来源:半导体行业观察
2025-12-21 12:00:56
(原标题:三星,超越美光)
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今年第三季度,三星电子超越美光科技,重夺高带宽内存(HBM)市场第二的位置。此前,该公司在第一季度和第二季度一度落后于美光,位居第三,但随着HBM3E(第五代)产品供应量的增加,其市场份额呈现回升趋势。在DRAM市场,三星也紧随领先企业SK海力士之后。
据市场研究公司Counterpoint Research 12月19日发布的数据显示,三星电子第三季度全球HBM市场份额(按营收计)达到22%,较上一季度的15%大幅增长7个百分点。同期,美光科技的市场份额为21%,被三星电子超越,位居第二。
SK海力士以57%的市场份额保住了第一的位置。虽然其市场份额仍超过一半,但与上一季度的64%相比,其主导地位有所减弱。三星电子被认为已为反弹奠定了基础,这得益于其克服了对华出口减少的不利因素,并从第三季度开始全面供应HBM3E产品。
三星电子在整体DRAM市场也展开了激烈的争夺。在第三季度基于营收的DRAM市场份额排名中,SK海力士以34%的份额稳居榜首,三星电子紧随其后,市场份额为33%,两家公司之间的差距仅为1个百分点。SK海力士在今年第一季度实现了突破,历史上首次超越三星电子,荣登DRAM营收榜首。三星电子自1992年以来一直占据半导体行业霸主地位,如今却跌至第二位,这在半导体历史上是前所未有的。三星电子的市场份额从第二季度的32%提升至第三季度的33%,重夺第一的希望越来越大。美光科技以26%的市场份额位列第三。
由于价格创历史新高且供应量增加,本季度DRAM市场较上一季度增长了26%。三大内存厂商减产传统DRAM后,出现供应短缺,导致价格上涨。
行业分析师预计,明年HBM4市场的竞争将进一步加剧。三星电子正在下半年扩大HBM3E的产能,并加快下一代产品的研发。SK海力士预计将全力以赴,保持其在HBM领域的领先地位。
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(来源:businesskorea)
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