闻泰科技强势布局碳化硅领域，1200V SiC MOSFET为电动汽车加速赋能

中国产经观察消息：随着全球新能源汽车产业的迅猛发展，碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，正逐渐成为行业关注的焦点。闻泰科技半导体业务积极布局第三代半导体领域，加速发力SiC技术，迎接未来广阔发展机遇。

碳化硅（SiC）俗称金刚砂，是硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，因其独特的物理和化学性质，在智能电网、新能源汽车等领域展现出巨大的应用潜力。相较于传统硅器件，SiC器件能够显著降低损耗，提高能效，成为行业升级换代的优选材料。

据EVTank数据显示，2023年全球新能源汽车销量达到1465.3万辆，同比增长35.4%，预计到2030年这一数字将达到4700万辆。新能源汽车市场的快速增长，直接推动了SiC需求的爆炸式增长，过去5年，特斯拉和比亚迪等OEM的汽车中SiC MOSFET的采用量出现了惊人的增长。

除了新能源汽车市场，光伏风电和储能领域也是SiC快速发展的重要推动力。在“双碳”战略的推动下，这些领域对高效、低功耗的电力电子器件需求日益增长，为SiC市场带来了巨大的发展机遇。据Yole Group预测，到2029年，功率SiC器件市场将达到近100亿美元。

对于汽车领域来说，为了克服电车续航里程和充电速度上的两大短板，电动汽车行业正加速升级电池系统。功率更高的电压系统需要1200V的耐压功率芯片，所以1200V的SiC功率器件是业界共同的发力方向。

面对这一广阔的市场前景，闻泰科技半导体业务积极发力SiC技术，成功研发出具有优异性能的1200V SiC MOSFET，不仅满足了电动汽车OBC、充电桩、不间断电源以及太阳能和储能系统等多个汽车和工业市场的需求，还在多个参数上实现了一流的性能。

具体而言，闻泰科技的1200V SiC MOSFET产品系列在25℃至175℃范围内，RDS(on)标称值仅增加30%，展现出出色的导通电阻温度稳定性；同时，其综合品质因数FoM表现出众，综合损耗更小，效率更高，增强了器件的可靠性；此外，该产品还具有出色的阈值电压稳定性和低体二极管正向压降，有助于提高器件稳健性和效率，延长产品寿命。

据行业专业分析人士称，闻泰科技半导体业务在SiC领域的创新和产品开发为未来的增长奠定了坚实的基础。随着全球对高效率、低功耗电力电子器件的需求不断增长，闻泰科技半导体业务的产品有望在智能电网、新能源汽车、光伏风电和储能等领域发挥更大的作用，进一步推动行业的持续发展和创新。

编辑：王宇