AI越火，手机越贵？

3月，国内消费电子市场感知到了“芯”跳加速。

一周之内，两大头部手机厂商接连官宣涨价，拉开了终端成本传导的序幕：3月18日，vivo上调了部分产品的建议零售价。就在两天前，OPPO也开始调整部分已发售产品价格。

两家厂商的调价动作指向同一个核心原因：全球半导体及存储成本持续大幅上涨。

国产算力侧同步迎来涨价潮。就在手机厂商宣布提价的3月，阿里云、百度智能云也接连发布调价公告，对AI算力、存储等核心产品进行价格上调，最高涨幅达34%。

而在今年1月，全球云计算龙头AWS打破近20年“只降不升”的传统，对大模型训练用EC2机器学习容量块提价15%。

手机与云服务，看似处于产业链的两端，却在同一时间感受到了相同的成本压力。背后是一场由AI引发的、正在重塑全球存储芯片供需格局的“蝴蝶效应”。

为了满足AI服务器的爆发式需求，三星、SK海力士等上游原厂将超过80%的先进产能，优先分配给利润率更高的HBM高带宽内存，从而严重挤压了消费电子所需的LPDDR和NAND闪存供应。

AI引发的“结构性挤占”，正让存储芯片进入一个非典型的超级周期。

01

AI算力需求引发“结构性挤占”

全球半导体及存储成本持续大幅上涨的脉络可以倒推至一年前。

·2024年四季度，价格上涨信号就已初步显现。AI服务器需求彼时就开始挤压消费电子产能，存储厂商优先供应利润更高的AI服务器存储产品（如HBM、DDR5），消费级DRAM/NAND Flash出现结构性缺货迹象，半导体产业链各环节开始感受到成本压力。

2025年，存储价格开始明显上涨，并呈现出随季度加速的态势。二季度，部分品类季度累计涨幅超过300%，中国AI供应链需求强劲，进一步推高半导体价格。四季度，内存价格进入快速上升通道，金士顿16G普条内存从200元左右开始上涨。

Counterpoint Research在2025年12月发布的《全球智能手机出货追踪与预测》就显示，受存储芯片成本大幅上涨影响，2026年全球智能手机市场将呈现“量减价升”态势，预计2026年智能手机均价将上涨6.9%

爆发式上涨发生在今年前三月：存储价格大幅上涨，服务器高端DDR5模组涨幅超600%；消费级DDR5内存模组涨幅达250%-400%；美光科技2026E毛利率预期达67.3%（2025年为39.8%。

“存储涨价潮”的根源，在于AI大模型的爆发式增长，人工智能大模型从聊天对话走向多步骤执行应用，伴随数十倍的Token消耗，推理算力需求呈指数级增长。

国家数据局统计显示，截至2025年9月底，中国日均token消耗量已突破40万亿，和2024年初相比增长400多倍。今年春节期间AI Agent应用爆发，Token调用量更是迎来一轮激增。

而在今年2月，中国大模型单周调用量达到5.16万亿Token，三周内增长127%，首次超过美国模型的2.94万亿Token，全球开发者生态影响力取得实质性突破。

这些都直接拉动了云厂商对HBM、高端DDR5、企业级SSD等高性能存储芯片的大量采购。

当上游原厂将先进产能优先分配给利润更高的服务器市场时，就形成了对消费电子（如手机用LPDDR）的产能挤占，最终引发全线涨价。

苏商银行特约研究员付一夫表示，上游供应链成本结构性暴涨与产能失衡，AI大模型爆发导致云厂商、服务器厂商疯狂抢占存储芯片产能，三星、SK海力士等优先供应高利润服务器市场，手机用DRAM、NAND闪存供给严重不足，价格翻倍。

02

中低端需求的“真空”

2026年AI服务器的需求迅速膨胀。AI训练对存储的要求已从“容量驱动”转向“性能驱动”，高带宽内存（HBM）成为算力芯片的“标配”。

面对AI服务器市场的爆发式需求，三星、SK海力士、美光三大寡头选择高度一致，将80%以上的先进产能优先分配给利润率更高的HBM（高带宽内存）和高端DDR5-2-9，直接挤压了手机端LPDDR的供应。

这就是所谓的“产能结构性倾斜”，生产高端存储芯片的产线，无法同时供应中低端需求。而一座存储晶圆厂的建设周期需要一年半到两年，即便现在大规模投资，新增产能也要到2027年底才能显著释放。

北京社科院副研究员王鹏表示，上游存储原厂调整产能布局，集中资源发展高端产品线、削减低端产能，且新增产能释放滞后，市场整体供应紧张，推动价格上扬。

另有行业观点认为，本轮存储价格上涨会进一步加剧手机行业集中度提升，风险最高的三类厂商是中小品牌、以低端机型为主的厂商、供应链来源单一且议价能力弱的厂商。

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价格新高，库存拉响警报

据国家发展改革委价格监测中心的数据，截至今年1月，DRAM与NAND闪存价格双双创下自2016年有记录以来的历史新高，主流型号DRAM合约价较去年9月上涨83%，NAND闪存涨幅更是逼近1.5倍。

更值得警惕的是，全球三大存储巨头三星、SK海力士、美光垄断90%以上的DRAM产能，并将大部分先进产能转向高毛利率产品，导致消费级存储芯片供应急剧收缩。三星2026年底HBM占DRAM产能比例将从23%提升至37%；SK海力士从28%升至33%；美光从16%升至28%。

在高端产能疯狂扩张的同时，中低端存储的产能空间被严重挤压，加之半导体晶圆厂扩建周期长达2至3年，短期无法释放新产能。

库存告急、价格冲顶、寡头转产，这场由AI算力爆发引发的“存储慌”，正从上游晶圆厂向下游的手机、云计算终端加速传导。

04

国产替代迎来窗口期

自国际存储芯片价格上涨以来，国产替代厂商的报价吸引力相对上升。

业内人士透露，过去两周国产替代部分芯片产品的询单量明显上升，部分国内手机品牌采购团队开始重估国产芯片的导入比例。

SEMI提供的数据显示，2020年至2030年间，中国晶圆产能将从490万片增至1410万片，增长近三倍，全球市场份额从20%升至32%。2028年全球将新建108座晶圆厂，其中亚洲占84座，中国独占47座，超过亚洲新增产能的一半。

大同证券研报指出，2025年6月以来DRAM价格呈现强劲的上升趋势，直接反映了AI服务器、新一代PC和数据中心对高性能内存的强劲需求，存储芯片行业正进入新一轮景气上行周期。

在地缘政治背景下，半导体产业链的国产替代正在加速推进。关键环节（如刻蚀、清洗）国产化率的提升，说明国产设备已逐步从验证期进入放量期。在此趋势下，国内晶圆厂扩产带来的国产设备与材料订单机遇值得关注，特别是那些已在主流产线实现批量供货、技术壁垒较高的细分领域龙头。

前述研报认为，当前TMT行业热点主要围绕“AI硬件”和“国产替代”两条主线展开。前者与全球科技巨头的资本开支高度相关，后者则具备明确的政策支持与产业升级背景。