国林科技：公司乙醛酸产品品质可满足实验试剂质量标准要求

证券之星消息，国林科技(300786)08月15日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。

投资者：公司是否有销售晶体乙醛酸实验试剂？一般这种98％纯度的晶体乙醛酸实验试剂价格是常规晶体乙醛酸价格的4-5倍。一般25kg，就是3000-4000元。请问公司有生产销售此类高价值乙醛酸一水合物（晶体乙醛酸）实验试剂吗？
国林科技董秘：尊敬的投资者，您好。公司乙醛酸产品品质可以满足实验试剂质量标准要求。感谢您的关注。

投资者：公司跟国产光刻胶客户有合作联系吗？就针对光刻胶臭氧清洗这块？
国林科技董秘：尊敬的投资者，您好。子公司国林半导体目前主要下游客户群体为半导体、光伏、面板等领域。感谢您的关注。

投资者：公司的业务布局里，新疆是重要的战略部分对吗？具体是什么？
国林科技董秘：尊敬的投资者，您好。2024年，子公司新疆国林所生产的乙醛酸及其副产品实现营业收入10,605.25万元，占公司营业收入比重40.98%，化工业务是公司在臭氧技术的应用领域的新探索。感谢您的关注。

投资者：公司及子公司是否有享受西部大开发政策的税收优惠？公司是否有参与西部大开发经济产业建设中？
国林科技董秘：尊敬的投资者，您好。新疆国林新材料有限公司目前享受西部大开发企业所得税优惠。感谢您的关注。

投资者：公司子公司国林新材料官网显示，公司可制备99％纯度的乙醛酸，是否属实？
国林科技董秘：尊敬的投资者，您好。公司生产的乙醛酸一水化合物合格品浓度≥98%，优级品浓度≥ 98.5%，公司可对产品进一步提纯以满足不同客户需求。感谢您的关注。

投资者：公司目前的半导体产品设备有生产出哪些半导体特种气体？
国林科技董秘：尊敬的投资者，您好。公司目前可提供“臭氧水发生器、氨水发生器、二氧化碳水发生器”等类型的机能水设备及臭氧气体发生器，可应用于半导体行业各品类的先进＆前沿制程中。感谢您的关注。

投资者：公司的半导体臭氧设备能否对提升国产晶圆及芯片的良率提供帮助？具体提高良率的原理是什么？
国林科技董秘：尊敬的投资者，您好。公司自主研发的半导体专用臭氧系统设备具备高浓度、高精度、高纯度及高稳定性的技术特点。在晶圆清洗环节，臭氧水可高效去除表面有机污染物和金属杂质，避免残留物导致的电路短路或性能缺陷，臭氧气体发生器在氧化工艺中形成均匀致密的氧化层，提升器件电性能，可以有效提升产品良率。感谢您的关注。

投资者：目前国内商业航天发射进入高频期，经查阅资料，发现火箭试车及发射时，会产生大量的助推剂废水需要处理。请问目前，公司的臭氧法处理火箭助推剂，是比较好的选择吗？其优点在哪？目前公司的火箭客户还在使用公司的产品技术吗？
国林科技董秘：尊敬的投资者，您好。火箭试车及发射过程中会产生大量废水，这类废水具有剧毒、成分复杂、致癌性强等特点，利用臭氧的强氧化性，可将水体中的大分子有机物氧化为小分子有机物，增强有机物的可生物降解性，提高处理工艺净化效率。臭氧氧化技术因其独特的优势，已成为处理火箭推进剂废水的重要方法之一。感谢您的关注。

投资者：目前臭氧水清洗成为3nm以下先进制程的优选方案。目前国际东京电子（TEL）实验显示，臭氧水对EUV 光刻胶的去除率比硫酸﹣双氧水混合液(SPM）高20%，且无硫残留。台积电在3nm制程中采用臭氧水预处理，使晶圆缺陷密度降低15%。ASML的混合工艺：臭氧水+兆声波（Megasonic）协同清洗，减少物理损伤。请问公司是否了解上述行业发展？公司能否介绍一下臭氧水在3nm以下制程的优势？
国林科技董秘：尊敬的投资者，您好。臭氧水在3nm及以下先进制程中的优势主要体现在其高氧化性、清洁效率和环保特性上，能够满足半导体制造对精度、缺陷控制和材料兼容性的严苛要求。感谢您的关注。

投资者：相比传统等离子蚀刻，臭氧蚀刻对基材损伤更小，适用于高精度图形化工艺。减少热应力，避免第三代半导体材料（如碳化硅）因高温导致的晶格缺陷。公司到底有没有蚀刻工艺的臭氧设备？能否用于第三代半导体制造？
国林科技董秘：尊敬的投资者，您好。公司现有半导体专用臭氧系统设备可以应用于蚀刻工艺、第三代半导体生产工艺。感谢您的关注。

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