HBM，增速放缓

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来源 ： 内容来自编译自zdnet 。

过去几年拉动行业景气度的高带宽内存（HBM），将因竞争加剧而增长放缓；反观动态随机存取内存（DRAM）与闪存（NAND Flash），则有望凭借供需平衡实现良好业绩。

根据 iM 证券 6 日发布的报告，2025 年 DRAM 需求增长率已上调至 19.3%，小幅高于行业 18.1% 的生产增长率。展望 2026 年，受全球经济放缓影响，DRAM 需求增长率预计为 14.1%，生产增长率预计为 14.2%。

NAND Flash 也呈现类似趋势。2026 年 NAND Flash 需求增长率预计为 13.8%，生产增长率预计为 14.0%，供需将保持平衡。

iM 证券分析师宋明燮指出：“HBM 在 2024-2025 年经历了爆发式增长，但 2026 年随着竞争对手进入市场、供应规模扩大，其增长速度很可能放缓。” 与之相对，他分析称：“长期处于价格下跌态势的 NAND Flash，目前已触底，未来有相对走强的空间。”

智能手机、服务器需求成关键变量

需求层面，智能手机与服务器被视为核心影响变量。

2025 年全球智能手机出货量预计将增长 0.7%，优于此前 - 0.4% 的预期。美国与印度市场的强劲需求、半导体关税征收延期等因素，起到了积极推动作用。

服务器市场方面，随着大型科技企业持续加大资本支出（Capex），2026 年出货增长率预计将达 4.7%。分析认为，这一增长得益于人工智能（AI）的普及与数据中心扩张需求的支撑。

不过，市场仍面临不少风险因素。若当前免税的半导体被征收高关税，可能导致 IT 设备价格上涨，进而引发需求放缓。

宋明燮分析师警告称：“关税政策变化是可能对存储行业景气度造成重大冲击的外部变量，尤其可能直接影响智能手机与服务器的需求。”

https://zdnet.co.kr/view/?no=20251003210557

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