立昂微：砷化镓HBT、pHEMT器件性能主要来自于外延结构设计

证券之星消息，立昂微(605358)04月24日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。

投资者提问：立昂东芯官网显示：解决了无线射频不同应用市场中对砷化镓外延生长材料性能的不同要求的关键技术，具有多种具有自主知识产权的铟镓磷（InGaP)外延生长材料以满足高线性度、低噪音、高可靠性等的不同需求。公司的砷化镓外延片不是外采的吗，为啥能解决砷化镓外延生长中的关键技术。

立昂微回复：尊敬的投资者：您好，感谢您对本公司的关注。砷化镓HBT、pHEMT器件性能主要来自于外延结构设计，利用能带剪裁、异质结带来的特殊特性实现性能提升，立昂东芯生产所需的外延片为公司设计后委托外延厂加工，材料结构的知识产权属于公司。此外，外延材料的特性需要结合工艺才能发挥作用，一些金属-半导体界面，工艺制程的蚀刻、热处理、表面处理等都会对材料特性形成影响，因此，分析外延品质、改进空间以及故障分析集中在晶圆加工产线，找到根因才是解决外延生长中关键层控制的核心要素。谢谢

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