三星2nm产能将增长163%

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来 源 ： 内容来自The chousun Daily 。

此前显著落后于台湾台积电（TSMC）的三星电子代工业务，目前正在确保技术竞争力并加速追赶。三星早前因良率偏低，在先进 3 纳米（1 纳米为十亿分之一米）工艺的初期采用中遭遇困难，但最近已稳定了 3 纳米技术，并正迈向在 2 纳米工艺上缩小与台积电的差距。业内观察家预测，随着其位于美国得州泰勒工厂的晶圆厂开工率提高，三星代工业务有望从 2027 年开始实现盈利，并开启全面追赶台积电的进程。

扩大 2 纳米产能

市场研究公司 Counterpoint Research 在 20 日预测，三星电子的 2 纳米产能将增加 163%，从 2024 年的每月 8,000 片晶圆，增加到明年年底的 21,000 片晶圆。此次扩产是在三星 2 纳米工艺良率稳定之后进行的。Counterpoint Research 表示：“随着三星在移动、超级计算和人工智能等领域获得更多客户，其 2 纳米工艺的进步可能成为一个关键的转折点。如果良率持续改善，并且泰勒工厂的量产顺利进行，三星可能在数代以来首次在尖端工艺上有意义地缩小与台积电的竞争差距。”

目前，三星 2 纳米工艺的良率估计已上升到 55% 至 60%。随着良率的提高，三星已成功吸引到主要客户采用其先进工艺。今年 7 月，它获得了与 特斯拉的合同，价值 165 亿美元（约合 24.28 万亿韩元），用于生产下一代 AI6 芯片。此外，还接到了三星系统 LSI 内部的智能手机应用处理器（AP）Exynos 2600、苹果的图像传感器，以及中国公司 MicroBT 和 Canaan 的挖矿专用集成电路（ASICs）订单。高通的 AP 也有望跟进。

灵活的定价策略吸引客户

根据 TrendForce 的数据，在第二季度代工市场中，台积电占据了主导地位，市场份额为 70.2%，而三星电子则为 7.3%。这个差距曾在 2019 年缩小到 30 个百分点，但此后又有所扩大。

然而，科技行业认为三星在 2 纳米工艺上具有与台积电竞争的实力。三星在 3 纳米工艺中引入了全环栅（GAA）技术，与传统的鳍式场效应晶体管（FinFET）设计相比，该技术最大限度地减少了电流泄漏，并显著提高了性能和电源效率。三星从 3 纳米开始采用 GAA，而台积电将从 2 纳米才开始应用。一位科技行业人士指出：“三星在克服 3 纳米工艺挑战的同时，积累了多样化的 GAA 经验，这使其与刚刚开始采用这项新技术的台积电处于不同的位置。”

目前，台积电面临着 NVIDIA 和苹果等主要客户的订单集中。因此，据报道，台积电将其 2 纳米晶圆价格比前几代提高了 50%。这可能对三星有利，后者正利用灵活的定价策略来吸引客户。通过专注于确保多样化的工艺客户和生产量，三星代工业务的收入显示出复苏的迹象。最近，三星赢得了美国 AI 半导体初创公司 Chabarite（4 纳米）、Anaphae（28 纳米）以及韩国初创公司 DeepX（2 纳米）的生产合同。一位半导体行业消息人士评论：“台积电因专注于 NVIDIA 和苹果等科技巨头客户而难以接受新订单，同时还在提高晶圆价格。这为三星创造了一个可以抢占的利基市场。”

目标实现盈利

科技行业预计，多年来一直录得季度数百亿韩元亏损的三星代工业务将从 2027 年开始扭亏为盈。这得益于其奥斯汀工厂的开工率预期提高，以及泰勒工厂从 2027 年开始大规模量产特斯拉的 AI6 芯片。

三星在其第三季度财报简报中表示：“我们获得了以尖端工艺为中心的创纪录订单，包括 2 纳米的大规模客户合同。随着采用 2 纳米工艺的新产品全面量产，我们预计通过持续提高开工率和实施成本效率措施，业绩将进一步改善。”

https://www.chosun.com/english/industry-en/2025/11/23/ST6X56NDCFGK5CPDONW7QSBZCI/

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