存储芯片，势头凶猛

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来源 ： 内容 编译自 chosun 。

随着DRAM半导体库存跌至历史最低水平，分析认为，七年来首个“半导体超级周期”正在蓄势待发。近期，受人工智能热潮推动的HBM（高带宽存储器）需求激增、NVIDIA的供应商选择以及特朗普政府加征的关税等因素影响，全球存储器半导体行业经历了快速变革。然而，所有情况都表明DRAM需求将增加，而供应将出现短缺，因此人们预期，长期超级周期可能会持续数年。

据市场研究公司 TrendForce 的数据，截至今年第三季度末，全球 DRAM 供应商的平均库存为 3.3 周，创历史新低。这与 2018 年半导体超级周期期间 3-4 周的平均库存水平相似。尽管 DRAM 买家的平均库存约为 10 周，但需求依然强劲。

需求激增始于人工智能 (AI)。随着人工智能热潮的兴起，用于 AI 训练和运营的英伟达 (NVIDIA) AI 加速器的价值不断提升，导致搭载于这些加速器中的 HBM 需求激增。HBM 的制造过程类似于公寓，将 DRAM 堆叠捆绑在一起。三星电子等内存半导体公司已将其 DRAM 生产线转为 HBM 使用，导致 DRAM 整体产量下降。此外，2017 年至 2018 年期间大规模建设的数据中心即将迎来服务器更新换代，这增加了服务器中使用的通用 DRAM 的需求。与 DRAM 一起搭载于服务器的 eSSD 的需求也在激增。

面对供应短缺，半导体公司并未仓促增产，而是持续进行长期投资。一位科技行业人士表示：“特朗普发起的关税政策等不确定性因素太多，所以我们会从长远角度考虑生产设施的投资。” 随着中国企业进军高带宽存储器（HBM）市场，无限期增产DRAM已变得愈发困难。

由于供应跟不上需求，价格飙升。据TrendForce 29日报道，通用产品“DDR4 8Gb”价格持续上涨，达到6,350美元，创下年内新高。“DDR5 16G”价格为7,535美元，较年初上涨逾40%。据报道，三星电子和SK海力士计划在现有基础上提高DRAM价格。

预计这种情况将持续一段时间。摩根士丹利预测，本轮半导体周期的顶峰将在2027年到来，预计繁荣期将持续一年以上。证券行业预测，三星电子和SK海力士今年第三季度的营业利润将超过10万亿韩元。KB证券分析师金东元表示：“三星电子被认为是半导体复苏周期的最大受益者，因为它可以通过扩建平泽工厂，确保从HBM到DRAM和NAND的业内最大产能。”

内存半导体的短缺反而成了对抗特朗普政府半导体关税的武器。一位科技行业人士表示：“如果特朗普设定高额的半导体关税，在DRAM半导体需求已经不足的情况下，美国企业将不得不以更高的价格购买。”

https://www.chosun.com/english/industry-en/2025/09/29/GWQDNWLN6BGYNPCMYEYJ7Y3GFI/

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