Wedbush：联发科EMIB良率评论“完全证实”谷歌TPU转单英特尔(INTC.US)封装

智通财经APP获悉，英特尔(INTC.US)的先进封装技术正在迎来一个关键转折点。联发科(MediaTek)在上周的法说会上明确表示，英特尔EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)先进封装技术的良率“已达到非常不错的水准”。这一表态迅速引发了华尔街的高度关注——Wedbush分析师指出，联发科的评论“进一步验证了英特尔在封装领域的进展”，并可能意味着谷歌(GOOGL.US)的TPU订单已近在咫尺。

联发科“官宣”：良率达标，第二代ASIC 2028年准时量产

联发科CEO蔡力行在上周的法说会上，对英特尔EMIB-T封装技术的进展给出了迄今为止最明确的正面评价。他表示，后段封装技术是整颗复杂ASIC的关键环节，联发科与供应商的合作已经深入到载板良率改善、产能供应与生产周期时间等营运细节，“逐项管理”。

蔡力行坦言，EMIB在良率改善与技术成熟度上进展良好，足以赶上2028年量产的时程表。联发科财务长顾大为在面对“是否需要预留台积电CoWoS产能作为第二代专案备援”的提问时，更直接表示——以第二个专案目前得到的所有正面数据与结果来看，联发科有信心如期达成量产任务，现行EMIB路线已无需备案。

据供应链信息，英特尔EMIB-T封装后段生产良率已突破90%，达到量产门槛，预计2026年正式量产。成本方面，EMIB-T以小面积矽桥取代昂贵的大面积矽中介层，封装成本较台积电CoWoS方案降低超过四成。

Wedbush：联发科评论“完全证实”谷歌TPU转单猜测

Wedbush分析师Matt Bryson在最新报告中指出，联发科关于EMIB良率的表态具有多重含义。

第一，谷歌TPU采用EMIB的猜测已被“完全证实”。 此前市场已传闻谷歌下一代TPU将弃用台积电CoWoS、转向英特尔EMIB-T封装。联发科作为谷歌TPU的核心ASIC设计伙伴，其对EMIB良率的正面评价，直接验证了该技术路径的可行性。

第二，联发科与谷歌的合作正在升温。 Bryson指出，联发科管理层在上周法说会上将2027年AI ASIC市占率目标从10%-15%上调至15%-20%。按2027年可服务市场(SAM)800亿美元计算，对应潜在营收可达120亿至160亿美元。首款AI ASIC预计2026年第四季量产，确定带来20亿美元营收贡献。

英特尔封装业务的“双重突破”

联发科的背书并非孤立事件。英特尔在封装领域正同时迎来技术和商业的双重突破：

技术层面，EMIB-T是英特尔新一代2.5D先进封装技术，被定位为台积电CoWoS的低成本替代方案。通过硅通孔实现垂直供电，去除昂贵的中介层，大幅降低成本并提高硅片利用率。英特尔宣称2026年可达8至10倍光罩复合体尺寸。

商业层面，英特尔晶圆代工事业(IFS)上月刚刚宣布网络安全大厂飞塔信息(FTNT.US)成为其首个公开命名的外部代工客户。若谷歌TPU封装订单落地，将成为IFS迄今最具分量的外部客户合作。

摩根大通认为，英特尔与谷歌的合作案应局限於封装业务而非晶圆代工——TPU仍将由台积电代工，英特尔仅负责封装。即便如此，对英特尔而言这仍是重大突破——先进封装是AI芯片制造中增长最快的环节之一，而台积电CoWoS产能长期供不应求。

联发科的AI ASIC蓝图：从20亿到160亿美元

联发科的AI ASIC业务正呈现爆发式增长轨迹：

联发科同时采用台积电CoWoS与英特尔EMIB-T双封装策略，以应对不同客户的大型AI芯片设计需求。蔡力行强调，第二代ASIC的“performance per TCO”和“performance per watt”都将大幅提升。花旗银行更乐观预估其2027年相关营收可达180亿美元。

结语

联发科对EMIB良率的正面评价，使英特尔在先进封装领域的技术路线得到了来自核心合作伙伴的最高级别背书。Wedbush认为这“完全证实”了谷歌TPU将采用英特尔EMIB的猜测。

对英特尔而言，若谷歌TPU封装订单正式落地，将是其IDM 2.0转型战略的重大胜利——证明其不仅能在晶圆制造领域争取外部客户(Fortinet)，更能在增长最快的先进封装环节与台积电正面竞争。而对联发科而言，从20亿美元到160亿美元的AI ASIC营收增长曲线，正在将其从“手机芯片之王”重塑为“AI芯片的重要玩家”。