源杰科技: 陕西源杰半导体科技股份有限公司2023年年度报告摘要
来源：证券之星
2024-04-26 00:00:00
公司代码：688498 公司简称：源杰科技
陕西源杰半导体科技股份有限公司
第一节 重要提示
划，投资者应当到上海证券交易所网站 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本
报告“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分。
完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
□是 √否
经立信会计师事务所（特殊普通合伙）审计，截至 2023 年 12 月 31 日，陕西源杰半导体科技
股份有限公司（以下简称“公司”）母公司报表中期末未分配利润为人民币 158,001,494.31 元，2023
年年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本扣减公司回购专用证券账户中股份为基数分配
利润。本次利润分配方案如下：
公司拟向全体股东每 10 股派发现金红利 1 元（含税）,公司不送红股，不进行资本公积转增
股本。截至 2024 年 4 月 24 日，公司总股本 85,461,670 股，扣除目前回购专户的股份余额 402,149
股后参与分配股数共 85,059,521 股,以此计算合计拟派发现金红利 8,505,952.10 元（含税）
。占公司
公司通过回购专用账户所持有本公司股份 402,149 股，不参与本次利润分配。
如在公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，因可转债转股/回购股份/股权激励授予
股份回购注销/重大资产重组股份回购注销等致使公司总股本发生变动的，公司拟维持每股分配比
例不变，相应调整分配总额。
□适用 √不适用
第二节 公司基本情况
公司股票简况
√适用 □不适用
公司股票简况
股票上市交易所
股票种类 股票简称 股票代码 变更前股票简称
及板块
上海证券交易所
A股 源杰科技 688498 不适用
科创板
公司存托凭证简况
□适用 √不适用
联系人和联系方式
联系人和联系方式 董事会秘书（信息披露境内代表） 证券事务代表
姓名 程硕 吴晶
陕西省西咸新区沣西新城开元路1265 陕西省西咸新区沣西新城
办公地址
号 开元路1265号
电话 029-38011198 029-38011198
电子信箱 ir@yj-semitech.com ir@yj-semitech.com
(一) 主要业务、主要产品或服务情况
公司聚焦于光芯片行业，主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售，目前公司的主要产
品为光芯片，主要应用于电信市场、数据中心市场、车载激光雷达市场等领域。其中电信市场可
以分为光纤接入、移动通信网络。在光通信领域中，主要产品包括 2.5G、10G、25G、50G 、100G
以及更高速率的 DFB、EML 激光器系列产品和大功率硅光光源产品，主要应用于光纤接入、4G/5G
移动通信网络和数据中心等领域。在车载激光雷达领域，公司产品涵盖 1550 波段车载激光雷达激
光器芯片等产品。
经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的 IDM
全流程业务体系，拥有多条覆盖 MOCVD 外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面
镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线，公司逐步
发展为国内领先的光芯片供应商。公司将继续深耕光芯片行业，致力成为国际一流光电半导体芯
片和技术服务供应商。
应用领域 速率 产品类型
光纤接入 EPON 2.5G 1310nm FP
电信市 光纤接 2.5G 1310nm DFB
光纤接入 GPON
场类 入 2.5G 1490nm DFB
光纤接入 10G PON 2.5G 1270nm DFB
光纤接入 25G/50G 25G 1286nm DFB
PON 25G 1358nm EML & 1358nm w/SOA EML
移动通 25G 10G overclock 1270～1370nm CWDM6 DFB
信网络 25G 1270/1330nm DFB
EML
数据中心类 数据中心
CW 100mW 1310nm CW DFB
CW 100mW CWDM4 CW DFB
CW 70mW CWDM4/8 CW DFB
CW 70mW 1310nm CW DFB
CW 70Mw LWDM4 CW DFB
CW 50mW 1310nm CW DFB
CW 25mW CWDM4 CW DFB
CW 150mW 1310nm CW DFB
/ 1550nm Pulse DFB
车载激光雷达及传感
/ CH4 sensor
注：
MWDM 代表可应用于波分复用网络的激光器芯片；PAM4 代表可应用于 PAM4 脉冲调制技术的
激光器芯片；
片封装后进行销售。
(二) 主要经营模式
公司采取以直销为主、经销为辅的销售模式，设立市场与销售部负责开发客户、产品推广以
及维护客户关系。市场与销售部根据客户需求情况制定销售计划，将接收到的订单需求反馈给生
产与运营部，协调产品研发、生产、交付、质量等服务工作，同时承担跟单、售后、技术支持等
工作。
新产品及客户导入方面，由于光芯片产品设计参数、性能指标多，公司市场与销售部根据客
户需求先与其进行深度技术交流，研发部在此基础上进行产品设计、材料选型、样品生产等工作，
然后在厂内进行样品性能测试、可靠性测试，并将样品送至客户处进行综合测试。测试通过后，
客户会小批量下单采购，并在多批次生产合格后，转入批量采购。公司的成熟产品主要通过展会、
现有客户推荐、销售经理开发等方式寻求新客户。
每月月底采购部根据生产与运营部提供的次月生产计划及安全库存，制定对应的生产原物料
采购计划（包括预测需求）
；原材料采购到货后，品质部负责生产原物料的检验工作，并提供生产
原物料的质检项目和质检结果；质检合格后，由仓管科负责核对到货单物料数量与采购订单物料
数量，财务部负责最终付款。另外研发部门、生产类部门、厂务部门、行政部门等根据公司经营
需要，制定相应各部门采购计划并提前传递采购部审核，由采购部统一采购。
公司制定供应商认证及供应商管理流程，对新的供应商进行资质评估及调查，对提供的样品
进行验证，并进行合格供应商评审，合格的供应商将被录入《合格供方名单》
。公司对供应商进行
绩效考核并分级管理，按需进行物料替代管理、供应商稽核管理，确保公司的采购质量。
公司生产激光器芯片属于 IDM 模式，掌握芯片设计、晶圆外延等光芯片制造的核心技术，拥
有覆盖芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试等自主生产的能力，公司的 IDM 模式能够缩短产品
开发周期，实现光芯片制造的自主可控，快速响应客户并高效提供相应解决方案，能够迅速地应
对动态市场需求。
公司生产以市场需求为导向，生产与运营部根据客户订单协调相关部门制定生产计划。公司
根据年度销售策略进行产能评估，提前适当备货以应对需求高峰，保持库存的适度水平，减轻生
产压力。
公司研发以行业发展、应用需求及研发项目为基础，新产品研发流程以研发部《设计和开发
控制程序》体系进行管理，从立项开始先后经历 6 个阶段，主要包括：立项、设计输入输出、工
程验证测试（EVT）、设计验证测试（DVT）
、研发转生产培训考核、批量过程验证测试优化（PVT）
等阶段，各阶段要求满足后进入下一阶段，具体如下：
（1）立项阶段
市场与销售部根据客户及市场需求，提出新项目立项申请，填写《项目研发建议书》，并提交
市场与销售部、研发部及总经理共同评审。项目评审通过后，指定项目负责人制作项目可行性分
析，包括项目方案概况列举、项目预算、研发过程风险预估与对应措施，确定参与人员、明确客
户指标需求等。
（2）设计输入输出阶段
项目负责人根据立项阶段资料，制作设计开发阶段指导文件及流程，包括产品技术参数、工
艺指导文件、结构设计、工艺流程设计、环保分析、研发过程失效分析及对应的控制措施等。
（3）工程验证测试阶段（EVT）
研发部根据《设计和开发控制程序》要求进行投片，参照设计输入输出阶段工艺指导文件与
流程进行样品试制，在试制结束后对客户需求指标进行测试分析。此阶段针对产品特性与工艺生
产异常关闭率进行评审。第一轮样品试制若无法满足客户需求，研发项目团队总结样品试制过程
中的问题，进行分析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，获得批准后进行下轮样品试制，
直到满足客户需求后可转入下一阶段。
（4）设计验证测试阶段（DVT）
研发部根据投片数量进行设计验证测试，对客户需求指标进行测试并分析。此阶段针对产品
稳定性与异常关闭率进行评审。设计验证测试结束若无法满足客户需求，研发项目团队总结生产
过程中的问题，进行分析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，从上一阶段的工程验证测试
（EVT）开始开发，直到满足客户需求并通过验证。
（5）研发转生产培训考核阶段
研发转生产培训考核阶段，研发部提供给生产与运营部相关资料，包括输出工艺标准指导书、
工单、参数对照表、质检标准、标准工时统计表、试生产任务单等，并根据需求对生产线相应的
人员进行培训与考核，通过评审后方可转入下个阶段。
（6）批量过程验证测试优化阶段（PVT）
批量过程验证测试优化阶段（PVT），生产与运营部接收研发转生产阶段文件后，评估产线产
能、管理投入设备并分析人员、安全和环境等因素，确认具备量产能力后，制定并组织实施生产
计划，投入资源进行批量验证与测试。在批量生产过程中，研发项目团队总结生产过程中的问题，
进行分析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，直到达到预期目标并通过验证。
(三) 所处行业情况
（1）所处行业
公司聚焦于光芯片行业，主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售。根据中国证监会《上
市公司行业分类指引》 （2012 修订），公司属于“制造业”中的“C39 计算机、通信和其他电子设备制
造业”。根据《国民经济行业分类》 （GB/T4754-2017），公司所处行业为“C392 通信设备制造”之
“C3976 光电子器件制造”。根据《战略性新兴产业分类（2018）》（国家统计局令第 23 号） ，公司
所处的行业细分领域为“1 新一代信息技术产业”之“1.2 电子核心产业”之“1.2.1 新型电子元器件及
设备制造”之“3976 光电子器件制造”。
（2）行业的发展阶段及基本特点
随着全球信息互联规模不断扩大，光电信息技术正在崛起。在这种趋势下，光芯片的下游应
用场景不断扩展，需求量不断增加，同时对光芯片的速率、功率、传输距离也提出更高的要求。
目前在电信市场、数据中心市场，光芯片都得到了较为广泛的应用，其中电信市场又可以细分为
光纤接入和移动通信两个细分领域。
光纤接入市场：随着千兆光纤网络升级，目前 10G PON 市场正在广泛的部署，仍然有较大的
空间。截至 2023 年底，三家基础电信企业的固定互联网宽带接入用户总数达 6.36 亿户，全年净
增 4,666 万户。其中，100Mbps 及以上接入速率的用户为 6.01 亿户，全年净增 4756 万户，占总用
户数的 94.5%，占比较上年末提高 0.6 个百分点；1000Mbps 及以上接入速率的用户为 1.63 亿户，
全年净增 7153 万户，占总用户数的 25.7%，占比较上年末提高 10.1 个百分点。全球范围内，10G
PON 网络的投资和部署保持较高水平。千兆宽带正在快速普及同时，开始向“千兆+”、“万兆”加
速。作为 ITU-T 定义的下一代 PON 技术，50G PON 比 10G PON 带宽提升了 5 倍、时延降低了 100
倍，具备提供确定性业务体验的能力。根据 Omdia 的预测，2024 至 2028 年期间，50G PON 端口
出货量将不断提升，并保持每年 200%的复合年增长率。
无线通信市场：3GPP 5G 重要标准 R18 的冻结将加速 5G-A 的产业成熟和部署应用。5G-A 在
网络速度、延迟、连接数等方面实现显著提升，同时引入了通感一体、无源物联、内生智能等全
新的革命性技术，能更好地匹配人联、物联、车联、高端制造、感知等场景。相关技术的成熟与
推广，有望对相关的产业链形成拉动作用。
数据中心市场：随着人工智能的快速发展，模型大小和数据集大小的增加，模型性能提高。
训练大模型需要大量算力，导致对光器件的需求、能力的增加。在这样的背景下，数据中心市场
高速率需求持续增加。当前，GPU 对光模块的需求主要以 400G/800G 为主，下一代 GPU 产品将
提升至 800G/1.6T，这无疑将进一步刺激对高速光模块的需求。对功耗提出更高要求，数据中心
对功耗和密度的要求越来越高，因此光模块需要不断优化，以实现更高的能效比和更紧凑的封装
设计。低功耗、小型化、集成化将成为未来光模块发展的重要趋势。硅光技术在可插拔光模块中
逐步提升，特别在高功耗模块中应用广泛。此外，CPO 和 LPO 方案也是未来趋势，虽然 LPO 在
标准统一和互联互通上仍存在挑战，但其在特定场景中表现出较低功耗和成本的优势。根据 Light
Counting 预测，2027 年全球光模块市场规模将突破 200 亿美元，2022 年至 2027 年复合平均增长
率为 12%。
（3）主要技术门槛
更高速率、更高功率、更长传输距离的光芯片的技术研发、工艺设计具有更高开发难度与门
槛。一方面，随着需求提升，光芯片的结构设计的精度要求极高，技术研发及工艺开发需结合高
速射频电路与电子学、微波导光学、半导体量子力学、半导体材料学等多学科，设计合适的芯片
结构，满足芯片精度及尺寸的要求；另一方面，激光器芯片的生产需要几十至几百道工序，每道
生产工序都将影响产品最终的性能和可靠性，因此对生产线工艺成熟和稳定有极高要求。此外，
高速率激光器芯片相较于中低速率产品，在量子阱有源区、光栅层结构区、模斑转化器区域、光
波导结构区、电流限制结构区、高频电极结构、谐振腔反射膜等关键结构的设计与开发上，需综
合考虑光电特性、产品可靠性、制备工艺可行性等相互制约因素，因此存在极高壁垒。
公司聚焦于光芯片行业，主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售，主要产品包括 2.5G、
心市场、车载激光雷达等领域。经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆
制造、芯片加工和测试的 IDM 全流程业务体系，拥有多条覆盖 MOCVD 外延生长、光栅工艺、
光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流
程自主可控的生产线，已实现向国内外主流光模块厂商批量供货，已成为国内领先的光芯片供应
商。
在电信市场中，目前所需的 2.5G、10G 激光器芯片市场国产化程度较高，但不同波段产品应
用场景不同，工艺难度差异大，公司凭借长期技术积累实现激光器光源发散角更小、抗反射光能
力更强等差异化特性，为光模块厂商提供全波段、多品类产品，同时提供更低成本的集成方案，
实现差异化竞争；未来 25G/50G PON 接入网对光芯片的要求也将进一步提升，大功率、低色散、
高速调制的场景需求提升了光芯片的技术门槛，公司已开发相应的集成技术与光放大器集成技术
平台，适配高速接入网的需求，使公司的 PON 光芯片产品具备更强的市场竞争力，进入下一代高
速需求的迭代过程。
在数据中心市场中，尤其是以人工智能为代表的应用拉动了 400G、800G 或以上高速光模块
的需求增加， 进而带动了高速率、 大功率的芯片需求，比如主要为 100G PAM4 EML 光芯片、
的研发和生产积累，已推出相应的高速 EML、大功率激光器产品，无论是单波或是多波长的
CWDM、LWDM 需求，来适配相关的高速光模块的需求，且性能及可靠性等指标可对标海外同
类型产品。
（1）AI 推动模块升级，单通道速率逐步提升
随着人工智能技术的快速发展，对算力的需求迅速增长，进一步推动了 1.6T 光模块的发展。
预计 1.6T 乃至更高速率的光模块将成为数据中心内部连接的新技术趋势，以配合未来更大带宽、
更高算力的 GPU 需求。目前 1.6T 光模块批量商用的进程正在加速。这一趋势，对光芯片提出更
高的要求。包括 200G PAM4 EML、CW 光源等在内的多种芯片将成为 1.6T 光模块中光芯片的解
决方案。
（2）硅光技术逐渐成为提升成本效率重要方案之一
硅光子技术是基于硅和硅基衬底材料，利用现有 CMOS 工艺进行光器件开发和集成的新一代
技术。AI 的爆发导致了对光模块速率和数量的需求极大的增长，降本降功耗变得更为紧迫，这导
致了客户对硅光的接受度有望提升。Lightcounting 预计使用基于 SiP 的光模块市场份额将从 2022
年的 24%增加到 2028 年的 44%，LPO 有望加速硅光渗透率进一步提升。硅光方案中，CW 激光
器芯片作为外置光源，硅基芯片承担速率调制功能。CW 大功率激光器芯片，要求同时具备大功
率、高耦合效率、宽工作温度的性能指标，对激光器芯片要求更高。
（3）光芯片下游应用市场不断拓展
光芯片的应用领域正在不断拓展。在传感领域，如环境监测、气体检测，光芯片被用作传感
器，能够检测光信号并转换为电信号，用于数据采集和分析。在汽车领域，随着传统乘用车的电
动化、智能化发展，高级别的辅助驾驶技术逐步普及，核心传感器件激光雷达的应用规模将会增
大。基于砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）的光芯片作为激光雷达的核心部件，其未来的市场需
求将会不断增加。
单位：元 币种：人民币
本年比上年
增减(%)
总资产 2,236,682,340.61 2,295,683,768.92 -2.57 736,849,937.31
归属于上市公司股
东的净资产
营业收入 144,403,649.04 282,905,278.42 -48.96 232,106,859.21
归属于上市公司股
东的净利润
归属于上市公司股
东的扣除非经常性 -238,669.33 91,866,664.92 -100.26 87,200,831.92
损益的净利润
经营活动产生的现
-17,399,733.48 37,739,184.13 -146.11 36,033,177.28
金流量净额
加权平均净资产收
益率（%）
基本每股收益（元
／股）
稀释每股收益（元
／股）
研发投入占营业收
增加11.85个百分点
入的比例（%）
单位：元 币种：人民币
第一季度 第二季度 第三季度 第四季度
（1-3 月份） （4-6 月份） （7-9 月份） （10-12 月份）
营业收入 34,853,815.01 26,465,243.09 31,871,133.81 51,213,457.13
归属于上市公司股东
的净利润
归属于上市公司股东
的扣除非经常性损益 4,563,329.13 -445,376.83 -473,715.90 -3,882,905.73
后的净利润
经营活动产生的现金
-24,961,622.10 -3,657,063.42 -2,601,820.09 13,820,772.13
流量净额
季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用
名股东情况
单位: 股
截至报告期末普通股股东总数(户) 7,612
年度报告披露日前上一月末的普通股股东总数
(户)
截至报告期末表决权恢复的优先股股东总数（户） -
年度报告披露日前上一月末表决权恢复的优先股 -
股东总数（户）
截至报告期末持有特别表决权股份的股东总数 -
（户）
年度报告披露日前上一月末持有特别表决权股份 -
的股东总数（户）
前十名股东持股情况
包 含
质押、标记或
转 融
冻结情况
通 借
持有有限
股东名称 报告期内 期末持股 比例 出 股 股东
售条件股
（全称） 增减 数量 (%) 份 的 性质
份数量 股份
限 售 数量
状态
股 份
数 量
境 外
ZHANG
XINGANG
人
境 内
秦燕生 1,315,674 4,604,859 5.43 4,604,859 无 自 然
人
境 内
秦卫星 1,279,674 4,478,859 5.28 4,478,859 无 自 然
人
苏州瑞璜股权投资
管理合伙企业（有
限合伙）－宁波创 1,207,422 4,225,977 4.98 无 其他
泽云投资合伙企业
（有限合伙）
境 内
杭州汉京西成创业
非 国
投资合伙企业（有 1,193,256 4,176,396 4.92 无
有 法
限合伙）
人
境 内
北京瞪羚金石股权
非 国
投资中心（有限合 969,606 3,393,621 4.00 无
有 法
伙）
人
境 内
张欣颖 841,158 2,944,053 3.47 2,944,053 无 自 然
人
境 内
哈勃科技创业投资 非 国
有限公司 有 法
人
陕西科迈投资管理
合伙企业（有限合
伙）－陕西先导光 676,350 2,367,225 2.79 无 其他
电集成科技投资合
伙企业（有限合伙）
国投创业投资管理
有限公司－国投
（宁波）科技成果
转化创业投资基金
合伙企业（有限合
伙）
秦 燕 生 和 秦 卫 星 系 兄 弟 关 系 ； 3 、 ZHANG
上述股东关联关系或一致行动的说明 XINGANG 与秦燕生、秦卫星、张欣颖为一致
行动人；4、公司未知上述其他股东是否存在关
联关系或一致行动人的情况。
表决权恢复的优先股股东及持股数量的说明 无
存托凭证持有人情况
□适用 √不适用
截至报告期末表决权数量前十名股东情况表
□适用 √不适用
√适用 □不适用
√适用 □不适用
□适用 √不适用
□适用 √不适用
第三节 重要事项
公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。
报告期公司实现营业收入 14,440.36 万元，同比下降 48.96%；归属于母公司所有者的净利润
同比下降 100.26%。
止上市情形的原因。
□适用 √不适用
陕西源杰半导体科技股份有限公司
第一节 重要提示
划，投资者应当到上海证券交易所网站 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本
报告“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分。
完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
□是 √否
经立信会计师事务所（特殊普通合伙）审计，截至 2023 年 12 月 31 日，陕西源杰半导体科技
股份有限公司（以下简称“公司”）母公司报表中期末未分配利润为人民币 158,001,494.31 元，2023
年年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本扣减公司回购专用证券账户中股份为基数分配
利润。本次利润分配方案如下：
公司拟向全体股东每 10 股派发现金红利 1 元（含税）,公司不送红股，不进行资本公积转增
股本。截至 2024 年 4 月 24 日，公司总股本 85,461,670 股，扣除目前回购专户的股份余额 402,149
股后参与分配股数共 85,059,521 股,以此计算合计拟派发现金红利 8,505,952.10 元（含税）
。占公司
公司通过回购专用账户所持有本公司股份 402,149 股，不参与本次利润分配。
如在公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，因可转债转股/回购股份/股权激励授予
股份回购注销/重大资产重组股份回购注销等致使公司总股本发生变动的，公司拟维持每股分配比
例不变，相应调整分配总额。
□适用 √不适用
第二节 公司基本情况
公司股票简况
√适用 □不适用
公司股票简况
股票上市交易所
股票种类 股票简称 股票代码 变更前股票简称
及板块
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A股 源杰科技 688498 不适用
科创板
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□适用 √不适用
联系人和联系方式
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姓名 程硕 吴晶
陕西省西咸新区沣西新城开元路1265 陕西省西咸新区沣西新城
办公地址
号 开元路1265号
电话 029-38011198 029-38011198
电子信箱 ir@yj-semitech.com ir@yj-semitech.com
(一) 主要业务、主要产品或服务情况
公司聚焦于光芯片行业，主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售，目前公司的主要产
品为光芯片，主要应用于电信市场、数据中心市场、车载激光雷达市场等领域。其中电信市场可
以分为光纤接入、移动通信网络。在光通信领域中，主要产品包括 2.5G、10G、25G、50G 、100G
以及更高速率的 DFB、EML 激光器系列产品和大功率硅光光源产品，主要应用于光纤接入、4G/5G
移动通信网络和数据中心等领域。在车载激光雷达领域，公司产品涵盖 1550 波段车载激光雷达激
光器芯片等产品。
经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的 IDM
全流程业务体系，拥有多条覆盖 MOCVD 外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面
镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线，公司逐步
发展为国内领先的光芯片供应商。公司将继续深耕光芯片行业，致力成为国际一流光电半导体芯
片和技术服务供应商。
应用领域 速率 产品类型
光纤接入 EPON 2.5G 1310nm FP
电信市 光纤接 2.5G 1310nm DFB
光纤接入 GPON
场类 入 2.5G 1490nm DFB
光纤接入 10G PON 2.5G 1270nm DFB
光纤接入 25G/50G 25G 1286nm DFB
PON 25G 1358nm EML & 1358nm w/SOA EML
移动通 25G 10G overclock 1270～1370nm CWDM6 DFB
信网络 25G 1270/1330nm DFB
EML
数据中心类 数据中心
CW 100mW 1310nm CW DFB
CW 100mW CWDM4 CW DFB
CW 70mW CWDM4/8 CW DFB
CW 70mW 1310nm CW DFB
CW 70Mw LWDM4 CW DFB
CW 50mW 1310nm CW DFB
CW 25mW CWDM4 CW DFB
CW 150mW 1310nm CW DFB
/ 1550nm Pulse DFB
车载激光雷达及传感
/ CH4 sensor
注：
MWDM 代表可应用于波分复用网络的激光器芯片；PAM4 代表可应用于 PAM4 脉冲调制技术的
激光器芯片；
片封装后进行销售。
(二) 主要经营模式
公司采取以直销为主、经销为辅的销售模式，设立市场与销售部负责开发客户、产品推广以
及维护客户关系。市场与销售部根据客户需求情况制定销售计划，将接收到的订单需求反馈给生
产与运营部，协调产品研发、生产、交付、质量等服务工作，同时承担跟单、售后、技术支持等
工作。
新产品及客户导入方面，由于光芯片产品设计参数、性能指标多，公司市场与销售部根据客
户需求先与其进行深度技术交流，研发部在此基础上进行产品设计、材料选型、样品生产等工作，
然后在厂内进行样品性能测试、可靠性测试，并将样品送至客户处进行综合测试。测试通过后，
客户会小批量下单采购，并在多批次生产合格后，转入批量采购。公司的成熟产品主要通过展会、
现有客户推荐、销售经理开发等方式寻求新客户。
每月月底采购部根据生产与运营部提供的次月生产计划及安全库存，制定对应的生产原物料
采购计划（包括预测需求）
；原材料采购到货后，品质部负责生产原物料的检验工作，并提供生产
原物料的质检项目和质检结果；质检合格后，由仓管科负责核对到货单物料数量与采购订单物料
数量，财务部负责最终付款。另外研发部门、生产类部门、厂务部门、行政部门等根据公司经营
需要，制定相应各部门采购计划并提前传递采购部审核，由采购部统一采购。
公司制定供应商认证及供应商管理流程，对新的供应商进行资质评估及调查，对提供的样品
进行验证，并进行合格供应商评审，合格的供应商将被录入《合格供方名单》
。公司对供应商进行
绩效考核并分级管理，按需进行物料替代管理、供应商稽核管理，确保公司的采购质量。
公司生产激光器芯片属于 IDM 模式，掌握芯片设计、晶圆外延等光芯片制造的核心技术，拥
有覆盖芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试等自主生产的能力，公司的 IDM 模式能够缩短产品
开发周期，实现光芯片制造的自主可控，快速响应客户并高效提供相应解决方案，能够迅速地应
对动态市场需求。
公司生产以市场需求为导向，生产与运营部根据客户订单协调相关部门制定生产计划。公司
根据年度销售策略进行产能评估，提前适当备货以应对需求高峰，保持库存的适度水平，减轻生
产压力。
公司研发以行业发展、应用需求及研发项目为基础，新产品研发流程以研发部《设计和开发
控制程序》体系进行管理，从立项开始先后经历 6 个阶段，主要包括：立项、设计输入输出、工
程验证测试（EVT）、设计验证测试（DVT）
、研发转生产培训考核、批量过程验证测试优化（PVT）
等阶段，各阶段要求满足后进入下一阶段，具体如下：
（1）立项阶段
市场与销售部根据客户及市场需求，提出新项目立项申请，填写《项目研发建议书》，并提交
市场与销售部、研发部及总经理共同评审。项目评审通过后，指定项目负责人制作项目可行性分
析，包括项目方案概况列举、项目预算、研发过程风险预估与对应措施，确定参与人员、明确客
户指标需求等。
（2）设计输入输出阶段
项目负责人根据立项阶段资料，制作设计开发阶段指导文件及流程，包括产品技术参数、工
艺指导文件、结构设计、工艺流程设计、环保分析、研发过程失效分析及对应的控制措施等。
（3）工程验证测试阶段（EVT）
研发部根据《设计和开发控制程序》要求进行投片，参照设计输入输出阶段工艺指导文件与
流程进行样品试制，在试制结束后对客户需求指标进行测试分析。此阶段针对产品特性与工艺生
产异常关闭率进行评审。第一轮样品试制若无法满足客户需求，研发项目团队总结样品试制过程
中的问题，进行分析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，获得批准后进行下轮样品试制，
直到满足客户需求后可转入下一阶段。
（4）设计验证测试阶段（DVT）
研发部根据投片数量进行设计验证测试，对客户需求指标进行测试并分析。此阶段针对产品
稳定性与异常关闭率进行评审。设计验证测试结束若无法满足客户需求，研发项目团队总结生产
过程中的问题，进行分析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，从上一阶段的工程验证测试
（EVT）开始开发，直到满足客户需求并通过验证。
（5）研发转生产培训考核阶段
研发转生产培训考核阶段，研发部提供给生产与运营部相关资料，包括输出工艺标准指导书、
工单、参数对照表、质检标准、标准工时统计表、试生产任务单等，并根据需求对生产线相应的
人员进行培训与考核，通过评审后方可转入下个阶段。
（6）批量过程验证测试优化阶段（PVT）
批量过程验证测试优化阶段（PVT），生产与运营部接收研发转生产阶段文件后，评估产线产
能、管理投入设备并分析人员、安全和环境等因素，确认具备量产能力后，制定并组织实施生产
计划，投入资源进行批量验证与测试。在批量生产过程中，研发项目团队总结生产过程中的问题，
进行分析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，直到达到预期目标并通过验证。
(三) 所处行业情况
（1）所处行业
公司聚焦于光芯片行业，主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售。根据中国证监会《上
市公司行业分类指引》 （2012 修订），公司属于“制造业”中的“C39 计算机、通信和其他电子设备制
造业”。根据《国民经济行业分类》 （GB/T4754-2017），公司所处行业为“C392 通信设备制造”之
“C3976 光电子器件制造”。根据《战略性新兴产业分类（2018）》（国家统计局令第 23 号） ，公司
所处的行业细分领域为“1 新一代信息技术产业”之“1.2 电子核心产业”之“1.2.1 新型电子元器件及
设备制造”之“3976 光电子器件制造”。
（2）行业的发展阶段及基本特点
随着全球信息互联规模不断扩大，光电信息技术正在崛起。在这种趋势下，光芯片的下游应
用场景不断扩展，需求量不断增加，同时对光芯片的速率、功率、传输距离也提出更高的要求。
目前在电信市场、数据中心市场，光芯片都得到了较为广泛的应用，其中电信市场又可以细分为
光纤接入和移动通信两个细分领域。
光纤接入市场：随着千兆光纤网络升级，目前 10G PON 市场正在广泛的部署，仍然有较大的
空间。截至 2023 年底，三家基础电信企业的固定互联网宽带接入用户总数达 6.36 亿户，全年净
增 4,666 万户。其中，100Mbps 及以上接入速率的用户为 6.01 亿户，全年净增 4756 万户，占总用
户数的 94.5%，占比较上年末提高 0.6 个百分点；1000Mbps 及以上接入速率的用户为 1.63 亿户，
全年净增 7153 万户，占总用户数的 25.7%，占比较上年末提高 10.1 个百分点。全球范围内，10G
PON 网络的投资和部署保持较高水平。千兆宽带正在快速普及同时，开始向“千兆+”、“万兆”加
速。作为 ITU-T 定义的下一代 PON 技术，50G PON 比 10G PON 带宽提升了 5 倍、时延降低了 100
倍，具备提供确定性业务体验的能力。根据 Omdia 的预测，2024 至 2028 年期间，50G PON 端口
出货量将不断提升，并保持每年 200%的复合年增长率。
无线通信市场：3GPP 5G 重要标准 R18 的冻结将加速 5G-A 的产业成熟和部署应用。5G-A 在
网络速度、延迟、连接数等方面实现显著提升，同时引入了通感一体、无源物联、内生智能等全
新的革命性技术，能更好地匹配人联、物联、车联、高端制造、感知等场景。相关技术的成熟与
推广，有望对相关的产业链形成拉动作用。
数据中心市场：随着人工智能的快速发展，模型大小和数据集大小的增加，模型性能提高。
训练大模型需要大量算力，导致对光器件的需求、能力的增加。在这样的背景下，数据中心市场
高速率需求持续增加。当前，GPU 对光模块的需求主要以 400G/800G 为主，下一代 GPU 产品将
提升至 800G/1.6T，这无疑将进一步刺激对高速光模块的需求。对功耗提出更高要求，数据中心
对功耗和密度的要求越来越高，因此光模块需要不断优化，以实现更高的能效比和更紧凑的封装
设计。低功耗、小型化、集成化将成为未来光模块发展的重要趋势。硅光技术在可插拔光模块中
逐步提升，特别在高功耗模块中应用广泛。此外，CPO 和 LPO 方案也是未来趋势，虽然 LPO 在
标准统一和互联互通上仍存在挑战，但其在特定场景中表现出较低功耗和成本的优势。根据 Light
Counting 预测，2027 年全球光模块市场规模将突破 200 亿美元，2022 年至 2027 年复合平均增长
率为 12%。
（3）主要技术门槛
更高速率、更高功率、更长传输距离的光芯片的技术研发、工艺设计具有更高开发难度与门
槛。一方面，随着需求提升，光芯片的结构设计的精度要求极高，技术研发及工艺开发需结合高
速射频电路与电子学、微波导光学、半导体量子力学、半导体材料学等多学科，设计合适的芯片
结构，满足芯片精度及尺寸的要求；另一方面，激光器芯片的生产需要几十至几百道工序，每道
生产工序都将影响产品最终的性能和可靠性，因此对生产线工艺成熟和稳定有极高要求。此外，
高速率激光器芯片相较于中低速率产品，在量子阱有源区、光栅层结构区、模斑转化器区域、光
波导结构区、电流限制结构区、高频电极结构、谐振腔反射膜等关键结构的设计与开发上，需综
合考虑光电特性、产品可靠性、制备工艺可行性等相互制约因素，因此存在极高壁垒。
公司聚焦于光芯片行业，主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售，主要产品包括 2.5G、
心市场、车载激光雷达等领域。经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆
制造、芯片加工和测试的 IDM 全流程业务体系，拥有多条覆盖 MOCVD 外延生长、光栅工艺、
光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流
程自主可控的生产线，已实现向国内外主流光模块厂商批量供货，已成为国内领先的光芯片供应
商。
在电信市场中，目前所需的 2.5G、10G 激光器芯片市场国产化程度较高，但不同波段产品应
用场景不同，工艺难度差异大，公司凭借长期技术积累实现激光器光源发散角更小、抗反射光能
力更强等差异化特性，为光模块厂商提供全波段、多品类产品，同时提供更低成本的集成方案，
实现差异化竞争；未来 25G/50G PON 接入网对光芯片的要求也将进一步提升，大功率、低色散、
高速调制的场景需求提升了光芯片的技术门槛，公司已开发相应的集成技术与光放大器集成技术
平台，适配高速接入网的需求，使公司的 PON 光芯片产品具备更强的市场竞争力，进入下一代高
速需求的迭代过程。
在数据中心市场中，尤其是以人工智能为代表的应用拉动了 400G、800G 或以上高速光模块
的需求增加， 进而带动了高速率、 大功率的芯片需求，比如主要为 100G PAM4 EML 光芯片、
的研发和生产积累，已推出相应的高速 EML、大功率激光器产品，无论是单波或是多波长的
CWDM、LWDM 需求，来适配相关的高速光模块的需求，且性能及可靠性等指标可对标海外同
类型产品。
（1）AI 推动模块升级，单通道速率逐步提升
随着人工智能技术的快速发展，对算力的需求迅速增长，进一步推动了 1.6T 光模块的发展。
预计 1.6T 乃至更高速率的光模块将成为数据中心内部连接的新技术趋势，以配合未来更大带宽、
更高算力的 GPU 需求。目前 1.6T 光模块批量商用的进程正在加速。这一趋势，对光芯片提出更
高的要求。包括 200G PAM4 EML、CW 光源等在内的多种芯片将成为 1.6T 光模块中光芯片的解
决方案。
（2）硅光技术逐渐成为提升成本效率重要方案之一
硅光子技术是基于硅和硅基衬底材料，利用现有 CMOS 工艺进行光器件开发和集成的新一代
技术。AI 的爆发导致了对光模块速率和数量的需求极大的增长，降本降功耗变得更为紧迫，这导
致了客户对硅光的接受度有望提升。Lightcounting 预计使用基于 SiP 的光模块市场份额将从 2022
年的 24%增加到 2028 年的 44%，LPO 有望加速硅光渗透率进一步提升。硅光方案中，CW 激光
器芯片作为外置光源，硅基芯片承担速率调制功能。CW 大功率激光器芯片，要求同时具备大功
率、高耦合效率、宽工作温度的性能指标，对激光器芯片要求更高。
（3）光芯片下游应用市场不断拓展
光芯片的应用领域正在不断拓展。在传感领域，如环境监测、气体检测，光芯片被用作传感
器，能够检测光信号并转换为电信号，用于数据采集和分析。在汽车领域，随着传统乘用车的电
动化、智能化发展，高级别的辅助驾驶技术逐步普及，核心传感器件激光雷达的应用规模将会增
大。基于砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）的光芯片作为激光雷达的核心部件，其未来的市场需
求将会不断增加。
单位：元 币种：人民币
本年比上年
增减(%)
总资产 2,236,682,340.61 2,295,683,768.92 -2.57 736,849,937.31
归属于上市公司股
东的净资产
营业收入 144,403,649.04 282,905,278.42 -48.96 232,106,859.21
归属于上市公司股
东的净利润
归属于上市公司股
东的扣除非经常性 -238,669.33 91,866,664.92 -100.26 87,200,831.92
损益的净利润
经营活动产生的现
-17,399,733.48 37,739,184.13 -146.11 36,033,177.28
金流量净额
加权平均净资产收
益率（%）
基本每股收益（元
／股）
稀释每股收益（元
／股）
研发投入占营业收
增加11.85个百分点
入的比例（%）
单位：元 币种：人民币
第一季度 第二季度 第三季度 第四季度
（1-3 月份） （4-6 月份） （7-9 月份） （10-12 月份）
营业收入 34,853,815.01 26,465,243.09 31,871,133.81 51,213,457.13
归属于上市公司股东
的净利润
归属于上市公司股东
的扣除非经常性损益 4,563,329.13 -445,376.83 -473,715.90 -3,882,905.73
后的净利润
经营活动产生的现金
-24,961,622.10 -3,657,063.42 -2,601,820.09 13,820,772.13
流量净额
季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用
名股东情况
单位: 股
截至报告期末普通股股东总数(户) 7,612
年度报告披露日前上一月末的普通股股东总数
(户)
截至报告期末表决权恢复的优先股股东总数（户） -
年度报告披露日前上一月末表决权恢复的优先股 -
股东总数（户）
截至报告期末持有特别表决权股份的股东总数 -
（户）
年度报告披露日前上一月末持有特别表决权股份 -
的股东总数（户）
前十名股东持股情况
包 含
质押、标记或
转 融
冻结情况
通 借
持有有限
股东名称 报告期内 期末持股 比例 出 股 股东
售条件股
（全称） 增减 数量 (%) 份 的 性质
份数量 股份
限 售 数量
状态
股 份
数 量
境 外
ZHANG
XINGANG
人
境 内
秦燕生 1,315,674 4,604,859 5.43 4,604,859 无 自 然
人
境 内
秦卫星 1,279,674 4,478,859 5.28 4,478,859 无 自 然
人
苏州瑞璜股权投资
管理合伙企业（有
限合伙）－宁波创 1,207,422 4,225,977 4.98 无 其他
泽云投资合伙企业
（有限合伙）
境 内
杭州汉京西成创业
非 国
投资合伙企业（有 1,193,256 4,176,396 4.92 无
有 法
限合伙）
人
境 内
北京瞪羚金石股权
非 国
投资中心（有限合 969,606 3,393,621 4.00 无
有 法
伙）
人
境 内
张欣颖 841,158 2,944,053 3.47 2,944,053 无 自 然
人
境 内
哈勃科技创业投资 非 国
有限公司 有 法
人
陕西科迈投资管理
合伙企业（有限合
伙）－陕西先导光 676,350 2,367,225 2.79 无 其他
电集成科技投资合
伙企业（有限合伙）
国投创业投资管理
有限公司－国投
（宁波）科技成果
转化创业投资基金
合伙企业（有限合
伙）
秦 燕 生 和 秦 卫 星 系 兄 弟 关 系 ； 3 、 ZHANG
上述股东关联关系或一致行动的说明 XINGANG 与秦燕生、秦卫星、张欣颖为一致
行动人；4、公司未知上述其他股东是否存在关
联关系或一致行动人的情况。
表决权恢复的优先股股东及持股数量的说明 无
存托凭证持有人情况
□适用 √不适用
截至报告期末表决权数量前十名股东情况表
□适用 √不适用
√适用 □不适用
√适用 □不适用
□适用 √不适用
□适用 √不适用
第三节 重要事项
公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。
报告期公司实现营业收入 14,440.36 万元，同比下降 48.96%；归属于母公司所有者的净利润
同比下降 100.26%。
止上市情形的原因。
□适用 √不适用
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