High NA EUV光刻机，重要里程碑

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英特尔周一表示，阿斯麦控股首批两台尖端光刻机正在其工厂“生产”，早期数据表明它们比早期型号更可靠。

在加利福尼亚州圣何塞举行的一次会议上，英特尔高级首席工程师史蒂夫卡森表示，英特尔利用 ASML 的高数值孔径 (NA) 光刻机在一个季度内生产了 30,000 个晶圆，即可以生产数千个计算芯片的大型硅片。

去年，英特尔成为全球首家接收这些机器的芯片制造商，这些机器预计将生产比 ASML 早期机器更小、更快的计算芯片。此举是英特尔的战略转变，该公司在采用上一代极紫外 (EUV) 光刻机方面落后于竞争对手。

英特尔花了七年时间才将这些早期的机器投入全面生产，这导致它失去了对台湾半导体制造公司的领先地位。在生产的初始阶段，英特尔对之前的 EUV 型号的可靠性提出了质疑。

不过，卡森表示，在初步测试中，ASML 的新型高数值孔径机器的可靠性大约是上一代机器的两倍。

“我们以稳定的速度生产晶圆，这对平台来说是一个巨大的好处，”卡森说。

新的 ASML 机器使用光束将特征打印到芯片上，也可以使用更少的曝光完成与早期机器相同的工作，从而节省时间和金钱。

卡森表示，英特尔工厂的早期结果显示，高数值孔径机器仅用一次曝光和“个位数”的处理步骤就能完成早期机器需要三次曝光和大约 40 个处理步骤才能完成的工作。

英特尔表示，计划利用High NA机器帮助开发所谓的18A制造技术，该技术计划于今年晚些时候与新一代PC芯片一起进行量产。

该公司表示计划利用其下一代制造技术 14A 全面投入高数值孔径机器的生产，但尚未透露该技术的量产日期。

Imec 展示了采用High NA EUV 单一图案化技术获得的 20nm 间距金属线的电气产量

本周，在 SPIE 先进光刻 + 图案化技术大会上，世界领先的纳米电子和数字技术研究与创新中心 imec 展示了在单次曝光high NA EUV 光刻后图案化的 20nm 间距金属线结构上获得的首个电气测试 (e-test) 结果。对蛇形和叉形金属化结构的测量均显示出良好的电气产量，表明随机缺陷数量较少。e-test 结果证实了High NAEUV 光刻扫描仪及其周围生态系统能够在如此小的尺寸下图案化线条/空间。

2024 年 8 月，imec 首次展示了在单个High NAEUV 光刻曝光步骤中图案化的行业相关逻辑和 DRAM 结构。作为下一个关键步骤，imec 表明，使用金属氧化物 (MOR) 负性光刻胶进行单次High NA EUV 图案化后获得的 20nm 间距的金属化线结构表现出 90% 以上的良率。该性能指标是在两种不同的测试结构（即蛇形（或蜿蜒）结构和叉叉结构）上获得的，旨在揭示有关随机缺陷的信息。

imec 研发高级副总裁Steven Scheer表示：“这是首次通过单次High NAEUV 图案化获得 20nm 间距金属线的电气产量演示。这些结果代表了对High NAEUV 光刻及其周边生态系统功能的初步验证，包括先进的抗蚀剂和底层、光掩模、计量技术、（变形）成像策略、光学邻近校正 (OPC) 以及集成图案化和蚀刻技术。我们将继续与我们的图案化生态系统合作，推动进一步提高产量，并将这些技术转让给我们的制造合作伙伴。”

imec-ASML High NAEUV 生态系统包括领先的芯片制造商、材料和光刻胶供应商、掩模供应商和计量专家等合作伙伴，他们共同致力于开发和优化High NAEUV 光刻技术，用于 2 纳米以下节点的下一代半导体制造。

“电子测试是High NAEUV 验证的关键步骤，” imec 先进图案化部门总监Philippe Leray补充道。“这些电子测试结果也为我们指明了前进的方向。与电子束检查相结合，金属化蛇形和叉形结构的电导率测量可以提供有关导致产量降低的随机缺陷（即断裂和桥接）的信息。这些见解支持我们的生态系统合作伙伴制定缓解随机缺陷的策略。我们正在进行的工作之一是优化光刻胶性能，以降低剂量与产量，同时尽量减少对随机故障的影响，我们正在与光刻胶界密切合作，共同努力。”

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