东微半导获得发明专利授权：“IGBT器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示东微半导（688261）新获得一项发明专利授权，专利名为“IGBT器件”，专利申请号为CN202111561080.4，授权日为2024年12月24日。

专利摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种IGBT器件，n型半导体层内的若干个栅沟槽，位于栅沟槽的下部内的屏蔽栅，位于栅沟槽的上部内的栅极，栅极、屏蔽栅与n型半导体层之间互相绝缘隔离；部分屏蔽栅外接栅极电压并定义为第一屏蔽栅，剩余的屏蔽栅外接发射极电压并定义为第二屏蔽栅，第一屏蔽栅与第二屏蔽栅交替间隔设置；位于n型半导体层内且介于相邻的栅沟槽之间的p型体区，p型体区包括第一p型体区和第二p型体区两部分，第一p型体区位于靠近相邻的第一屏蔽栅的一侧，第二p型体区位于靠近相邻的第二屏蔽栅的一侧，第一p型体区的掺杂浓度小于第二p型体区的掺杂浓度。

今年以来东微半导新获得专利授权1个，较去年同期减少了66.67%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了3878.39万元，同比减1.65%。

数据来源：天眼查APP

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