HBM 4，愈演愈烈

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美光正在积极扩大其在高带宽内存市场的份额，利用不断增长的 AI 芯片需求来加速增长。为支持这一扩张，该公司将从美国芯片制造商协会获得高达 61.65 亿美元的 CHIPS 法案资金……

美光正在积极扩大其在高带宽内存市场的份额，利用不断增长的 AI 芯片需求来加速增长。为支持这一扩张，该公司预计将在 2024 年底前从美国商务部获得高达 61.65 亿美元的 CHIPS 法案资金。为了巩固其市场地位，该公司计划扩大在美国和马来西亚的生产，目标是到 2025 年占据 HBM 市场的 20% 份额。

与此同时，随着人工智能推理需求激增，博通的定制芯片也备受关注。据报道，特斯拉已向三星和 SK 海力士索要 HBM4 样品，而三星正在为 Meta 和微软开发定制的 HBM4 解决方案。

HBM4时代：定制解决方案和战略合作伙伴关系重新定义AI芯片设计

从 HBM3E 到 HBM4 和 HBM4E 的转变标志着 AI 芯片设计的新标准，主要由定制化的 HBM 解决方案推动。SK Hynix 和 Micron 借助台积电先进工艺节点对基础芯片生产的支持，巩固了其地位，增强了其竞争优势。

HBM3E 使用基于 DRAM 的 2.5D/3D 堆叠芯片，而 HBM4 采用 3D 堆叠逻辑芯片架构，允许客户集成专有 IP 以增强性能和定制。值得注意的是，HBM4 的基础芯片现在由晶圆代工厂生产，而不是内存制造商。专家强调 3D 芯片堆叠和定制是 HBM4 时代成功的关键。

12 月的一项重大进展是，Marvell 与美光、三星和 SK 海力士合作创建了定制的 HBM 架构，旨在增强内存带宽和芯片容量，同时降低功耗。

台积电合作伙伴关系助力 SK 海力士和美光在 HBM4 竞赛中脱颖而出

SK Hynix 和美光正在与台积电合作，使用 3nm 基础芯片开发 HBM4 和定制 HBM4E。相比之下，据报道，三星依靠其内部 4nm 代工工艺来生产 HBM4 基础芯片。

分析师认为，台积电与 SK 海力士和美光的合作可以为他们带来竞争优势，凸显了三星内存部门和三星代工厂之间更紧密合作的必要性。

HBM4：SK 海力士、美光和三星争夺领导地位

SK Hynix 计划在 2025 年 3 月之前推出其 HBM4 原型，并为 Nvidia 量产，时间定于当年晚些时候。与此同时，美光可能会采用无助焊剂键合，而三星则专注于 1c 工艺 DRAM。

据TrendForce报道，美光正在与合作伙伴测试 HBM4 的无助焊剂键合，以解决 DRAM 间距挑战并增加堆栈层数，目标到 2026 年实现营收贡献。

三星已为 HBM4 采用了 10nm 级 1c DRAM，优先考虑提高良率，而 SK 海力士和美光则选择了 10nm 级 1b DRAM。分析师认为，三星对 1c DRAM 良率的关注对于重拾 HBM 市场的竞争力至关重要。

HBM3E：SK Hynix 和 Micron 领先

SK Hynix 和美光已成为 HBM3E 市场的领导者。美光已加大生产力度，实现 12 层 HBM3E 的量产和交付，而 ASIC 需求的不断增长也使该公司能够扩大其客户群。

美光 2025 财年第一季度报告显示，HBM 收入较上一季度增长一倍以上，预计全年收入将达到 50 亿美元。其向第二大和第三大 HBM 客户的出货已于 12 月开始，并将持续到 2025 年初。

SK 海力士在 HBM3E 进展方面超越了三星，并在 2024 年 SK AI 峰会上推出了 48GB 16 层 HBM3E。预计样品将于 2025 年初交付，为加速 16 层 HBM4 生产铺平了道路。

三星更快量产 HBM3E 和 HBM4，或 SK 海力士的优异表现，可能会加剧竞争并对美光的市场地位和盈利能力造成压力。

https://www.digitimes.com/news/a20241225PD220/micron-hbm4-intel-dram-sk-hynix.html

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