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英特尔280亿美元晶圆厂,再度延期

来源:半导体行业观察

2025-03-01 09:14:08

(原标题:英特尔280亿美元晶圆厂,再度延期)

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英特尔修改了位于利金县新奥尔巴尼的俄亥俄一号半导体制造工厂的建设时间表,将其投产时间推迟到下一个十年。第一阶段(Mod 1)现在将于 2030 年完工,生产将于 2030 年至 2031 年开始。Mod 2 将于 2031 年完工,运营将于 2032 年开始。该公司正在放慢工厂的建设速度,以使其投资与市场状况保持一致。不过,英特尔强调,如果需要,它可以加快建设速度。

英特尔最初计划在 2025 年完成其俄亥俄州工厂(曾被称为硅谷中心)的第一期工程。然而,在需求不确定的情况下,大规模投资使得英特尔将首个模块的完工时间推迟到 2027 年或 2028 年。现在,该公司认为,只有在 2030 年及以后才需要位于俄亥俄州的晶圆厂。这一推迟表明,它预计其产能需求不会在短期内暴涨,这可能不是一个积极的发展。另一方面,英特尔现在也不必在其俄亥俄州工厂进行大量投资,这对该公司的资产负债表来说是个好消息,因为它正在努力恢复盈利能力。生产设备的投资是半导体制造设施中最重要的投资,因此通过推迟生产设备投资,英特尔大幅削减了 2025 年至 2028 年期间的资本支出。

即将建成的园区占地约 1,000 英亩(4 平方公里),可容纳多达 8 座半导体制造厂,并为支持运营和行业合作伙伴提供空间。英特尔此前估计,全面开发该园区需要投资约 1,000 亿美元。首轮投资定为约 280 亿美元。

考虑到 Ohio One(或 Silicon Heartland?)工厂的新计划,预计新工厂将使用该公司在14A 和 14A-E 之后开发的工艺技术,目前定于 2026 年至 2027 年推出。这些节点将依赖于 ASML 的 Twinscan EXE:5200 或更先进的高 NA EUV 工具,每台成本为 3.5 亿美元。

英特尔执行副总裁、首席全球运营官兼代工制造总经理纳加·钱德拉塞卡兰 (Naga Chandrasekaran) 在给员工的一封信中写道:“我们采取了审慎的做法,确保以财务上负责任的方式完成项目,为俄亥俄一号未来的成功奠定基础。”“我们将继续以较慢的速度进行建设,同时保持灵活性,以加快工作速度并根据客户需求开始运营,但我希望坦率透明地向大家介绍我们目前的计划。”

英特尔于 2022 年开始在该工厂工作。从那时起,工厂的建设取得了重大进展。该项目最近取得了里程碑式的进展,地下基础已经完工,地上建设已经开始。据英特尔称,自开工以来,该工厂已接受 36 次超载(截至 2 月 4 日),其中包括 4 次超大型超载,其中包含晶圆厂的空气分离装置。已投入超过 640 万工时,涵盖地下管道、200,000 多立方码的混凝土和次级公用设施沟槽 (SUT) 等关键设施。办公楼结构也正在成型。

关于俄亥俄州工厂的一个有趣之处是,尽管时间表有所调整,但招聘工作已经开始,俄亥俄州员工在当地工厂投入使用之前在亚利桑那州、新墨西哥州和俄勒冈州接受培训。据推测,英特尔正在培训员工安装生产工具和其他机器。随着运营日期的临近,劳动力计划将扩大。

https://www.tomshardware.com/tech-industry/intel-delays-usd100-billion-ohio-site-to-next-decade-first-fab-now-coming-online-in-2030

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