长江存储与中国三维闪存的十年

近日，三维闪存巨头长江存储控股股份有限公司（以下简称“长存控股”）的科创板IPO审核状态变更为“已受理”。

这意味着，中国资本市场即将迎来首家三维闪存IDM（垂直整合制造）企业。而在这一历史性时刻的背后，是一部中国企业挑战全球存储格局的成长史。

时间回到2016年，长存控股的前身长江存储科技控股有限责任公司在武汉成立。彼时，全球存储芯片市场被三星、SK海力士、美光、铠侠等巨头牢牢垄断，中国在3D NAND领域几乎一片空白。

十年后的今天，局面已彻底改写。据Counterpoint Research统计，2026年第二季度，长江存储全球NAND位元出货份额达到14%，仅次于三星电子的25%和SK海力士的22%。

层数追赶

NAND Flash诞生于1987年，最初采用平面（2D）结构。但当2D NAND微缩到十几纳米节点后，遇到了物理瓶颈。

2013年，三星率先量产24层3D V-NAND，自此，全球存储巨头便纷纷转向三维闪存。有二维闪存厂商人士告诉21世纪经济报道记者，2014年以来，韩国、日本、美国的二维闪存技术停滞不前，制程未进一步演进；研发重点转向了三维闪存，也就是垂直堆叠。

彼时，中国大陆尚未量产任何NAND闪存，存储产业基本处于空白状态。

2016年3月，国家存储器基地在武汉启动。同年7月，总投资约1600亿元的长江存储科技有限责任公司正式成立——长江存储项目是2016年国家大基金单笔出资最大的项目。

这一年，韩国、日本的3D NAND闪存已演进至48层，美国则已演进至32层。

长江存储则从32层起步研发：2017年，第一代3D NAND闪存（32层）实现首次流片，成为中国首款自主3D NAND闪存；2018年，32层3D NAND闪存正式量产，标志着中国在全球NAND闪存领域实现了从0到1的突破。

存储芯片行业平均每1.5-2年完成一次技术迭代。2019年，长存控股量产了第二代3D NAND闪存，层数达64层。

2020年，长江存储第三代QLC 3D NAND闪存（128层）实现首次流片，跳过96层，直接从64层进入128层。跳代研发让长江存储缩短了与国际巨头的差距，完成从“跟随者”到“并跑者”的转身。

两年后的2022年，长江存储推出232层3D NAND闪存，成为全球首批推出200层以上3D NAND Flash产品的企业，实现国内存储技术首次达到世界先进水平。

这场追赶并未就此止步。2025年，长江存储率先推出294层3D NAND闪存芯片，在堆叠层数上处于全球领先地位。

截至2026年3月末，行业内300层以上3D NAND产品已量产出货。前述二维闪存厂商人士观察到，2026年，各大厂商都已将300层左右的产品推向了市场，现在大家甚至都在往400层的方向去研发。

产能跟进

从64层到232层，再到294层，长江存储用短短几年追赶上了国际巨头。然而，产品上的追赶并未立即转化为市场地位。

截至2022年，长江存储在全球NAND闪存市场的份额约为4.8%，国际市场仍由三星、铠侠、美光、SK海力士、西部数据五家企业垄断。

技术的进步，最终要靠产能落地。2023年以来，长江存储持续扩建产能。招股书显示，2023年、2024年、2025年，该公司购建固定资产、无形资产和其他长期资产支付的现金分别为213.16亿元、310.12亿元、361.92亿元，持续走高。

值得一提的是，2023年存储行业正处于一轮下行周期，三星、SK海力士、美光纷纷宣布减产和缩减资本支出。

长江存储此时的大手笔扩产虽然导致短期内库存高企、账面亏损严重，但通过叠加降价策略，成功在巨头减产期实现了“份额替代”，打破了寡头对市场的绝对垄断。

随着产能增加，长存控股市场份额逐步攀升。按出货量口径，其NAND闪存市场份额在2025年已跻身全球前四，与三星、铠侠、SK海力士等头部厂商同处第一梯队。

今年以来，该公司再前进一个位次。根据TrendForce数据计算，2026年1-3月，其在全球NAND Flash厂商中，按销售金额和出货量排名，均位列全球第三、中国第一。

但长存控股在招股书中坦言，该公司产能规模与国际存储巨头仍存在差距，未来一段时间仍需保持高额产能建设及产线升级投入。

三维闪存下半场

长江存储主导了我国3D NAND技术从零起步并达到国际一流水平的跨越式发展进程。当这家企业的IPO钟声响起，中国三维闪存的下一个十年，才刚刚开始。

当前，全球NAND Flash市场处于供不应求的高景气周期。招股书指出，由于AI技术正逐步改变生产生活的各个方面，本轮周期上行趋势强于此前两轮周期。

这一轮景气度的核心驱动力，正是AI对存储的深度重塑。例如，AI大模型训练与推理对底层存储提出了远超传统服务器的性能要求：训练阶段需持续吞吐PB级海量数据，支撑多轮迭代与参数更新；推理阶段需处理高频次并发请求，对I/O响应时延极为敏感。上述场景要求NAND Flash存储产品具备更高带宽、更快接口速度、更低读写时延，以消除数据访问瓶颈，充分释放GPU算力。

需求端的强劲拉动，最终传导至技术端，推动行业持续突破堆叠工艺上限。然而，3D NAND产品在向超高层堆叠升级过程中，晶圆应力管控、高深宽比沟道孔刻蚀、横向电荷损失成为主要技术瓶颈。为突破瓶颈，晶圆混合键合、多堆栈堆叠、存储单元多值存储成为3D NAND产品向更高容量迭代的核心技术路线。

而在“堆叠上探”之外，面向新兴推理场景的产品形态创新也在同步展开。业内正在研制高带宽闪存等新型产品，以多层堆叠3D NAND为基础，融合硅通孔、微凸点和混合键合技术，在带宽性能接近HBM的基础上，实现更低成本、更大容量。

招股书也指出，NAND Flash市场高景气度持续时间存在不确定性。当市场需求增速放缓或主要存储厂商快速扩产及重新调配产能导致供给大幅增加时，产品价格可能出现回落。同时，该公司直面与国际巨头的激烈竞争，国内外经济形势、产品技术发展状况、原材料及设备供应情况、地缘政治等多方面因素均可能影响公司业绩表现，导致公司毛利率、净利润水平明显波动，甚至亏损。