、软件著作权15项、集成电路布图设计权86项、注册商标14项。未来，公司将继续坚持“技术驱动发展”的理念，保持高水平研发投入，深化核心技术的自主可控能力。

    （二）深化“存、算、联”一体化发展体系

    报告期内，公司持续推进“存、算、联”一体化战略布局，通过技术创新、生态协同与产业链延伸，逐步构建起以存储芯片为核心，覆盖计算、通信领域的多元化技术生态体系，旨在建立一体化的生态发展体系，为未来增长注入新动能。

    在联接芯片领域，公司正持续推进Wi-Fi7无线通信芯片的研发设计工作。基于对市场趋势的研判，公司发现Wi-Fi芯片市场蕴含显著增长潜力，尤其是Wi-Fi6/7技术在高带宽传输、高安全性保障、超低延迟响应及多设备并发接入场景中展现的核心优势，使其成为驱动该市场未来增长的关键技术方向。随着智能手机、笔记本电脑、物联网（IoT）终端、智能家电等联网设备规模的持续扩大，市场对Wi-Fi芯片组的需求呈现确定性增长态势，同时对无线连接的可靠性与传输速率提出更高要求。公司首款无线传输芯片定位于高带宽、低延迟应用场景，可满足智能终端领域对高速无线连接的技术需求。通过差异化技术创新，公司致力于为客户提供本土化的智能无线通信与感知芯片及系统级解决方案。目前该产品研发项目进展符合预期。

    在计算芯片领域，公司于2024年通过自有资金2亿元人民币战略投资上海砺算，布局高性能GPU赛道。上海砺算主要从事多层次（可扩展）图形渲染GPU芯片的研发设计，坚持自研架构，产品可实现端、云、边的主流图形渲染和AI加速，对标主流GPU架构，与外部生态无缝兼容，力争解决国产主流完整GPU架构自主可控的关键问题。报告期内，上海砺算完成首款自研GPU芯片“7G100”的首次流片、晶圆制造及芯片封装，对产品的测试结果符合预期，目前正按计划进行客户送样以及量产工作。产品可应用于个人电脑、专业设计、AIPC、云游戏、云渲染、数字孪生等应用场景。

    （三）构建“本土深度、全球广度”的供应链网络

    公司高度重视建立稳定可靠的供应链体系，与国内外多家知名晶圆代工厂和封测厂建立了互助、互利、互信的合作关系，构建了“本土深度、全球广度”的供应链网络。在报告期内，公司致力于维护与上游合作伙伴的稳定合作，携手应对市场需求波动带来的挑战。公司与晶圆厂展开深度战略合作交流，在工艺开发、产品设计、测试优化等各环节保持良好的沟通与协作，深化上下游合作，为业务发展提供产能保障。同时，公司坚持“双轨并行”的发展策略，积极拓展境内外双代工模式，以满足不同客户的需求。公司还与宏茂微、盛合晶微、南茂科技、ATSemicon等国内外知名封测厂建立了稳定的合作关系，确保供应链的持续稳定。

    （四）重视梯队化人才队伍建设

    公司高度重视人才团队的建设，构建了完善的内部培训体系，积极为管理层及业务骨干开展管理、业务、技术方面的培训及学习，注重人才梯队化培养与建设。同时，公司不断完善激励、约束机制，优化薪酬体系、完善绩效考核制度，建立、健全公司长效激励机制，充分调动公司各管理层和核心业务（技术）骨干的积极性，增强公司凝聚力，促进公司健康长远可持续发展。为了进一步建立、健全公司长效激励约束机制，吸引和留住优秀人才，充分调动公司核心团队的积极性，有效地将股东利益、公司利益和核心团队个人利益结合在一起，使各方共同关注和推动公司的长远发展，公司已连续三年实行股权激励计划。公司于2025年7月9日办理完成了公司2023年限制性股票激励计划首次授予部分第二个归属期第一批次归属、2024年限制性股票激励计划首次授予部分第一个归属期第一批次归属的股份登记手续。

    （五）贯彻合规及可持续化发展经营理念

    公司严格按照《公司法》《证券法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》等相关法律、法规、规章和规则及《公司章程》《信息披露管理制度》的要求，认真履行信息披露义务，保证信息披露的真实、准确、完整，进一步提升公司规范运作水平和透明度。结合公司实际情况、自身特点及内部控制制度和评价管理办法，建立了一套设计科学、简洁适用、运行有效的内部控制体系，并由审计委员会、内部审计部门共同组成公司的风险内控管理组织体系，对公司的内部控制管理进行监督与评价。

    公司通过定期报告、ESG报告、临时公告、业绩说明会、投资者交流会、上证E互动平台、电子邮件等多种渠道，全面而多角度地保持公司的高运营透明度，保障广大投资者和市场参与者能够全面了解公司经营状况和发展动态，增进市场对公司的了解与信任，有效提升公司信息披露的透明度，为树立良好的市场形象奠定了坚实基础。

    报告期内，公司披露了2024年度环境、社会与公司治理（ESG）报告，对公司在上述责任领域的实践与绩效进行了汇报与总结，详见公司2025年4月23日披露的《2024年度环境、社会和公司治理报告》。

    三、报告期内核心竞争力分析

    (一)核心竞争力分析

    公司自成立以来就聚焦中小容量存储芯片独立研发、设计与销售，是目前中国大陆少数能够同时提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片完整解决方案的厂商之一，产品被广泛应用于网络通信、监控安防、消费电子、工业控制、汽车电子等领域。在激烈的竞争中，公司构建起了以技术创新为引擎、供应链保障为基础、质量服务为支撑、人才团队为根本，同时高度重视知识产权的核心竞争力体系。

    （1）以技术创新为引擎，持续完善研发体系

    公司以技术创新为核心驱动力，基于研发团队在电路设计、工艺制造、封装测试等环节的深厚积累，建立了短、中、长期多层次开发计划，持续完善研发系统化平台，为产品快速迭代和工艺演进奠定基础。在NANDFlash领域，“1xnm闪存产品研发及产业化项目”已实现量产，设计与工艺持续优化，产品可靠性指标显著提升，并基于2xnm制程扩充产品料号；在NORFlash方面，基于48nm、55nm制程，研发64Mb-2Gb中高容量产品，围绕可穿戴设备、安防监控、物联网、汽车电子、端侧AI等应用领域，精确定位不同容量的客户需求，优化性能、功耗与性价比的合理匹配；在DRAM领域，围绕可穿戴，网络通信等应用领域，持续拓宽DRAM产品线，完善产品布局，把握市场份额增长机遇。此外，公司通过自研SLCNANDFlash及DRAM组合，提供多样化的MCP产品，满足5G通讯模块、车载模块、工业控制等应用需求。在车规级存储产品领域，公司SLCNANDFlash、NORFlash及MCP等产品通过AEC-Q100验证，完成国内多家整车厂的白名单导入并且持续推动多家海内外一级汽车供应商（Tier1）的供应商资质认证，进一步拓展高附加值市场。未来，随着汽车电子化、智能化和网联化的进一步推动，人工智能技术的大规模应用，端侧AI应用的不断兴起，存储芯片的需求不断增长，公司将继续以技术创新引领行业发展，为客户提供更优质、多样化的存储解决方案。

    （2）以供应链保障为基础，深化产业协同效应

    公司坚持“本土深度、全球广度”的原则布局供应链，在搭建和完善自主可控的国产化供应链体系的同时，与国内外供应商建立互助、互利、互信的合作关系，确保供应链高效运转和产品质量。报告期内，公司进一步优化产业链结构，加深与国际一流晶圆代工厂的合作范围与深度。

    公司通过签署产能保证协议、深化上下游合作，与战略合作伙伴携手应对市场波动，保障产能稳定。公司延续了和合作伙伴在高可靠性、低功耗存储芯片的特色工艺平台上的多年深度技术合作，持续在测试模型和测试向量上加大研发投入，有效提高了晶圆的产品良率和生产效率。同时，公司坚持“双轨并行”的发展策略，积极拓展境内外双代工模式，满足不同客户的需求。此外，公司与境内外知名封测厂建立了稳定的合作关系，可提供多样化的芯片封装选择。未来，公司将继续以供应链保障为基石，深化产业协同，为全球客户提供稳定、可靠的产品和服务。

    （3）以质量服务为支撑，提升全球客户的信赖

    公司始终秉持“品质”、“竞争力”、“客户满意”、“持续改进”的质量方针，以质量服务为支撑，不断优化服务流程和运营系统，持续提升产品质量与服务质量管理体系，致力于为全球客户提供高效、可靠的服务支持。报告期内，公司进一步完善了项目管理系统，实现了客户反馈的电子化管理平台，显著提升了客户需求的响应速度和处理效率。同时，公司建立了严格的车规质量管理体系，持续加强产品可靠性及生产制程的监控力度，努力为客户提供高可靠性的产品保障。公司将“客户服务”的理念贯穿于产品研发、生产、交付及售后的全生命周期，持续优化客户服务团队的管理能力。此外，公司积极引入先进的质量管理工具和方法，推动内部流程的标准化和精细化，为全球客户提供更具竞争力的产品和服务。未来，公司将继续以质量服务为支撑，深化质量管理体系创新，强化客户服务能力，持续增强全球客户的信赖与认可。

    （4）坚持以人为本，健全长效激励机制

    公司秉持“人才优先，服务发展，使用为本”原则，以市场需求与行业技术发展为导向，为核心技术储备人才制定培养计划，通过长期技术培训、专题讲座、团队技术专家“以老带新”等方式，提升员工专业素养、增强归属感与责任意识，扩充人才储备。同时，公司不断完善激励、约束机制，优化薪酬体系、完善绩效考核制度，建立、健全公司长效激励机制，充分调动公司各管理层和核心业务（技术）骨干的积极性，增强公司凝聚力，促进公司健康长远可持续发展。

    截至报告期末，公司拥有研发与技术人员206人，占公司总人数的63.19%，其中本科及以上学历人数占研发人员总数约98.54%。报告期内，公司积极开展2023年股权激励计划首次授予部分第二个归属期以及2024年股权激励计划首次授予部分第一个归属期的股权归属工作，有效地将股东利益、公司利益和核心团队个人利益结合在一起，使各方共同关注和推动公司的长远发展，并已于2025年7月9日在中国证券登记结算有限责任公司上海分公司办理完成股份归属登记手续。

    （5）保持高水平研发投入，坚持核心技术自主可控

    为推动存储芯片制程升级及可靠性水平提升，并以存储为核心，向“存、算、联”一体化领域布局，公司持续保持高水平研发投入。报告期内，公司研发费用1.05亿元，占当期营业收入30.74%，金额较上年同期持平。同时，公司高度重视知识产权的自主性与完整性，经过多年持续不断的研发和创新，拥有覆盖主流存储芯片领域的多项发明专利、集成电路布图设计权、软件著作权等知识产权。相关知识产权自主完整、权属清晰，为公司技术的持续创新和产品的市场竞争力提供了坚实保障。报告期内，公司获得发明专利授权8项（其中中国发明专利2项，美国发明专利3项，韩国发明专利3项）；申请集成电路布图设计权5项；申请注册商标8项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利121项、软件著作权15项、集成电路布图设计权86项、注册商标14项。未来，公司将继续坚持“技术驱动发展”的理念，保持高水平研发投入，深化核心技术的自主可控能力。

    (二)核心技术与研发进展

    1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况

    公司核心技术来源均为自主研发。经过多年的技术积累和研发投入，公司在NANDFLASH、NORFLASH、DRAM等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术。

    2、报告期内获得的研发成果

    报告期内，获得发明专利授权8项（其中中国发明专利2项，美国发明专利3项，韩国发明专利3项）；申请集成电路布图设计权5项；申请注册商标8项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利121项、软件著作权15项、集成电路布图设计权86项、注册商标14项。

    截至报告期末，公司累计申请境内外专利191项，获得专利授权121项，专利涉及NAND、NOR、DRAM等存储芯片的设计核心环节，公司技术实力不断提升。

    四、报告期内主要经营情况

    报告期内，公司实现营业收入34299.17万元，较上年同期增长28.81%；归属于上市公司股东的净利润-11096.85万元，同比亏损金额增加1984.74万元，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-12672.40万元，同比亏损金额增加2739.98万元。

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