联电官宣，发力硅光

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晶圆代工业者联电昨（8）日宣布与比利时微电子研究中心（imec）签署技术授权协议，取得imec iSiPP300硅光子制程，该制程具备共封装光学（CPO）相容性，藉由此次授权合作，联电将推出12吋硅光子平台，瞄准下世代高速连接应用市场。

联电表示，AI数据负载日益增加，传统铜互连面临瓶颈，硅光子技术以光传输数据，成为数据中心、高效能运算及网路基础设施在超高频宽、低延迟及高能源效率的解决方案。联电将结合imec经验证的12吋硅光子制程技术、加上联电绝缘层上覆硅（SOI）晶圆制程，为客户提供高度可扩展的光子芯片（PIC）平台。

联电资深副总经理洪圭钧指出，取得imec最先进的硅光子制程技术授权，将加速联电12吋硅光子平台的发展进程。联电正与多家新客户合作，预计在此平台上提供用于光收发器的光子芯片，并于2026及2027年展开风险试产。此外，联电未来系统架构将朝CPO与光学I/O等更高整合度的方向迈进，提供资料中心内部及跨数据中心需要的高频宽、低能耗且高度可扩展的光互连应用解决方案。

IC-Link by imec副总裁Philippe Absil表示，iSiPP300平台具备精巧且高效能的元件，包括微环型调变器，以及锗硅（GeSi）电致吸收调变器（EAM），搭配多样化低损耗光纤介面及3D封装模组。与联电的合作有助扩大硅光子解决方案市场，加速下世代运算系统的导入。

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（来 源 ：经济日报 ）

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