7nm的FD-SOI芯片，要黄了？

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欧洲领先的技术试验线之一正在公开征集基于全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 技术的下一代 10nm 和 7nm 设计项目。

FD-SOI 是欧洲拥有世界领先技术的领域，具有用于数字、模拟和射频设计的超低功耗能力。未来两年内从目前的 22nm 工艺技术转向大批量 300mm 晶圆上的 10nm 工艺技术，然后再转向 7nm 工艺技术，可以显著提升欧洲半导体公司的竞争力。

今天下午，FAMES FD-SOI 试验线公开招募使用这些技术的企业，现场参加人数为 50 人，远程参加人数为 100 人，初创公司和跨国公司与试验线合作伙伴一起参加。

Nick Flaherty 与位于法国格勒诺布尔的 CEA-Leti 的 FAMES 项目协调员讨论了生产线上的 90 台设备以及低功耗微控制器 (MCU)、多处理器单元 (MPU)、尖端 AI 和机器学习设备所需的嵌入式存储器技术，以及智能数据融合处理器、射频设备、5G/6G 芯片、汽车市场芯片、智能传感器和成像仪、可信芯片和新型空间组件。

“非常有说服力的一点是，参与者来自 18 个国家，大多数来自欧洲，也有一些国际参与者和行业利益相关者，我们正在寻求产业和学术之间的真正平衡，因此我们非常放心，”CEA-Leti 的 FAMES 试点线路开放获取主席 Susana Bonnetier 说。

采用 10nm FD-SOI 工艺的测试芯片预计将于 2027 年问世。

FAMES 试验线项目协调员 Dominique Noguet 说：“我们提供不同元素的组合，不仅仅是技术，还有免费的探索 PDK 以及用于模拟和培训的 PDK，这对学术界来说可能更有趣。”

“我们正处于研发阶段，可以为人们提供提高性能的方法建议，帮助他们识别有趣的用例，这些都是免费的选择。我们也对初创公司感兴趣，他们有兴趣为未来的流程提前规划。”

该试验生产线将拥有 110 台设备，分布在以 Leti 为主导的四个基地，以及爱尔兰的 Tyndall、Silicon Austria Labs 和芬兰的 VTT，包括光刻、扩散和蚀刻以及封装等设备。

Leti 的生产线将总共拥有 90 台 300 毫米晶圆生产线设备，其中 30 台已经到位。该生产线的核心是一台 193 米浸没式光刻工具，用于处理这些先进节点，该工具自 2023 年 12 月开始运行，并将使用自对准双重图案 (SAPD) 达到 10nm。

“这是业内人士使用的，因为他们想突破浸没式和 EUV 之间的界限，”Noguet 说。“它实际上不是设备，而是工艺方面的一个技巧，可以突破 DUV 的极限。”

“我们的试验生产线上有大约 30 台系统，这些系统是前端最需要的。下一批设备更适合中段和后端 (BEOL) 蚀刻和沉积。它不会是完整的 BEOL 堆栈，而是对设备进行电气测试的最低限度，如果我们需要转移到可以由第三方接管的行业，”他说。

10nm 技术已经非常先进，FAMES 将为 FD-SOI 高级节点性能评估提供探索性的 PDK，以及为多项目晶圆 (MPW) 测试设计提供 PDK。

还将开发具体的工艺步骤、模块、集成流程和演示结果，以及有关 FAMES 技术的教育和培训。

Noguet 表示：“自 2022 年以来，我们一直在开发 10nm 模块，工艺和 PDK 之间存在反复。”“我们将逐步增加添加到 PDK 的功能，因为这就是我们对硅工艺所做的工作。”

重点关注领域之一是嵌入式非挥发性存储器。闪存无法缩小到 22nm，更不用说 10nm 和 7nm，因此新的存储器技术已经开发出来。

最先使用的 OXRAM 是最成熟的，Leti 已经拥有该技术的样品。

“现在我们专注于 FRAM 和铁电 FET，将所有功能集成到一个晶体管中，未来晶体管的栅极上将采用铁电材料，这可以在后端生产线中完成。”他表示，这将是 PDK 的一个附加组件。

虽然商业公司已经在微控制器中使用 MRAM，但 FAMES 试验线旨在将其用于安全应用和超低功耗 AI 的内存计算。

“我们拥有更先进的 MRAM 存储器，”他说。“我们正在与其他合作伙伴合作，该技术在联盟内共享，我们需要将各个部分整合在一起才能实现这一目标，”Noguet 说道。

这里的两个主要目标应用是网络安全，使用自旋 MRAM sMTJ 设备设计真随机数生成器 (TRNG) 和概率 AI。

然而，第一个可用的领域将是工艺的数字模拟，其次是射频和模拟。之后的发布将针对 7nm 节点。“因此，我们会在成熟后推出它，”Bonnetier 说。一些模块是独立的，具有 3D 结构，中间层和最后一层带有硅通孔和用于芯片的铜垫。她说，第四个提议是为设计师提供 FDSOI 培训。

“我认为测试芯片将在 2027 年问世，”Noguet 说道。“我们为特定设备配备了特定的掩膜组，包括数字和 RF 的 10FD，因此我们将获得 RF 性能的提示，掩膜组上的库对于数字来说更丰富。对于 7nm，我们能否进一步推动该技术仍是一个悬而未决的问题。

“这些新技术必须被欧盟芯片利益相关者采用。因此，FAMES 的战略结构就是利用这些技术，以支持欧盟半导体价值链的所有环节，”CEA-Leti 首席执行官 Sébastien Dauvé 表示。

“我们认为这项计划不仅仅是一条试验线，更是对可持续、有弹性和创新的欧洲的愿景。它将汇集行业、中小企业、初创企业和研究机构，并建立一个开放式生态系统，将创意转化为有影响力的解决方案，促进各个层面的合作和创新，”Chips 联合企业执行董事 Jari Kinaret 表示。该联合企业还支持欧洲其他六条试验线，包括比利时 imec 的 1 纳米以下试验线。

网络巨头诺基亚是FAMES外部工业咨询委员会的成员和重要的工业合作伙伴。

诺基亚移动网络 SoC 开发主管 Derek Urbaniak 补充道：“试验线的进展对于诺基亚的片上系统 (SoC) PiCo 研究项目至关重要。诺基亚的 PiCo 研究小组期待收到 FAMES 联盟的结果和报告，并可能利用他们的试验线和服务进行我们自己的验证工作和产品开发。”

汽车制造商 Stellantis 的先进电子和半导体交叉项目负责人 Antonio Fuganti 也是 FAMES 外部工业咨询委员会的成员，他表示：“这一举措将对欧洲芯片和应用的发展产生重大影响。通过将行业、中小企业和研究机构聚集在一起，它提供了一个加速从研究到工业应用的转变的机会，从而提高了竞争力。”

https://www.eenewseurope.com/en/fames-makes-its-open-call-for-10nm-7nm-fd-soi/

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