HBM4E大战，提前开打

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来 源 ： 内容编译自chosun 。

随着第六代高带宽存储器（HBM4）在存储半导体行业的竞争日趋激烈，对下一代HBM的需求也日益凸显，促使三星电子和SK海力士加快研发步伐。从第七代HBM（HBM4E）开始，下一代HBM的市场预计将从按照既定标准开发和大规模生产的“通用”产品，转向根据客户需求设计和供应核心组件的“定制”产品。

据业内人士13日透露，三星电子和SK海力士已设定目标，力争在明年上半年完成HBM4E的研发。据悉，HBM4E将应用于全球科技巨头的新型人工智能（AI）加速器中，包括英伟达Rubin平台的顶级版本R300。搭载HBM4E的AI加速器预计将于2027年发布，因此双方正在加速研发，争取在明年下半年完成质量验证。

由于预计HBM4E将在两年内成为HBM市场的主流产品，三星电子和SK海力士已纷纷加入这场市场争夺战。兴国证券研究员孙仁俊表示：“预计明年HBM需求的年增长率将达到77%，2027年将达到68%。”他还补充道：“到2027年，HBM4E将占HBM总需求的40%。”

在HBM4市场，SK海力士凭借其独特的领先地位，率先发力。SK海力士是首家与行业巨头英伟达就明年HBM4供应量完成谈判的存储半导体公司。据报道，SK海力士将为英伟达的Rubin平台供应首批HBM4芯片中的相当一部分。英伟达曾表示三星电子已进入HBM4供应链，但双方的供应谈判仍在进行中。

然而，随着定制化HBM市场预计将从HBM4E开始全面蓬勃发展，一些分析表明，市场格局可能会发生重塑。三星电子和SK海力士都在为定制化HBM市场做准备，在这个市场中，HBM4E的核心——“逻辑芯片（基础芯片）”——将根据客户的需求进行设计和制造。为了及时响应这一市场，企业必须具备设计能力，能够按照客户的要求制造产品，并拥有代工（芯片代工制造）工艺能力。三星电子已经具备了所有这些能力，并从HBM4开始，将自身的代工工艺应用于逻辑芯片的制造，从而积累了丰富的经验。

一位半导体行业官员表示：“目前普遍认为，与英伟达合作紧密的SK海力士将通过HBM4E市场保持领先地位。”但他补充道：“然而，随着全球大型科技公司开发自有AI加速器，对HBM4E定制产品的需求日益多元化，拥有代工工艺能力和快速响应能力的三星电子也具备优势，这增加了市场格局重新洗牌的可能性。”

美光科技也曾表示，正与台积电合作，着眼于HBM4E市场。与SK海力士采用台积电的代工工艺生产HBM4及以上逻辑芯片不同，美光科技采用了其自主研发的先进DRAM工艺。然而，随着对先进代工工艺的需求不断增长，以满足客户需求并提升产品性能，美光科技被认为已开始寻求与台积电的合作。

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