复旦亚纳秒级闪存技术登Nature

人民财讯4月16日电，据复旦大学消息，复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院周鹏-刘春森团队通过构建准二维泊松模型，在理论上预测了超注入现象，打破了现有存储速度的理论极限，研制“破晓（PoX）”皮秒闪存器件，其擦写速度可提升至亚1纳秒（400皮秒），相当于每秒可执行25亿次操作，是迄今为止世界上最快的半导体电荷存储技术。相关成果以《亚纳秒超注入闪存》（Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection）为题于北京时间4月16日晚间在《自然》（Nature）期刊上发表。