台积电疯狂建厂，细节曝光

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来源：内容来自 Source：编译自tomshardware

台积电在芯片制造市场的份额一直在增加，公司的资本支出（CapEx）也在增加，自 2015 年以来增长了五倍。该公司计划在 2025 年投资 380 亿美元至 420 亿美元用于产能扩张，希望在 2025 年建成八个半导体制造工厂和一个先进的封装工厂。

台积电高级副总裁兼副联席首席运营官侯志强博士在最近举行的2025北美技术研讨会上表示：“从2017年到2020年，我们平均每年新建三座晶圆厂。从2021年到2024年，我们每年新建晶圆厂的数量增加到五座。今年，我们将每年新建晶圆厂的数量增加到九座，以支持我们强劲的增长势头和您的业务发展。在这九座晶圆厂中，有八座是晶圆厂，还有一座是先进的封装厂。”

台积电的新产能计划规模庞大。今年晚些时候，该公司计划在台湾的Fab 20和Fab 22工厂开始量产采用其N2（2纳米级）工艺技术的芯片。从2026年底开始，同样的生产设施将用于生产采用台积电N2P和A16（1.6纳米级）工艺技术的芯片。

台积电正在加紧其位于亚利桑那州的Fab 21工厂一期建设，并即将开始为其配备N3芯片的Fab 21工厂二期配备设备，目前该工厂的建设已经完成。台积电还于2025年4月开始建造配备A16/N2芯片的Fab 21工厂三期。

此外，该公司正在日本建设Fab 23二期工程，在德国建设Fab 24一期工程。

最后，台积电即将在台湾台中市开始建设其 Fab 25 工厂。该工厂预计将于 2028 年投入使用，用于 A16/N2 后制程工艺。因此，它很可能成为生产 A14 （1.4 纳米级）及更先进制程芯片的工厂之一。

说实话，台积电统计新生产设施的方式有点复杂。该公司统计的是今年所有正在建设或即将建设的设施。而且，它不考虑晶圆厂是即将开工、刚刚开工，还是即将开始量产。根据台积电的统计，它们都是“新”设施。即使使用这种方法，我们也只能统计出七座新晶圆厂和一座先进封装设施。

台积电将在美国生产 30% 的 2nm 及更先进芯片

台积电管理层在此前的财报电话会议上透露，该公司计划将其30%的N2（2纳米级）产量在美国生产，并将其位于亚利桑那州凤凰城附近的Fab 21工厂打造成为一个独立的半导体制造集群。这家全球最大的芯片代工厂还表示，有意加快建设新的Fab 21模块，以生产N3（3纳米级）、N2和A16（1.6纳米级）节点的芯片。

台积电首席执行官兼董事长魏哲家在事先准备好的发言稿中表示：“项目竣工后，我们约30%的2纳米及以上工艺产能将位于亚利桑那州，从而在美国打造一个独立的尖端半导体制造集群。这还将创造更大的规模经济效益，并有助于在美国构建更完善的半导体供应链生态系统。”

为了在亚利桑那州生产30%的N2和A16芯片，台积电将增建两个Fab 21模块。目前，该公司已确认计划在台湾新竹和高雄科学园区建设至少三个可生产N2和A16芯片的晶圆厂模块，并将投入更多模块，因此台湾仍将生产台积电先进芯片的大部分份额。然而，台积电30%的N2和A16芯片在美国生产无疑意义重大。

台积电位于亚利桑那州的Fab 21工厂1号模块目前正在为其美国客户量产采用N4和N5工艺的芯片。该公司位于亚利桑那州的第二座制造工厂——可支持N3工艺的Fab 21工厂2号模块已经完工，公司正努力提前开始设备安装，力争将该工厂的芯片量产时间从最初模糊的2028年计划提前至少几个季度。

Fab 21 的 3 号和 4 号模块（该公司将使用 N2 和 A16 节点的设施）预计将于今年晚些时候开工建设（前提是获得所有必要的许可）。台积电尚未公布这些 Fab 21 模块的建设时间表，但如果台积电按时采购所有必要的设备，那么可以合理地预期其中至少一个模块将在 2029 年初投入使用。

台积电的 Fab 21 模块 5 和模块 6 将使用 A16 以外的工艺技术（例如 A14 甚至更先进），但它们的建设时间表和产量提升将取决于未来客户的需求。

TSMS 对 Fab 21 的宏伟计划是将其发展成为一个 GigaFab 集群，生产能力至少为每月 100,000 片晶圆，但具体何时实现还有待观察。

https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/tsmc-to-spend-usd42-billion-on-expansion-in-2025-ambitious-plans-detail-nine-production-facilities

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