中国NAND势力改写全球存储格局! 长江存储出货超越铠侠与美光，NAND竞争进入“中韩三强”阶段

智通财经APP获悉，根据市场研究机构Counterpoint Research的最新数据，来自中国的NAND存储巨头长江存储(YMTC)正在全球NAND闪存市场迅速扩大份额，并在2026年第二季度按出货量基准计算升至全球第三位——仅次于总部位于韩国的全球两大存储芯片巨无霸三星电子以及SK海力士。近期三星、SK海力士以及希捷、闪迪、西部数据等一众存储芯片领军者公布强劲业绩，以及两大存储巨头占据50%权重的韩国股市较7月30日低点大幅上涨超20%，进入技术牛市区域，凸显出AI基建狂潮驱动的HBM/DRAM/NAND存储超级周期仍在强势上演。

NAND闪存技术，可谓正在从长期以来被业内人士定位的传统“冷数据/容量存储”资产，全面升级为AI推理时代的“扩展型准内存层”，它很可能成为继HBM超级存储系统之后存储芯片产业最重要的前沿技术风口之一。由NAND闪存构建出的HBF技术路线的重磅出现(即“高带宽闪存”)，可谓进一步强化了这一判断。

铠侠、闪迪(Sandisk)、SK海力士以及三星明确把高带宽闪存(HBF)定义为一种面向AI“内存墙”的新型NAND形态，目标是在AI推理中提供更大容量，并声称HBF在相关推理测试中可实现接近“无限容量HBM”的综合传输性能，同时显著提升可用内存容量。闪迪与SK海力士已发布首份OCP技术规范，试图把高容量、持久性NAND放置得更接近AI加速器，以缓解推理阶段的“内存墙”，在容量远高于HBM的同时提升带宽并降低Token服务总体成本;它并非短期替代HBM，而可能在HBM与传统SSD之间创造新的近计算存储层。

从国产替代到全球第三!长江存储出货量超越铠侠、美光，NAND产业链迎来中国力量

Counterpoint统计数据显示，长江存储拿下了第二季度全球NAND出货量14%的市场份额，略微超过日本NAND闪存领军者铠侠(Kioxia)，并且领先于总部位于美国的DRAM/NAND存储芯片巨头美光(MU.US)的13%市场份额。韩国存储巨无霸三星电子(Samsung)仍以25%的市场份额保持全球第一，SK海力士则以22%份额位居第二。

最新存储产业链以及整个AI算力产业链需求动态数据共同显示，AI算力需求带来的存储芯片需求扩张之势正在从HBM/DRAM向NAND快速外溢，而天量级别的AI推理工作负载正在成为NAND这一轮需求结构变化的核心发动机。

持续炸裂式扩张的AI算力需求所驱动的史无前例存储需求激增、制造与封装工艺极度复杂的HBM存储愈发挤占产能、通用DRAM/NAND供给弹性长期不足共同催化出当前存储芯片领域的“超级供给紧缺周期”。

三星电子与SK海力士因将产能加速迁移至先进制造和封装、测试复杂得多的HBM存储系统，因此近期持续面临产能限制，同时三星电子还将更多产能资源聚焦于利润率更高的企业级服务器DRAM存储组件，共同导致三星NAND产量受到限制，但是三星仍然凭借数年来的产能布局以及品牌影响力位列市场份额第一。SK海力士的表现则受到旗下Solidigm子公司的强劲推动，后者Bit出货量环比大幅增长40%。

与此同时，长江存储出货规模同比大幅增长22%、环比增长5%，受益于全球广泛存在的供应短缺。公司加速扩大了面向国内OEM厂商的NAND存储产品线出货，同时实现267层3D NAND的大规模量产，并基于其Xtacking架构推进300层以上的最前沿NAND闪存技术。

在该机构的上一统计季度排名第三的铠侠，其超过30%的出货面向服务器市场，但AI服务器集群价格大幅上涨抑制了客户们采购进程，使其NAND产能增长速度落后于长江存储。美光则在出货量排名中位列前五，同时其总体营收排名仍高于长江存储。

值得注意的是，尽管长江存储按NAND出货量计算已排名全球第三，但按总体营收计算的基准排名则是位列第五，落后于美光和铠侠以及三星、SK海力士。Counterpoint这份研究报告指出，其营收排名相对较低，反映出其产品组合仍主要集中在消费电子级的NAND层面应用，而价格更高的数据中心企业级SSD(eSSD)占比相比于其他NAND巨头们而言较小。

AI推理把NAND从“存储仓库”推上算力前线!eSSD吞下近半全球出货，HBF或成继HBM之后下一场存储超级行情

Counterpoint刚刚公布的2026年第二季度NAND出货数据报告对于聚焦AI算力主题的投资们而言尤其关键，数据显示，服务器企业级SSD(eSSD)已经占全球NAND Bit出货量的48%，几乎是去年同期26%的两倍，并预计年底突破50%;全球NAND产业收入同比更达到约5倍。更早时候的TrendForce数据显示，Q1企业级SSD整体营收环比暴增86.1%至184.6亿美元，供应商库存降至历史低位，eSSD合同价单季上涨约80%。

人工智能大型训练集、模型权重、检查点、向量数据库、RAG语料库、多模态数据、日志和推理结果都需要长期驻留在高容量存储中;训练时，大规模数据需要持续从对象存储和本地NVMe SSD送入GPU集群;推理时代则进一步产生海量KV Cache、长上下文、智能体状态和检索数据。

HBM承担最高带宽的“热数据层”，DRAM承担系统工作内存，而企业级NAND SSD承担容量远大于HBM、成本更低的“温数据和持久化层”。因此，NAND不是替代HBM，而是在AI服务器的存储层级中与HBM、DRAM共同扩容。

AI时代不仅迫切需要计算模型，更需要持续搬运、保存和低延迟调用海量状态数据。HBM与DRAM负责GPU附近的最高带宽工作集，但模型权重、训练数据集、检查点、向量数据库、RAG知识库、推理日志、智能体长期记忆以及部分KV缓存分层，不可能全部常驻昂贵且容量有限的HBM;企业级NVMe SSD因此承担HBM/DRAM与HDD、对象存储之间的高性能持久层。

HBF(高带宽闪存)则很有可能成为NAND下一轮最大规模的结构性需求增量之一——甚至一些分析师强调最新的HBF技术规划与展望意味着“NAND试图复制HBM的历史时刻”，闪迪与SK海力士在8月刚刚发布首个开放HBF技术规范：它基于3D NAND，却不再只是远端SSD存储，而是通过先进封装和UCIe接口靠近CPU/GPU/xPU，单封装最高可做到512GB容量、0.4—3.0TB/s带宽;闪迪(Sandisk)计划2026年下半年提供首批HBF样品，首批搭载HBF的AI推理设备预计2027年初进入样品阶段。

HBF真正革命性之处在于，它有机会把NAND从传统“Storage Tier”提升成AI加速器附近的高容量Memory Tier：模型权重(Model Weights)、RAG向量数据库、长期上下文以及部分推理数据不再全部挤在昂贵HBM里，而可以大量迁移到容量密度更高、单位Bit成本更低的NAND。如果这种架构被大型GPU/XPU厂商和云计算巨头们(即Hyperscalers)广泛采用，NAND每台AI服务器的内容量可能发生数量级跃迁，这就是HBF最大的“超级爆点”潜力。

对于存储芯片股票看涨情绪而言，摩根士丹利资深分析师，Shawn Kim从此前的“空头代言人”转向认为调整接近尾声，是重要的市场信号，但更准确的理解不是“他突然认为存储价格永远上涨”，而是他认为市场已经把“价格二阶导数下降”交易得过头了。 摩根士丹利调研报告显示，Q3 NAND合约价格预计将在上季度高基数基础背景下环比大幅上涨20%，且产业正在继续把产能从消费端转向eSSD;与此同时，Kim把下一阶段股价驱动力从单纯的ASP上涨，转向“LTA长期供货协议+自由现金流增长轨迹(FCF)+强劲资本回报”。

从AI系统工程角度看，这一轮存储超级周期最大的不同，是HBM/服务器DRAM/企业级SSD正在从普通周期品升级为AI算力系统的物理瓶颈。马斯克在SpaceX 2026年第二季度财报电话会上罕见点评存储市场，他在电话会上表示，存储供给每年增长约20%，但需求增速高达200%甚至更高，供需严重失衡，价格上涨是经济学基本规律。SK海力士CEO郭鲁正此前在7月电话会议上表示，2027年可能成为全球存储行业有史以来供应最紧张的一年，并且客户需求超过公司供应能力的状态可能延续至2030年以后。