小摩：存储基本面稳健 仍看好SK海力士(SKHY.US)、三星及铠侠

智通财经APP获悉，摩根大通发布存储行业报告指出，2026年三季度存储厂商业绩整体偏正面，DRAM价格与HBM4进展继续超预期，NAND短期未见降价或下行周期迹象;但存储股自2026年高点回撤约45%，估值已降至2027年预期市盈率不足3.5倍，市场仍在AI融资可持续性、HBM降配及周期见顶担忧中摇摆。摩根大通维持对SK海力士ADR(SKHY.US)、三星电子、铠侠的“增持”评级，目标价分别为260美元、40万韩元、43334日元。未来三个月，该行偏好顺序为SK海力士ADR、三星电子、铠侠。

三季度业绩整体偏正面，个别公司面临短期扰动

报告称，存储厂商2026年三季度业绩整体好于预期：在汇率逆风下，每股收益和利润率仍超预期，定价上行、HBM价格谈判成功以及出货交付顺利。个别公司则存在短期扰动：三星电子缺乏即将到来的股东回报安排，铠侠2026年四季度指引偏弱;但摩根大通认为这属于暂时现象——三星电子的股东回报催化剂应在2027年1月回归，铠侠2027年一季度增长应高于季节性水平并领先同业。

终端需求信号仍分化：B2B方面，超大规模云厂商AI资本开支增长稳定，市场对明年的共识预期有所上修;B2C方面，PC和手机业务面临更大挑战。尽管如此，摩根大通认为，自下而上的存储供需基本面到2028年仍将非常稳健。

DRAM价格再超预期，四季度出货指引强劲

三季度DRAM价格再次超预期，DRAM ASP环比上涨23%，高于摩根大通此前高十几至20%的预期，带动各公司业绩温和超预期。增量惊喜来自四季度比特出货指引：存储厂商指引环比双位数增长，行业可能在2026年底实现高20%区间的同比比特出货增长。

HBM4方面，存储厂商已开始出货，并预计HBM4在比特和营收上分别于2026年三季度、四季度超越HBM3E。更重要的是，在价格谈判成功后，厂商预计进入2027年HBM相对传统DRAM的盈利差距将收窄。摩根大通此前提示，激进的HBM ASP上涨可能是双刃剑——一方面增强存储盈利，另一方面可能破坏需求;但全面顺利的谈判意味着终端客户风险大体可控。摩根大通预测2027年HBM ASP上涨96%。

厂商一致表示，2027年以后需求仍将超过供应，部分厂商甚至表示2027年存储已事实性售罄。摩根大通认为，在市场担忧AI融资与可持续性之际，一旦盈利开始证明韧性，这一指引应能缓解担忧。行业层面，DRAM供需预计紧至2028年，2027财年超过75%的产能已锁定。

NAND短期无降价/下行周期迹象

由于库存累积和中国产能增加，市场认为NAND最早2026年四季度进入价格下行周期，但摩根大通认为NAND行业基本面有韧性，近期没有降价或下行周期迹象。报告承认价格涨幅确实放缓，但铠侠12月季度指引不及预期主要是公司自身问题：9月季度有提前拉货，部分需求推迟明年3月季度。

NAND行业比特出货展望出现分化：美光指引2027年高达20%中段增长，SK海力士指引高十几区间，摩根大通认为这主要源于产能爬坡时点差异。结构上，由KV-cache卸载驱动的eSSD需求仍在持续，高性价比NAND方案将继续吸引云服务客户用于AI模型优化。根据调研，中国NAND厂商主要聚焦消费类应用，对国际eSSD需求威胁有限。

长期协议(LTA)覆盖范围正在扩大

三季度业绩中，每家存储厂商都预计2027年将有更多客户纳入LTA合同，三星电子和SK海力士均扩大了LTA客户范围，部分合同延伸至2030年以后。存储厂商普遍预计2027/2028年至少50%以上LTA覆盖;三星电子最积极，强调到2030年LTA覆盖率达60%-70%。

总而言之，摩根大通认为存储基本面稳健、2027年价格有望维持高位，但短期缺乏催化剂，相关公司股价可能区间震荡;中期风险回报仍有吸引力，维持全部覆盖公司“增持”评级，未来三个月偏好顺序为SK海力士ADR、三星电子、铠侠。