国产DRAM龙头即将登陆科创板 长鑫科技IPO注册申请获证监会同意

国产DRAM龙头即将登陆资本市场。6月12日，证监会同意长鑫科技首次公开发行股票并在科创板上市的注册申请。不过，近期全球范围内存储巨头股价波动加大，开始引发系列担忧和防范。

作为科创板落地“预先审阅”改革后的首单试点项目，长鑫科技在2025年12月30日科创板受理，到本次注册生效，历时165天完成审核，创下国内大型硬科技IPO审核高效率记录。

长鑫科技为无控股股东、无实际控制人架构，由创始团队主导日常经营。前五大股东包括清辉集电、长鑫集成、大基金二期、合肥集鑫、安徽省投，其中，合肥国资体系合计持有长鑫科技股权比例约37%。另外，朱一明通过合肥集鑫上层合伙人平台获授予15.36亿股作为激励股份，计划将获授股份50%将在上市后10年内全部分配给公司员工（不含其本人）用作激励。

受益于AI服务器算力需求爆发，全球DRAM景气度持续攀升，长鑫科技近期业绩迎来爆发式增长，盈利规模跻身A股头部梯队。2026年一季度公司实现营收508亿元，同比暴涨719.13%，归母净利润247.62亿元，扣非归母净利润263.41亿元，单季度营收、净利润两项指标均居科创板所有上市公司首位。

结合公司披露的上半年业绩预告，2026年上半年预计营收实现1100亿至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%，归母净利润预计500亿至570亿元，盈利增长势头延续。

在技术上，长鑫科技采取“跳代研发”，完成从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代，目前核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。

本次公司IPO募集资金295亿元，创下科创板IPO拟募资额之最，将投向“存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目”“DRAM存储器技术升级项目”和“动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目”。

当前全球DRAM行业格局，海外寡头垄断格局依旧稳固，长鑫科技是唯一实现突围的中国大陆厂商。根据Omdia2025年第四季度销售额统计数据，SK海力士、三星电子、美光科技合计垄断超91%的全球市场，长鑫科技以7.67%的份额稳居全球第四、国内第一，打破了海外巨头的技术与市场双重封锁。

随着长鑫科技注册落地，国内存储国产化布局迎来关键节点。国产闪存原厂长江存储已于5月19日上市辅导备案，启动IPO流程，是中国最大的NAND Flash制造商，公司正加速产能布局，致力于打造世界级存算一体产业化基地。

分析认为，两大国产存储原厂先后登陆A股后，将借助资本市场募资加速产能扩张、设备材料国产化替代，带动上游刻蚀、薄膜、光刻配套以及下游封测全产业链发展，补齐国内半导体存储板块长期短板。

在长鑫科技推进上市进程之际，国际存储巨头市值年内持续飙升，行业估值逻辑正在尝试重构，从“传统周期股”向“AI基础设施成长股”切换。不过，最新消息称，全球主要银行正围绕对冲基金押注SK海力士及三星电子的杠杆头寸实施管控，包括提高这两只股票互换交易的融资利率，旨在应对上述芯片股今年来急剧飙升后积累的潜在回调风险。

当前存储芯片市场仍保持高景气度。据CFM闪存市场机构最新预测，2026年一季度全球DRAM/NAND Flash市场规模达1371.4亿美元，环比增长81.6%，同比增长245%，创历史季度新高。另外，受供需错配影响，存储紧缺涨价格局仍具备较强延续性。