SK海力士开发基于321层NAND闪存的UFS 4.1解决方案产品

SK海力士宣布，公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存的移动端解决方案产品 UFS 4.1。公司此次开发的新品较上一代基于238层NAND闪存的产品能效提升了7%。同时，成功将产品厚度从1mm减薄至0.85mm，使其能够适配超薄智能手机。（科创板日报）