(以下内容从开源证券《电子行业点评报告:存储行业跟踪报告——AI需求持续高景气,存储涨价仍在进行时》研报附件原文摘录)
核心观点:价格周期+AI产业趋势+关税多重共振,存储芯片价格有望持续上涨
据DRAMeXchange1数据,5/6月份DRAM和NAND价格维持涨势。供给端看,2025年以来各大存储厂商均发布减产计划,需求端看,海外云厂商资本开支维持较高水平,国内云厂商资本开支持续加码,持续饱满的算力需求将拉动存储市场持续扩容。此外,关税等外部环境亦对存储芯片价格产生了一定影响,综上我们认为在存储步入价格上行周期+AI产业趋势持续深化+关税的多重影响下,存储芯片价格有望持续上涨。
原厂减产叠加关税推动存储芯片价格持续上涨
DRAM和NAND闪存芯片的平均市场价格均呈现上涨趋势。DRAM方面,5月8GB DDR4内存颗粒的价格现已升至2.10美元,相比4月份的1.65美元上涨约27%,6月份DDR4维持涨势,据半导体产业纵横公众号数据,美光6月DDR4报价大幅跳涨50%,三星8GB DDR4的现货价格已达到4.8美元,明显高于3.3美元左右的平均现货价格,从现货市场看,近期DDR416Gb已涨价至6美元,超过DDR5同规格的5.8美元市场行情。同时韩国内存公司三星和SK海力士已明确通知客户停止DDR4的生产,据TrendForce数据,受DRAM主要供应商将逐渐收敛server和PC DDR4产出,加上美国关税导致买方提前备货等因素,第二季server与PC DDR4价格上涨,预期涨幅将分别季增18%~23%和13%~18%。NAND方面,5月用于记忆卡和USB的128GB NAND平均价格达2.92美元,较4月上涨4.84%。我们认为原厂减产叠加关税将推动存储价格持续上涨。
存力在AI产业链中至关重要,AI产业浪潮推动存储芯片需求提升
存储模组方面,存储模组是数据中心及服务器的关键组成部分,全球视角上看,海外云厂商资本开支维持较高水平,饱满的服务器需求有望推动存储模组市场持续扩容,从中国市场看来,国内云厂商资本开支持续加码,国内算力芯片出货量持续提升,国产存储模组有望迎来市场规模提升及国产化率提升的双击;GDDR方面,HBM采用TSV技术堆叠DRAM die以大幅提升I/O数,再配合2.5D先进封装制程,在维持较低内存频率的同时达到更显著的总通道宽度提升,目前已广泛应用于各类算力芯片中;利基存储方面,随边缘端算力发展,NPU+3DRAM或成为产业趋势,此外AI端侧亦将拉动Nor Flash等利基存储需求。
受益标的
(1)存储模组厂商:德明利、江波龙、佰维存储、香农芯创;(2)先进存储厂商:兆易创新、恒烁股份等;(3)边缘侧Nand/Nor flash厂商:兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份、恒烁股份、聚辰股份等。
风险提示:AI行业发展不及预期、下游需求不及预期。
