美光科技(MU.US)2026财年Q1电话会：本财年资本支出计划提升至约200亿美元 用于提升HBM产能

智通财经APP获悉，美光科技(MU.US)召开2026 财年Q1的财报电话会。该公司第一财季总营收达 136 亿美元，环比增长 21%，同比增长 57%，创公司历史新高。综合毛利率为 56.8%，环比提升 11 个百分点。主要驱动因素为价格上涨、成本控制及产品组合优化。非 GAAP 每股摊薄收益为 4.78 美元，环比增长 58%，同比增长 167%。自由现金流创季度历史新高达 39 亿美元。

该公司高层表示，持续强劲的行业需求叠加供应限制，正推动 DRAM 与 NAND 全行业供应趋紧，预计该市场趋紧态势将延续至 2026 年之后。由于客户 AI 数据中心建设计划，内存与存储需求预测大幅攀升。2025 年 DRAM 位需求增长预期上调至 20% 左右(原预期 15% 以上)，NAND 位需求增长预期为 15% 以上(原预期 10%-15%)。2026 年 DRAM 和 NAND 行业出货量预计较 2025 年增长约 20%。

行业总供给在可预见的未来仍显著低于需求。HBM 需求激增(与 DDR5 的比率为 3:1 且持续扩大)加剧供应压力，且洁净室建设周期可能延长。正与客户推进包含具体承诺的多年度合同谈判，并已就 2026 日历年全部 HBM 产品(包括 HBM4)的价格与供货量达成协议。

AI 数据中心容量增长显著拉动高性能、大容量存储器需求。预计 2025 日历年度服务器设备增长率将达两位数高位区间，2026 年需求持续强劲。公司提供 HBM、大容量服务器内存及数据中心 SSD 等差异化解决方案。数据中心 SSD 产品线增长强劲，首款 PCIe Gen 6 SSD 正获快速认证。

该公司高层续称，2026 财年资本支出计划从此前预估的 180 亿美元提升至约 200 亿美元。增资主要用于提升 HBM 产能及 2026 日历年 1-gamma 产品供应能力。

Q&A 问答

Q：关于客户长期协议(LTA)，听说 D5 与 HBM 甚至 NAND 捆绑，且协议期延伸至 2026 年，某些情况至 2027 年甚至 2028 年。能否谈谈这些协议的性质?

A：我们正与数家关键客户讨论这些多年度合同，涉及 DRAM 与 NAND。这些讨论中的合同与此前的长期协议有很大不同，包含了具体的承诺和更强的合同结构。除此之外，目前无法提供更多细节。未来时机适当时，我们会分享更多信息。

Q：资本支出增至 200 亿美元，但未提供全年营收指引，因此无法确知资本密集度，估计在 25%-30%，低于你们通常考虑的 35% 指标。这是由于工厂空间限制吗?这是否会延续至下一财年，使资本支出更接近 35% 的范围?

A：没错，我们未提供全年营收指引。增加的资本支出大部分用于支持 DRAM，特别是 HBM 和 1 gamma 节点的产能提升。从 2025 年到 2026 年，实体建筑资本支出计划大约翻倍，预计 2027 年资本支出会增加。但需强调，美光将保持资本支出增长的纪律性，以支持位需求，确保供应与需求一致。关于资本密集度，在市场条件非常有利的情况下，我们的资本密集度正在下降。当然，我们正努力提高资本支出的效率。

Q：资本支出增长在当前背景下显得非常保守，感觉是因为缺乏洁净室空间，且并未显著提前洁净室建设。能否谈谈其中的考量?是否意味着你们在产能扩充上非常谨慎和保守?

A：供应紧张问题已持续多个季度，技术节点转型是 2026 财年供应增长的主要来源。HBM 需求进一步加剧了压力，行业整体短缺。我们正加速设备下单和工厂建设，并投资于现有及新增产能(如爱达荷州和纽约工厂)。目前供需缺口巨大，仅能满足关键客户约 50% 至三分之二的需求，因此正全力增加供应。

Q：考虑到 2026 日历年，应如何看待 DRAM 和 NAND 的成本下降?以及从 HBM3E 过渡到 HBM4 时，我们的模型中是否需要考虑可能因良率等问题导致的暂时性成本上升?

A：我们在 DRAM 和 NAND 方面的成本执行一直很好。当然，我们获得了一些规模效应，支出控制非常好，良率也很好。我们确实有一些新工厂、新建设的启动成本，这些将在 2026 年下半年到 2027 年开始产生。但以目前业务的规模来看，这对毛利率的影响相对较小。我们不会提供今年剩余时间的成本指引，因为它取决于包括产品组合在内的许多因素。但针对之前的问题，可以说我们讨论过在 2026 年增加 1 gamma DRAM 和 G9 NAND 的供应。这些增产进展顺利，并将随着这些节点的量产成为成本的有利因素。

关于 HBM3E 和 HBM4 的问题，正如我们所说，我们将在第二季度左右开始增加 HBM4 的产量，以满足客户需求。我们的 HBM4 进展非常顺利，对产品非常满意，这是行业领先的产品，具有超过 11 千兆比特/秒的最高性能。我们对它的整体良率提升非常满意，并预期其良率提升速度将快于 HBM3E。当然，我们在 2026 年的 HBM3 和 HBM4 产品组合将很大程度上基于我们整体的客户需求。这两种产品都将在 2026 年营收中占据重要地位。

Q：随着各类 AI 芯片项目明年出货量预测大幅上调，且这些芯片仍将使用 HBM3E，你们是否在订单中看到了这一积极动态?鉴于 2026 年产能已完全签约，且明年需求前景可能进一步增长，你们将如何管理 HBM3E 的额外需求与强劲的 HBM4 需求?

A：2026 年我们将同时提供 HBM3E 和 HBM4 产品组合。我们与整个生态系统的多家客户均有合作，他们都将推动我们 2026 年 HBM 收入的强劲同比增长，这包括 HBM3E 和 HBM4。我们将继续根据客户需求管理产品组合。2026 年 HBM 供应将紧张，非 HBM DRAM 也将如此，正如我们之前所说，供应环境正在趋紧。我们上调了 HBM 收入预测，预计到 2028 年市场规模将达到 1000 亿美元，这比我们之前的预测提前了两年。随着客户架构和平台的演进，他们需要越来越多的 HBM，这在各 AI 平台上都是如此。

Q：企业 SSD 业务环比增长强劲，鉴于需求增长、交货期延长，美光是否也在与企业 SSD 客户签订长期供应协议?其次，SSD 需求的增长是否更多与推理工作负载的扩展相关?

A：我们为企业 SSD 团队的表现感到自豪，企业 SSD 是我们数据中心业务组合的重要组成部分。我们凭借强大的 SSD 路线图、客户参与度和优质的产品质量，将继续专注于扩大市场份额。我们正在与数家关键客户讨论的多年度合同中也包含了数据中心 SSD。这些合同不仅涉及数据中心客户，也涵盖我们各个细分市场的多个客户。

关于 SSD 需求是否随推理工作负载增长的问题，在数据中心 AI 应用中，随着生成式 AI 越来越多地涉及视频内容，这确实也推动了对更多 SSD 的需求。AI 从训练到推理的快速演进，以及 AI 模型和应用的快速演进，都在推动企业 SSD 的更大增长，这确实是由生成式 AI 推动的。

Q：能否从美元角度透露 HBM 目前占 DRAM 业务的百分比?以及面对竞争对手在 HBM3 上的追赶，如何看待明年的竞争定位?

A：我们对我们 HBM4 产品的竞争地位感到非常满意，其性能行业领先，超过 11 千兆比特/秒，且功耗表现优异。我们的 HBM3E 功耗比业内任何竞争对手低 30%，并保持了这一低功耗优势。

我们在第三季度已实现 HBM 份额与 DRAM 份额一致。在供应紧张的环境下，我们将管理 HBM 与非 HBM 产品的组合。HBM 市场正在增长，我们预计其市场规模将在 2028 年达到 1000 亿美元，这比我们先前的预测提前了两年。2026 年我们的 HBM 业务将实现强劲的同比增长。目前包括 HBM 在内的整个 DRAM 市场的供需缺口是前所未有的。我们将继续专注于增加供应，以更好地满足客户需求。

Q：关于曾经提到的约 80 亿美元全年 HBM 收入，结合总 TAM 的上调，能否具体说明 HBM 在 11 月当季的贡献以及对下季度的预期?

A：我们不会在此提供具体的细分数据。我们已强调第一财季 HBM 收入创下纪录。除此之外，我们不会提供具体的收入细节。只能再次说明，2026 年我们的 HBM 收入将实现强劲的同比增长。我们的产品定位非常有利，这对管理整体业务组合而言是一个非常有利的局面。

Q：如何展望二月季度之后的毛利率走势，例如五月季度，是会继续改善还是维持在当前水平?

A：我们不提供第二季度之后的毛利率指引。我们给出了创纪录的第二季度指引，为 68%，环比提升 11 个百分点，较之前的纪录高出 7 个百分点。我们已指出全年业务将不断增强。因此，我们相信毛利率能够上升，DRAM 和 NAND 的毛利率都会上升。请记住，在如此高的毛利率水平下，相同的价格上涨对毛利率百分比的提升作用会减弱。

因此，我们预计毛利率在第二财季之后会继续扩张，但增速将比我们在过去几个季度或第一、第二季度指引中看到的更为平缓。最后补充一点，我们认为这种建设性的市场环境将在全年持续，同时我们在成本方面执行得很好，并将产品供给市场中价值最高的部分以最好地服务客户。

Q：关于 2028 年 HBM 市场达到 1000 亿美元规模、年复合增长率 40% 的预测，你如何看待美光在该市场中的份额?我们是否应假设其为较低的 20% 左右，还是会更高?

A：我们不会具体说明份额数字。正如我们所说，我们将管理 HBM 与非 HBM 业务之间的组合。这就像我们产品组合中的任何其他产品一样，当我们在整个组合中拥有强大的产品路线图时，我们自然会基于所有战略因素和客户关系来管理整个产品组合的构成。因此，我们不会对此进行细分。

我只想说，在当前我们认为行业基本面在可预见的未来将持续向好的环境下，凭借我们产品组合的所有顺风因素，以及内存(当然包括 HBM，也包括数据中心和其他市场中的非 HBM)价值的全面提升，我们处于非常有利的地位。我们将继续专注于管理业务组合，当然也会着眼于中长期的最佳利益。

Q：关于你们正在谈判的长期客户合同，能否多透露一些你们预计何时能签署?阻碍是什么?是否因其长度或规模前所未有?鉴于 AI 公司要求大量产能，你们是否能让他们或多或少地参与新工厂的建设?

A：我们不会透露与客户合同讨论的具体细节。但我要强调几个重要因素：客户对在我们所处的环境中能否长期获得充足内存供应感到担忧，这正导致我们与多个关键客户及跨市场客户就他们的供应以及其他与这些长期协议相关的重要具体承诺进行建设性对话。正如我所强调，我们讨论的合同结构与此前任何合同都不同，它们是具有具体承诺的、更强大的合同结构，当然，与此前合同不同的是这些本质上是多年期协议。

在处理客户讨论时，我们必须考虑我们的整体供应能力。我曾提到，中期内我们仅能满足几位关键客户一半到三分之二的需求。因此，在我们管理客户关系并牢记战略目标时，所有这些因素都必须在合同讨论中予以考虑。但确实不会在此透露具体细节。

Q：鉴于 HBM 需求如此强劲，且你提到 2026 年产能已售罄，价格是锁定的吗?还是说价格可以像 DDR5 那样根据需求强度有一定浮动?

A：我们对我们产品的市场地位以及我们与客户的合作能力感到非常满意。正如我们在准备好的发言中所强调，我们2026 年的 HBM 在数量和价格上已完成与客户的谈判。我们始终强调，我们的 HBM 具有强劲的盈利能力，并非常注重投资回报。同时，我们的非 HBM 业务也表现出健康的盈利能力，这在我们已发布的业绩和提供的指引中都有体现。

Q：撇开数据中心和 AI 市场不谈，内存价格上涨会在何时影响电子产品需求?对于 2026 年更多消费级和传统企业产品的需求，你是否看到任何弹性或影响?这会如何影响明年内存价格的走势?

A：我们已在发言中指出，在一些消费市场，单位需求可能会受到内存价格的影响。当然，一些客户，例如在智能手机和 PC 领域，可能会调整其产品组合以应对可获得的供应。但这些都已纳入我们的预测考量。即便如此，我们仍然看到供需之间存在巨大缺口，供应环境非常紧张。

然而，我需要强调，从数据中心到边缘设备(包括智能手机、PC 等)的 AI 体验确实需要更多内存。没有足够的内存，这些边缘设备的 AI 体验、功能和性能也会受到影响。总之，从数据中心到边缘的 AI 正在驱动内存容量的增加和需求的增长，这也是客户与我们合作以确保其长期多年计划供应渠道的原因。