攻关4F²技术!长鑫存储“抢跑”下一代高密度DRAM架构 竞争担忧升温拖累三星电子、SK海力士股价重挫

智通财经APP获悉，中国存储芯片制造商长鑫存储(CXMT)在存储芯片技术领域取得了一项可与三星电子、SK海力士(SKHY.US)等竞争对手相媲美的突破，而后者为实现这一技术目标已经努力多年。据悉，长鑫存储正在加速推进下一代DRAM技术布局，并计划在今年年底前推出采用4F²存储单元架构的DDR5 RDIMM服务器内存产品。

长鑫存储“抢跑”下一代高密度DRAM架构

随着制程不断逼近物理极限，如何继续提升存储密度已成为DRAM厂商面临的核心挑战。4F²存储单元架构被认为是DRAM微缩过程中的重要技术节点。传统DRAM存储单元通常占用更大的硅面积，而4F²设计则通过进一步压缩单元尺寸，在相同晶圆面积上容纳更多存储单元，从而提高芯片容量并降低单位存储成本。

近年来，伴随生成式人工智能(AI)和大型语言模型快速发展，全球数据中心对高容量、高带宽内存的需求持续攀升。除了HBM高带宽存储器备受关注外，传统DDR5服务器内存市场同样迎来新一轮升级周期。对于存储厂商而言，谁能够率先突破更高密度DRAM技术，谁就有机会在下一阶段市场竞争中占据有利位置。

长期以来，包括三星、SK海力士和美光科技(MU.US)在内的全球主要存储厂商都在研究下一代高密度DRAM架构。不过，由于设计复杂度、制造工艺以及良率控制等方面难度极高，大规模商业化进展相对缓慢。因此，有业内消息称，如果相关计划顺利落地，长鑫存储在这一关键技术路线上的商业化进度可能领先三星电子约两年。

竞争担忧引发存储芯片股抛售潮

受长鑫存储在下一代高密度DRAM架构取得进展这一消息引发的竞争升温的担忧情绪影响，周二截至发稿，三星电子、SK海力士在韩国上市的股票分别跌约8%和11%，拖累韩国综合股价指数(Kospi)跌超5%。

与此同时，美股存储芯片股夜盘普跌。SK海力士美股跌近6%，美光科技、闪迪(SNDK.US)、西部数据(WDC.US)、希捷科技(STX.US)均跌超3%。

对于相关消息引发的存储芯片股抛售，Union Bancaire Privee董事总经理Vey-Sern Ling表示：“投资者目前情绪紧张，正在寻找获利了结的理由，尤其是那些今年表现优异的AI相关股票，特别是存储芯片股票。”

值得一提的是，除了长鑫存储在下一代高密度DRAM架构取得进展这一消息之外，导致存储芯片股遭遇抛售的原因还包括两大芯片巨头的高管所发表的言论。博通(AVGO.US)CEO陈福阳周一在新加坡的一场活动上表示，在整个行业竞相建设基础设施、为日益复杂的AI模型提供算力支持之际，融资可能成为AI扩张面临的更大障碍，其影响甚至可能超过半导体、存储芯片或电力的短缺。

同台亮相的英特尔(INTC.US)CEO陈立武也表达了对融资问题的担忧。他指出资本成本不断上升，同时市场也在质疑那些大举投资AI的企业最终能否获得足够的回报。陈立武说道：“如果说眼下存在什么挑战，那就是资本以及资金成本。另一方面，从长远来看，人们希望看到投资回报率(ROI)。”

新架构有望提升竞争力 但商业化进程仍有待验证

最新消息显示，长鑫存储正计划率先将4F²架构导入DDR5 RDIMM产品。RDIMM即注册式双列直插内存模块，主要面向服务器和数据中心市场，广泛应用于AI训练、高性能计算以及云计算基础设施。

目前行业采用的6F²标准，是指芯片表面积相当于“特征尺寸”(feature size)平方的6倍——特征尺寸是指晶体管之间的基本线宽。长鑫存储总裁表示，该公司正通过堆叠技术改变晶体管的布局方式。这种所谓的“垂直环绕栅极”(Vertical Surrounding Gate)方案有望降低漏电及其他副作用——长期以来，更大型竞争对手在尝试将尺寸缩小至6F²以下时一直面临这一问题。

业界认为，如果长鑫存储能够按计划完成产品发布并实现稳定量产，将意味着其不仅在产能规模上持续扩大，同时也在核心DRAM架构创新领域取得突破。对于服务器市场而言，更高存储密度意味着能够在相同空间和功耗条件下部署更大容量内存，对AI数据中心的吸引力尤为明显。

有报道指出，目前三星电子在类似技术路线上的量产时间表预计仍需数年时间。如果这一判断准确，长鑫存储在4F²架构相关产品的商业化方面可能获得约两年的时间优势。不过，由于相关项目仍处于推进阶段，最终量产进度、产品性能以及实际良率水平仍有待进一步验证。

长鑫存储正在加速先进存储芯片的生产，以满足不断飙升的AI需求。尽管长鑫存储在高带宽内存(HBM)领域仍然落后，但该公司在更广泛的DRAM市场上正稳步取得进展。Counterpoint Research汇编的数据显示，今年第二季度，长鑫存储在DRAM市场的份额已经扩大至10%，而一年前这一比例仅为4%。如果能够制造出复杂程度更高的产品，也将使该公司在未来几年全球供应紧张局面开始缓解之际获得更有利的竞争地位。

晨星(Morningstar)分析师Jing Jie Yu表示：“如果长鑫存储能够成功并更早地在DRAM生产中实施4F²架构，将大幅提升其相较于同行的竞争地位。不过，存储行业龙头企业以及设备制造商都同样强调了这一技术转型的难度，我们仍预计，长鑫存储4F²产品的发布与其达到具备商业可行性的良率并实现商业化之间，将存在明显的时间差。”